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W29N01HVBINA

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: Winbond 1Gbit SLC NAND闪存芯片, 并行接口, VFBGA-63, 11.1 x 9.1 x 0.6mm
供应商型号: W29N01HVBINA VFBGA-63(9X11)
供应商: 国内现货
标准整包数: 210
WINBOND/台湾华邦 闪存(Flash) W29N01HVBINA

W29N01HVBINA概述

    W29N01HV 1G-BIT 3.3V NAND Flash Memory

    产品简介


    W29N01HV是一款专为嵌入式系统设计的1G-bit容量的3.3V NAND闪存芯片。该产品适用于代码影射到RAM、固态应用以及存储语音、视频、文本和图片等多媒体数据的应用场景。通过其标准的NAND闪存接口和多路复用的8位总线,该芯片能够实现数据、地址和指令的高效传输。W29N01HV凭借其低功耗特性,非常适合对空间、引脚数和电源消耗有限制的嵌入式系统。

    技术参数


    - 存储密度:1G-bit(单颗解决方案)
    - 工作电压:2.7V至3.6V
    - 总线宽度:x8
    - 操作温度范围:工业级-40°C至85°C
    - 组织方式:1G-bit/128M-byte
    - 页面大小:2,112字节(2,048 + 64字节)
    - 块大小:64页(128K + 4K字节)
    - 性能指标
    - 读取性能:最大随机读取时间为25us,顺序读取周期为25ns
    - 写入/擦除性能:页面编程时间为250us(典型),块擦除时间为2ms(典型)
    - 耐久性:100,000次擦写/编程循环
    - 数据保持时间:10年
    - 最低功耗:读取电流为25mA(典型值3V),编程/擦除电流为25mA(典型值3V),CMOS待机电流为10uA(典型)

    产品特点和优势


    W29N01HV提供了多种独特的功能和优势,使其在市场上具有强大的竞争力。该产品采用单级单元(SLC)技术,能够在高耐久性和长数据保持时间内提供快速的数据读写性能。此外,其最低的功耗特性使其成为空间受限和电源敏感应用的理想选择。产品的空间高效封装也使其便于在各类应用中集成。

    应用案例和使用建议


    W29N01HV的典型应用场景包括代码影射、固态存储、多媒体数据存储等。例如,在一个需要大量存储多媒体数据的移动设备中,可以利用该芯片进行高速存储和检索。为了确保最佳性能,建议在使用时遵循制造商提供的编程和擦除顺序,以避免数据错误。同时,对于数据可靠性要求较高的应用,建议结合使用有效的ECC算法以检测和纠正可能的数据错误。

    兼容性和支持


    W29N01HV提供了多种封装选项,包括48针标准TSOP1、48球VFBGA和63球VFBGA。这些封装形式使得产品易于集成到各种不同类型的电路板中。同时,Winbond还提供了详细的技术支持和文档,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    常见的问题及其解决方案如下:
    - Q: 设备无法正常读取数据
    - A: 检查电源连接是否正确,确认所有Vcc和Vss引脚已正确连接。
    - Q: 数据在编程过程中出现错误
    - A: 确认使用正确的编程顺序,确保没有在数据编程前未执行必要的擦除操作。
    - Q: 设备显示忙状态但无法完成操作
    - A: 检查是否正确配置了控制信号(如#WP、#CE等),并确认命令序列的正确性。

    总结和推荐


    总体而言,W29N01HV以其高耐久性、优秀的数据保持能力和低功耗特性,在嵌入式系统中具有显著的优势。特别是对于那些需要高性能存储解决方案的应用场景,W29N01HV是一个非常值得推荐的产品。无论是对于研发人员还是系统设计师,它都是一种可靠的选择。

W29N01HVBINA参数

参数
存储容量 1Gb (128M x 8)
最大供电电流 35mA
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.7V
组织 128M x 8
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
长*宽*高 11.1mm*9.1mm*600μm
通用封装 BGA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 托盘

W29N01HVBINA数据手册

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WINBOND/台湾华邦 闪存(Flash) WINBOND/台湾华邦 W29N01HVBINA W29N01HVBINA数据手册

W29N01HVBINA封装设计

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