处理中...

首页  >  产品百科  >  W631GU6NB-11 TR

W631GU6NB-11 TR

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 933MHz Parallel 贴片安装,黏合安装
供应商型号: 454-W631GU6NB-11TR
供应商: Mouser
标准整包数: 1
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W631GU6NB-11 TR

W631GU6NB-11 TR概述

    # 高质量文章:W631GU6NB DDR3L SDRAM 技术手册

    产品简介


    W631GU6NB 是一款高性能 DDR3L SDRAM,其容量为 1Gb(即 8,388,608 字 × 8 银行 × 16 位)。这款内存芯片旨在实现高达 2133 MT/s 的高速传输率,适用于各种应用。该产品根据其速度等级分为不同的型号,包括 DDR3L-2133(14-14-14)、DDR3L-1866(13-13-13)、DDR3L-1600(11-11-11)和 DDR3L-1333(9-9-9)。其中,“9-9-9” 表示最低时序配置,而“14-14-14”则代表最高时序配置。
    主要功能
    - 双倍数据速率架构:每个时钟周期可进行两次数据传输。
    - 八个内部银行,可实现并发操作。
    - 8 位预取架构。
    - 支持多种 CAS 时序设置。
    - 可编程读突发顺序。
    - 异步复位功能。
    - 支持 ZQ 校准。
    - 动态片上终止(ODT)功能。
    应用领域
    W631GU6NB DDR3L SDRAM 广泛应用于计算机、服务器、嵌入式系统及移动设备等需要高带宽和低延迟的领域。

    技术参数


    以下是 W631GU6NB DDR3L SDRAM 的关键技术参数:
    - 工作电压: 1.35V(典型值),VDD 和 VDDQ 范围为 1.283V 至 1.45V。
    - 最大频率:
    - DDR3L-2133: 1066 MHz
    - DDR3L-1866: 933 MHz
    - DDR3L-1600: 800 MHz
    - DDR3L-1333: 667 MHz
    - 时序参数:
    - tAA (Internal Read Command to First Data): 13.09 ns 至 20 ns
    - tRCD (ACT to internal read/write delay): 13.09 ns 至 20 ns
    - tRP (PRE command period): 13.09 ns 至 20 ns
    - tRC (ACT to ACT/REF command period): 46.09 ns 至 47.91 ns
    - tRAS (ACT to PRE command period): 33 ns 至 36 ns
    - tDAL (Auto Precharge Write Recovery + Precharge Time): 最小值取决于 tRP 和 tWR
    - tZQinit (ZQ 校准时间): 512 ns 至 640 ns
    - tZQCS (短校准时间): 64 ns 至 80 ns

    产品特点和优势


    W631GU6NB DDR3L SDRAM 具有如下独特功能和优势:
    - 高速传输: 支持高达 2133 MT/s 的传输速率,满足高速应用需求。
    - 高稳定性: 宽泛的工作温度范围(工业级为 -40°C 至 95°C,工业加强级为 -40°C 至 105°C),确保稳定可靠的操作。
    - 可编程模式寄存器: 支持多种功能和模式的配置,提供极大的灵活性。
    - 兼容性: 兼容 DDR3 和 DDR3L 两种标准,方便系统升级和迁移。
    - 优化信号完整性: 动态片上终止(ODT)功能提高数据传输质量。

    应用案例和使用建议


    W631GU6NB DDR3L SDRAM 可用于各种高端应用,如计算机内存条、服务器、图形卡和高性能计算系统。例如,在服务器领域,它可以用于提升缓存系统的速度和容量;在嵌入式系统中,可以提高系统处理能力和数据吞吐量。
    使用建议
    1. 初始化和复位: 确保在首次使用前正确执行初始化和复位序列。
    2. 电源管理: 注意电源电压和时序要求,避免因电压波动导致性能下降。
    3. 散热管理: 针对不同的工作温度范围,采取适当的散热措施以保证最佳性能。
    4. 信号完整性: 使用动态片上终止(ODT)来优化信号完整性,减少数据传输错误。

    兼容性和支持


    W631GU6NB DDR3L SDRAM 可与多种不同类型的电子元件和系统兼容,包括其他 DDR3L 和 DDR3 SDRAM 设备。制造商提供详细的开发支持文档和技术服务,确保用户能够高效地进行系统集成和调试。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 初次启动时需要执行什么初始化步骤?
    - A: 在启动前,必须先完成电源启动和初始化过程。这包括维持 RESET# 低于 0.2 VDD,至少 200 微秒后才能拉高。随后,等待 500 微秒直到 CKE 激活。

    2. Q: 如何处理电压转换?
    - A: 在不同工作电压范围内切换时,需要按照规定程序重置和重新锁定 DLL,确保系统正常运行。具体转换流程见手册第 11.4 节。
    3. Q: 如何执行 ZQ 校准?
    - A: 在系统进入 Self Refresh 模式之前,需先执行 ZQCL 命令进行初始校准。之后每隔一定周期执行 ZQCS 命令进行校准。

    总结和推荐


    W631GU6NB DDR3L SDRAM 在高速度和高可靠性方面表现出色,适用于需要高性能存储的应用场合。其广泛的支持特性、丰富的功能选项和完善的文档使其成为理想的选择。强烈推荐此产品用于需要高速数据传输和稳定操作的应用环境中。
    以上是对 W631GU6NB DDR3L SDRAM 技术手册的内容总结和分析,希望对您有所帮助。如果您有任何疑问或需要进一步的信息,请随时联系我们。

W631GU6NB-11 TR参数

参数
最小工作供电电压 -
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 -
最大供电电流 -
最大时钟频率 933MHz
最大工作供电电压 -
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

W631GU6NB-11 TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) WINBOND/台湾华邦 W631GU6NB-11 TR W631GU6NB-11 TR数据手册

W631GU6NB-11 TR封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ $ 2.289 ¥ 19.3421
库存: 0
起订量: 3000 增量: 1
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
A3T2GF40CBF-HP ¥ 33.8169
A3T4GF40BBF-HP ¥ 39.4531
AQD-D4U8GR24-HE ¥ 935.6359
AS4C128M8D3LA-12BIN ¥ 0
AS4C16M16MSA-6BIN ¥ 50.3755
AS4C16M32SC-7TIN ¥ 138.0705
AS4C2M32D1A-5BIN ¥ 29.9743
AS4C4M16SA-6TINTR ¥ 16.7637
AS4C4M32D1A-5BINTR ¥ 47.4315
AS4C64M16D2A-25BCNTR ¥ 49.3288