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W947D6HBHX6E/TRAY

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 16MB 8Mx16 1.7V 50mA 1.95V 166MHz LVCMOS 16bit BGA 贴片安装 9mm*8mm*660μm
供应商型号: UA-W947D6HBHX6E/TRAY
供应商: 海外现货
标准整包数: 312
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W947D6HBHX6E/TRAY

W947D6HBHX6E/TRAY概述


    产品简介


    W947D6HB / W947D2HB 128Mb Mobile LPDDR
    W947D6HB 和 W947D2HB 是一款高性能的低功耗双倍数据率同步动态随机存取存储器(LPDDR SDRAM)。这种内存芯片在移动设备领域应用广泛,如智能手机、平板电脑及各种便携式电子设备。其主要功能包括高速的数据传输、多种数据宽度选择、多个内部银行并行操作以及低功耗模式。这些特性使得该存储器能够在高效率和低能耗之间取得良好的平衡。

    技术参数


    - 电压范围:
    - VDD: 1.7~1.95V
    - VDDQ: 1.7~1.95V
    - 数据宽度:
    - x16 / x32
    - 时钟频率:
    - 200MHz(-5),166MHz(-6),133MHz(-75)
    - 刷新周期:
    - 64ms
    - I/O 特性:
    - 双倍数据率
    - 差分时钟输入(CK 和 CK)
    - 双向数据选通(DQS)
    - CAS 延迟:
    - 2 和 3
    - 突发长度:
    - 2、4、8 和 16
    - 突发类型:
    - 顺序或交错
    - 存储容量:
    - 128Mb
    - 工作温度范围:
    - 扩展级:-25°C ~ +85°C
    - 工业级:-40°C ~ +85°C

    产品特点和优势


    1. 低功耗功能:
    - 部分数组自刷新(PASR)
    - 自动温度补偿自刷新(ATCSR)
    - 深度电源下电模式(DPD)
    2. 多重内部银行:
    - 四个内部银行用于并发操作,增强了系统的灵活性和性能。
    3. 灵活的数据管理:
    - 数据掩码(DM)支持写入数据的掩码功能。
    - 支持双向数据选通(DQS),提高了数据传输的准确性。
    4. 特殊模式支持:
    - 可编程输出缓冲驱动强度,以适应不同的系统需求。
    - 在空闲期间支持时钟停止模式,降低了待机功耗。
    5. 易用性:
    - 接口兼容LVCMOS,易于与其他标准接口设备集成。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    W947D6HB / W947D2HB 主要应用于需要高性能和低功耗的移动设备,例如智能手机和平板电脑。这类设备对存储器的要求较高,不仅需要快速的数据访问能力,还需要在长时间待机时保持低功耗。
    使用建议
    - 低功耗应用: 利用部分数组自刷新(PASR)和自动温度补偿自刷新(ATCSR)功能,可以在保证系统性能的同时降低功耗。
    - 高速数据传输: 采用双倍数据率和多种突发长度设置,可以显著提升数据传输速度。
    - 并发操作: 通过四个内部银行的并发操作,可以有效地隐藏预充电时间,提高系统的整体性能。

    兼容性和支持


    W947D6HB / W947D2HB 支持 x16 和 x32 的数据宽度,可兼容多种系统接口。制造商通常会提供详尽的技术支持文档和测试报告,确保用户能够顺利集成和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何实现部分数组自刷新(PASR)?
    - 答:通过设置相关的Mode Register,用户可以启用PASR功能,从而降低功耗。

    2. 问:如果系统出现频繁的刷新需求,应该怎样处理?
    - 答:在设计时应考虑使用自动刷新命令(Auto Refresh)来确保足够的刷新次数,避免数据丢失。
    3. 问:如果系统需要进入深度电源下电模式(DPD),应该如何操作?
    - 答:用户可以通过发送相应的控制信号进入和退出DPD模式,这有助于大幅降低功耗。

    总结和推荐


    W947D6HB / W947D2HB 以其出色的低功耗特性、高效的并发操作能力和广泛的温度适应性,成为移动设备领域的重要选择。无论是对于追求高性能还是长续航的应用,这款存储器都具有明显的优势。推荐将其作为移动设备的关键组件进行选用,尤其是在需要稳定可靠且低功耗的环境中。

W947D6HBHX6E/TRAY参数

参数
接口类型 LVCMOS
存储容量 16MB
最大供电电流 50mA
最大时钟频率 166MHz
最大工作供电电压 1.95V
最小工作供电电压 1.7V
组织 8Mx16
数据总线宽度 16bit
长*宽*高 9mm*8mm*660μm
通用封装 BGA
安装方式 贴片安装

W947D6HBHX6E/TRAY数据手册

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