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W25N01GVSFIG TR

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 128MB 2.7V 35mA 3.6V 104MHz SPI-Quad I/O SOIC-16 贴片安装,黏合安装 10.31mm*7.49mm*2.31mm
供应商型号: 454-W25N01GVSFIGTR
供应商: Mouser
标准整包数: 1
WINBOND/台湾华邦 闪存(Flash) W25N01GVSFIG TR

W25N01GVSFIG TR概述


    产品简介


    W25N01GVxxxG/T/R 是一款3V 1G-BIT容量的串行单层NAND闪存存储器,具有双通道/四通道SPI接口。这款闪存支持缓冲读取和连续读取模式,适用于多种应用场合。W25N01GV具备高效的数据读写能力,适合用于工业控制、通信系统、存储设备等领域。

    技术参数


    技术规格:
    - 存储容量:1G-BIT
    - 接口类型:SPI (Serial Peripheral Interface)
    - 操作电压范围:3V
    - 封装类型:WSON 8x6-mm, SOIC 300-mil, TFBGA 8x6-mm (5x5或6x4球阵列)
    性能参数:
    - 写保护功能:支持通过状态寄存器进行写保护
    - 锁定功能:支持一次性编程锁定(One Time Program Lock)
    - ECC(错误校正码):支持ECC启用位
    电气特性:
    - 最大操作电压:3.6V
    - 最小操作电压:2.7V
    - 工作温度范围:-40°C至+85°C
    工作环境:
    - 温度范围:-40°C至+85°C
    - 相对湿度:最大95%

    产品特点和优势


    W25N01GVxxxG/T/R的主要特点如下:
    - 高速读写能力:支持双通道/四通道SPI接口,提高了数据传输速率。
    - 缓冲读取和连续读取模式:支持灵活的读取方式,提升了系统的响应速度。
    - 写保护功能:防止数据被意外更改,确保数据的安全性。
    - ECC支持:有效减少数据传输过程中的错误率,提升数据可靠性。
    - 宽温度范围适应性:能够在广泛的温度范围内稳定工作,适用于严苛环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    W25N01GVxxxG/T/R通常应用于需要高可靠性和高性能存储解决方案的场景,如工业控制系统、无线通信模块、物联网设备等。
    使用建议:
    - 在选择工作模式时,根据具体应用场景选择合适的读取模式(缓冲读取或连续读取),以达到最佳性能。
    - 确保供电电压稳定,避免过压或欠压对芯片造成损害。
    - 在需要写保护时,及时启用写保护功能,防止数据被误改。

    兼容性和支持


    兼容性:
    W25N01GVxxxG/T/R支持多种封装类型,可以方便地与其他标准的电子元器件和设备集成使用。通过SPI接口,该芯片可以无缝接入现有的硬件平台中。
    支持和维护:
    供应商提供了详尽的技术手册和软件工具支持,用户可以通过官方渠道获得技术支持和服务,帮助快速解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:无法正常启动
    - 解决方案:检查电源电压是否符合要求,确认正确的引脚配置,并参考技术手册中的复位指令(Device Reset)。

    2. 问题:数据读写错误频发
    - 解决方案:启用ECC功能,确保数据传输的准确性;同时,确认工作温度是否在芯片规定的范围内。

    3. 问题:写保护功能未生效
    - 解决方案:检查相关寄存器设置,确保写保护位已被正确设置为有效状态。

    总结和推荐


    W25N01GVxxxG/T/R是一款高性能的3V 1G-BIT容量串行NAND闪存,具有广泛的应用前景。其支持的双通道/四通道SPI接口、缓冲读取和连续读取模式,以及丰富的保护和配置功能,使其成为众多高可靠性应用的理想选择。强烈推荐在工业控制、通信系统和存储设备中使用此款闪存芯片。

W25N01GVSFIG TR参数

参数
最小工作供电电压 2.7V
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 SPI-Quad I/O
存储容量 128MB
最大供电电流 35mA
最大时钟频率 104MHz
最大工作供电电压 3.6V
长*宽*高 10.31mm*7.49mm*2.31mm
通用封装 SOIC-16
安装方式 贴片安装,黏合安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

W25N01GVSFIG TR数据手册

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W25N01GVSFIG TR封装设计

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