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W947D6HBHX5I TR

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 128Mb (8M x 16) 8Mx16 1.7V 55mA 1.95V 200MHz Parallel 16bit BGA 贴片安装,黏合安装 9mm*8mm*660μm
供应商型号: W947D6HBHX5I TR VFBGA-60(8X9)
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W947D6HBHX5I TR

W947D6HBHX5I TR概述

    # W947D6HB / W947D2HB 128Mb Mobile LPDDR 技术手册

    产品简介


    W947D6HB / W947D2HB 是一款高效率低功耗双倍数据速率同步动态随机存取存储器(Low Power Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory, LPDDR SDRAM)。该器件专为移动设备设计,提供了高速度和低功耗的存储解决方案。其主要功能包括支持 burst-oriented 访问模式、多种可编程模式寄存器设置、多银行并发操作、部分数组自刷新和自动温度补偿自刷新等功能。该产品适用于需要高性能和低功耗的移动通信、消费电子和其他便携式设备。
    主要功能:
    - 突发长度:2、4、8 和 16
    - 突发类型:顺序或交错
    - 自动预充电选项
    - 双倍数据速率输出
    - 支持数据掩码(DM)和双向数据选通(DQS)
    - 部分数组自刷新(PASR)和自动温度补偿自刷新(ATCSR)
    - 功耗管理模式(Power Down Mode 和 Deep Power Down Mode)
    应用领域:
    - 移动电话和平板电脑
    - 智能电视和数字家庭设备
    - 便携式媒体播放器和导航设备
    - 工业和车载应用

    技术参数


    以下是 W947D6HB / W947D2HB 的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 值 |

    | 容量 | 128Mb |
    | 供电电压 | VDD = 1.7~1.95V |
    | 数据宽度 | x16 / x32 |
    | 时钟频率 | 200MHz(-5),166MHz(-6),133MHz(-75) |
    | 工作温度范围 | 工业级:-40°C 至 +85°C |
    | 接口类型 | LVCMOS 兼容 |
    | 封装形式 | 60 球 BGA (x16),90 球 BGA (x32) |
    工作模式支持
    - Partial Array Self Refresh (PASR):减少未访问内存区域的刷新次数,降低功耗。
    - Automatic Temperature Compensated Self Refresh (ATCSR):根据温度变化调整刷新频率,确保数据完整性。

    产品特点和优势


    W947D6HB / W947D2HB 在以下几个方面展现了卓越的优势:
    1. 高效率和低功耗:支持多种低功耗模式,如 Power Down Mode 和 Deep Power Down Mode,在保证性能的同时显著降低了能耗。
    2. 灵活的可编程能力:通过编程 Mode Register 可以调节突发长度、延迟周期和数据传输方式,以优化系统性能。
    3. 优异的数据传输能力:支持双倍数据速率输出,提供高效的读写速度。
    4. 宽泛的工作温度范围:工业级温度支持(-40°C 至 +85°C),适应各种严苛环境。
    5. 出色的兼容性:LVCMOS 接口与主流处理器和控制器高度兼容。
    这些特性使 W947D6HB / W947D2HB 成为移动设备的理想选择,能够显著提升设备的整体性能和用户体验。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 智能手机:该器件广泛应用于智能手机中,支持高达 200MHz 的时钟频率,确保流畅的多媒体体验和快速的应用程序响应。
    - 平板电脑:支持大容量存储需求,满足高清视频播放和多任务处理的需求。
    - 汽车娱乐系统:在车载环境下,其工业级温度支持和可靠性使其成为汽车娱乐系统的重要组件。
    使用建议
    1. 优化刷新频率:在功耗敏感的应用中,建议启用 PASR 和 ATCSR,降低不必要的功耗。
    2. 配置突发长度:根据具体应用需求设置合适的突发长度(如 4 或 8),以平衡速度和功耗。
    3. 温度监控:在极端环境中使用时,定期监控温度变化,确保设备稳定运行。

    兼容性和支持


    W947D6HB / W947D2HB 与多种主流处理器和控制器兼容,包括但不限于 Qualcomm Snapdragon 和 MediaTek 处理器。厂商提供全面的技术支持,包括详细的设计指南、参考电路和样片测试服务。

    常见问题与解决方案


    问题 1:如何正确配置 Mode Register?
    解决方案:参考技术手册中的 Mode Register Set 命令(Section 7.3),并按照推荐的配置步骤进行操作。例如,设置突发长度为 8 和延迟周期为 3,可以提高系统性能。
    问题 2:如何降低功耗?
    解决方案:启用 PASR 和 ATCSR 功能,并合理规划设备进入 Power Down 或 Deep Power Down 模式的时间点。
    问题 3:如何确保数据完整性?
    解决方案:启用自动温度补偿自刷新功能(ATCSR),并定期进行刷新检查。

    总结和推荐


    W947D6HB / W947D2HB 是一款高性能、低功耗的 LPDDR 存储器,非常适合现代移动设备和工业应用。其灵活的配置选项、强大的功耗管理和广泛的温度支持使其在市场上具有很高的竞争力。总体而言,我们强烈推荐该产品用于需要高效存储解决方案的项目中。
    如果您正在寻找一款兼具性能和功耗控制的存储器,W947D6HB / W947D2HB 是一个明智的选择。

W947D6HBHX5I TR参数

参数
最大工作供电电压 1.95V
最小工作供电电压 1.7V
组织 8Mx16
数据总线宽度 16bit
接口类型 Parallel
存储容量 128Mb (8M x 16)
最大供电电流 55mA
最大时钟频率 200MHz
长*宽*高 9mm*8mm*660μm
通用封装 BGA
安装方式 贴片安装,黏合安装
应用等级 工业级
零件状态 最后售卖
包装方式 卷带包装

W947D6HBHX5I TR数据手册

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W947D6HBHX5I TR封装设计

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