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W632GU6NB12I

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 2Gb (128M x 16) 128Mx16 1.283V 210mA 1.45V 800MHz Parallel 16bit VFBGA-96 贴片安装
供应商型号: W632GU6NB12I VFBGA-96(7.5X13)
供应商: 国内现货
标准整包数: 198
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W632GU6NB12I

W632GU6NB12I概述

    W632GU6NB DDR3L SDRAM 技术手册

    产品简介


    W632GU6NB 是一款高性能的DDR3L SDRAM(双倍数据率同步动态随机存取存储器)电子元器件。它具有16M × 8 Banks × 16 Bit的存储容量配置,专为高性能计算、通信设备和其他高带宽需求的应用设计。该器件提供多种操作模式和技术参数,以满足不同应用场合的需求。

    技术参数


    - 存储容量:16M × 8 Banks × 16 Bit
    - 工作电压范围:1.35V ± 0.075V
    - 输入/输出接口:差分时钟(CK - CK#)和差分数据选通(DQS - DQS#)
    - 工作频率范围:1333 MHz 至 2133 MHz
    - 绝对最大额定值:
    - VDD - VSS = 2.2V
    - VDDQ - VSSQ = 2.2V
    - 输入电压不得超过VDD + 0.3V
    - 工作温度范围:-40°C 至 +85°C

    产品特点和优势


    - 低功耗设计:支持自刷新模式(Self-Refresh)和部分阵列自刷新(Partial Array Self Refresh, PASR),从而降低功耗。
    - 高速传输:支持高达2133 MHz的数据传输速率,满足高性能计算对高带宽的需求。
    - 多种配置选项:可通过模式寄存器(Mode Registers)进行配置,支持不同的工作模式和参数调整。
    - 兼容性强:支持多种外部电路配置,适用于广泛的应用场景。

    应用案例和使用建议


    - 通信设备:适用于无线基站、路由器等需要大量缓存和高速数据处理的通信设备。
    - 高性能计算:适合用于服务器、工作站等需要大容量、高速数据访问的系统。
    - 嵌入式系统:可用于各种嵌入式设备,如医疗设备、工业控制等。
    使用建议:
    - 在高频率应用时,确保良好的散热措施,以避免过热引起的性能下降。
    - 调整模式寄存器设置以适应具体的应用需求,例如选择合适的CAS延迟时间(CL)、写恢复时间(WR)等。
    - 配合ZQ校准命令使用,以保持信号完整性并减少噪声。

    兼容性和支持


    - 兼容性:W632GU6NB 兼容现有的DDR3L标准,可以方便地集成到现有系统中。
    - 支持和维护:制造商提供详细的技术文档和客户支持,帮助用户解决使用过程中的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何设置正确的电源电压?
    - 答:确保VDD和VDDQ电压符合规定的1.35V ± 0.075V范围,并且通过电容滤波来稳定电源电压。
    2. 问:出现写入失败的情况怎么办?
    - 答:检查时钟信号是否正确,调整模式寄存器中的相关参数,如CAS延迟时间和写恢复时间(WR)。
    3. 问:如何降低功耗?
    - 答:启用部分阵列自刷新(PASR)和自刷新模式(Self-Refresh),并根据应用需求合理设置模式寄存器。

    总结和推荐


    W632GU6NB 是一款高性能、低功耗的DDR3L SDRAM,特别适合于高带宽需求的高性能计算和通信设备。它的多种配置选项和良好的兼容性使其在多种应用场景中都能表现出色。综上所述,强烈推荐在需要高性能存储器的项目中使用此产品。

W632GU6NB12I参数

参数
组织 128Mx16
数据总线宽度 16bit
接口类型 Parallel
存储容量 2Gb (128M x 16)
最大供电电流 210mA
最大时钟频率 800MHz
最大工作供电电压 1.45V
最小工作供电电压 1.283V
通用封装 VFBGA-96
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 托盘

W632GU6NB12I数据手册

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W632GU6NB12I封装设计

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