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W631GG6NB-12 TR

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 1.425V 1.575V 800MHz SSTL_15 贴片安装,黏合安装
供应商型号: 454-W631GG6NB-12TR
供应商: Mouser
标准整包数: 1
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W631GG6NB-12 TR

W631GG6NB-12 TR概述

    W631GG6NB DDR3 SDRAM 技术手册

    1. 产品简介


    W631GG6NB 是一款高性能的DDR3 SDRAM,包含8兆字节(MB)容量,具有8个bank和16位宽的数据路径。这种类型的存储器主要用于高性能计算、服务器、图形处理和其他需要大量快速读写访问的应用场景。

    2. 技术参数


    以下是该产品的关键技术规格:
    - 容量:8M x 8 banks x 16 bit
    - 工作电压:1.5V
    - 时钟频率:DDR3-1333, DDR3-1600, DDR3-1866, DDR3-2133
    - 操作温度范围:商业级(0°C至70°C)
    - 引脚配置:BGA封装,共96个球形引脚
    - 接口类型:单端命令地址信号、差分时钟信号
    - 刷新周期:自动自刷新(ASR)

    3. 产品特点和优势


    W631GG6NB SDRAM 具有多项显著的特点和优势:
    - 高密度存储:8M x 8 banks x 16 bit 的配置提供了大容量存储。
    - 高性能:支持高达 DDR3-2133 的时钟频率,保证了高速的数据传输速率。
    - 低功耗:在多种电源管理模式下,如自刷新和预充电电源关闭模式,可以有效降低功耗。
    - 先进的纠错机制:内置的动态 ODT(On-Die Termination)提供了更好的信号完整性。
    - 兼容性良好:符合 JEDEC 标准,确保与现有系统兼容。

    4. 应用案例和使用建议


    W631GG6NB SDRAM 可广泛应用于高性能计算、图形处理和服务器等领域。例如,在服务器环境中,它可以作为主存储器,提供大量的临时数据存储空间。在图形处理领域,它可以用于显存扩展,提高图像处理速度。
    使用建议:
    - 确保电源稳定,避免电压波动对芯片造成损害。
    - 在使用过程中,注意保持适当的散热措施,以防止过热导致的性能下降。
    - 配置合适的时钟频率和刷新周期,以实现最佳性能和稳定性。

    5. 兼容性和支持


    W631GG6NB SDRAM 兼容多种标准协议和技术,包括DDR3-1333、DDR3-1600、DDR3-1866 和 DDR3-2133。制造商提供详尽的技术文档和支持服务,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方案:
    - 问题:无法正确初始化芯片。
    解决方案:检查电源电压是否稳定,并按照手册中的初始化步骤重新执行。

    - 问题:读写操作出现错误。
    解决方案:调整写恢复时间(Write Recovery)和输出驱动阻抗控制(Output Driver Impedance Control)。

    - 问题:温度过高。
    解决方案:增加散热措施,确保芯片处于规定的操作温度范围内。

    7. 总结和推荐


    综上所述,W631GG6NB DDR3 SDRAM 是一款高性能、高可靠性的存储芯片,特别适用于需要大容量、高速度和低功耗的计算和图形处理应用。该产品的多项优点使其成为市场的热门选择。对于需要高密度存储且对性能有严格要求的应用场合,强烈推荐使用 W631GG6NB。
    通过深入了解该产品的技术规格、特点和应用场景,用户可以更好地利用这一优质存储解决方案,以满足各种复杂的需求。

W631GG6NB-12 TR参数

参数
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 SSTL_15
存储容量 -
最大供电电流 -
最大时钟频率 800MHz
最大工作供电电压 1.575V
最小工作供电电压 1.425V
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

W631GG6NB-12 TR数据手册

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W631GG6NB-12 TR封装设计

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