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W948D6KBHX5I TR

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 1.7V 1.95V 200MHz Parallel 贴片安装,黏合安装
供应商型号: 454-W948D6KBHX5ITR
供应商: Mouser
标准整包数: 1
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W948D6KBHX5I TR

W948D6KBHX5I TR概述

    W948D6KBHX 256Mb Mobile LPDDR 技术手册

    产品简介


    W948D6KBHX 是一款高速低功耗双倍数据率同步动态随机存储器(Low Power DDR SDRAM),旨在通过突发访问模式来实现快速读写操作。每个银行和行选定后,可以按长度为2、4、8或16连续内存位置进行访问。该存储器还支持多种内部自刷新模式和低功耗模式,适用于移动设备等低功耗应用场景。该产品提供16位数据宽度,时钟频率最高可达200MHz,并具有多个内部银行以实现并发操作。

    技术参数


    - 电压范围:VDD = 1.7~1.95V,VDDQ = 1.7~1.95V
    - 数据宽度:x16
    - 时钟速率:200MHz(-5),166MHz(-6)
    - 温度范围:
    - 扩展级:-25°C ≤ TCASE ≤ 85°C
    - 工业级:-40°C ≤ TCASE ≤ 85°C
    - 模式寄存器:
    - 突发长度:2、4、8和16
    - 突发类型:顺序或交错
    - CAS延迟:2和3
    - 刷新周期:8K刷新周期/64毫秒
    - 接口:LVCMOS兼容
    - 封装:60球VFBGA

    产品特点和优势


    W948D6KBHX 采用了先进的低功耗设计,具备以下特点和优势:
    - 部分阵列自刷新(PASR) 和 自动温度补偿自刷新(ATCSR) 提高了能效和稳定性。
    - 四个内部银行 支持并发操作,提升了系统性能。
    - 数据掩码(DM) 功能确保了数据完整性。
    - 双倍数据率 输出提高了数据传输速度。
    - 电源管理功能 如功率下降模式(Power Down Mode)和深度功率下降模式(Deep Power Down Mode)进一步节省能耗。
    - 支持200MHz和166MHz两种时钟速率,适用范围广泛。

    应用案例和使用建议


    W948D6KBHX 可广泛应用于移动设备、智能手机和平板电脑等领域。由于其高性能和低功耗特性,尤其适合需要高效存储和处理大量数据的应用场景。
    使用建议:
    - 选择适当的电源电压:确保电压在1.7V到1.95V之间,以保证正常运行。
    - 合理配置模式寄存器:根据应用需求设置突发长度、CAS延迟等参数,以优化性能。
    - 利用数据掩码(DM)功能:在写入数据时,确保正确配置DM信号以防止数据丢失。
    - 监控温度:在高温环境下使用时,确保启用自动温度补偿自刷新(ATCSR)功能。

    兼容性和支持


    W948D6KBHX 的封装类型为60球VFBGA,适用于多种电路板布局。厂商提供了详细的技术支持和文档资料,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:设备无法启动
    - 解决方案:检查电源电压是否在1.7V到1.95V之间,确保所有连接都正确无误。

    - 问题:读写速度慢
    - 解决方案:重新配置模式寄存器中的突发长度和CAS延迟,尝试优化性能。

    - 问题:设备过热
    - 解决方案:启用自动温度补偿自刷新(ATCSR)功能,并考虑增加散热措施。

    总结和推荐


    W948D6KBHX 是一款出色的低功耗双倍数据率同步动态随机存储器,具有高度可配置性和低功耗特性,适用于各种移动设备和消费电子产品。其卓越的性能和广泛的温度适应性使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐用于需要高效存储和处理数据的应用场合。
    本文通过对W948D6KBHX的产品特性、技术参数、使用场景等方面的详细介绍,展示了这款产品的优越性能和广泛应用前景。希望本文能够帮助读者更好地了解和使用这款产品。

W948D6KBHX5I TR参数

参数
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 -
最大供电电流 -
最大时钟频率 200MHz
最大工作供电电压 1.95V
最小工作供电电压 1.7V
组织 -
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

W948D6KBHX5I TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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W948D6KBHX5I TR封装设计

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