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W25Q128JVEIM TR

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 128Mb (16M x 8) 2.7V 3.6V 133MHz DTR,QPI,SPI-Quad I/O WSON-8-EP 贴片安装,黏合安装
供应商型号: W25Q128JVEIM TR WSON-8-EP(6X8)
供应商: 国内现货
标准整包数: 4000
WINBOND/台湾华邦 闪存(Flash) W25Q128JVEIM TR

W25Q128JVEIM TR概述

    W25Q128JV-DTR 128M-bit Serial Flash Memory 技术手册



    产品简介



    W25Q128JV-DTR 是一款高性能的串行闪存芯片,提供高达128M-bit的存储空间。适用于需要有限空间、引脚和电源的应用场合,例如系统代码阴影化、直接从Dual/Quad SPI执行代码以及存储语音、文本和数据。该设备的工作电压为单电源2.7V至3.6V,待机电流低至1μA,具有极高的性能和灵活性。W25Q128JV-DTR 集成了标准的串行外设接口(SPI)、双/四I/O SPI、四通道外设接口(QPI)以及双倍传输速率(DTR)接口。


    技术参数



    - 存储容量:128M-bit / 16M-byte
    - 供电电压范围:2.7V~3.6V
    - 待机电流:1μA
    - 最大时钟频率:133MHz(SPI),266MHz(Dual SPI),532MHz(Quad SPI)
    - 擦写周期:每个扇区至少100K次
    - 数据保留时间:超过20年
    - 操作温度范围:工业级(-40°C ~ +85°C)


    产品特点和优势



    1. 高密度存储:W25Q128JV-DTR 提供高达128M-bit的存储空间,可以满足复杂应用的需求。
    2. 多种通信协议支持:支持标准SPI、Dual SPI、Quad SPI和QPI,适应不同的应用场景。
    3. 高速读取:最高时钟频率可达133MHz,Quad SPI模式下可达到532MHz,极大提高读取速度。
    4. 灵活的擦除和编程方式:支持4KB、32KB和64KB块擦除,以及芯片级擦除,适合多种应用需求。
    5. 强大的保护机制:具备硬件复位、软件复位以及写保护功能,确保数据安全。


    应用案例和使用建议



    - 嵌入式系统:适用于嵌入式系统中代码的阴影化,如物联网设备、智能家电等。
    - 便携式设备:由于其低功耗特性,适用于电池驱动的便携式设备。
    - 存储扩展:作为主存储器的扩展存储,用于存储大量数据或参数配置。

    使用建议:
    - 在高频率应用中,建议使用Quad SPI或QPI接口以获得更高的读写速度。
    - 对于需要频繁擦写的场景,应确保正确设置写保护以避免误擦写。


    兼容性和支持



    W25Q128JV-DTR 支持标准SPI、Dual SPI、Quad SPI和QPI接口,可轻松与现有的SPI控制器和系统集成。厂商提供了详细的文档和支持,包括技术手册、样例代码和设计指南,帮助用户快速上手。


    常见问题与解决方案



    1. 问题:无法正常初始化设备。
    - 解决方法:检查供电电压是否在2.7V到3.6V之间,确认所有引脚连接正确无误。
    2. 问题:读写速度慢。
    - 解决方法:尝试使用Quad SPI或QPI接口,确保时钟频率达到设备的最大值。
    3. 问题:设备无法进入休眠模式。
    - 解决方法:确认引脚配置正确,特别是需要禁用的引脚,如/HOLD。


    总结和推荐



    W25Q128JV-DTR 是一款非常出色的串行闪存芯片,具有高性能、低功耗和丰富的功能。其多种通信协议的支持和灵活的擦除/编程方式使其适用于多种应用场合。对于需要高效存储解决方案的开发者和制造商,强烈推荐使用此款芯片。

W25Q128JVEIM TR参数

参数
数据总线宽度 -
接口类型 DTR,QPI,SPI-Quad I/O
存储容量 128Mb (16M x 8)
最大供电电流 -
最大时钟频率 133MHz
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.7V
组织 -
通用封装 WSON-8-EP
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

W25Q128JVEIM TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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W25Q128JVEIM TR封装设计

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