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W25Q80EWSVIG TR

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 8Mb (1M x 8) 1.65V 1.95V 104MHz SPI VSOP-8 贴片安装
供应商型号: W25Q80EWSVIG TR VSOP-8
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
WINBOND/台湾华邦 闪存(Flash) W25Q80EWSVIG TR

W25Q80EWSVIG TR概述

    W25Q80EW 8M-bit Serial Flash Memory 技术手册



    1. 产品简介



    W25Q80EW是一款8兆位(1M字节)的串行闪存存储器,适用于空间有限且对引脚和功率要求严格的系统。W25Q系列提供超越普通串行闪存设备的灵活性和高性能,特别适合用于代码阴影到RAM、直接执行双/四线SPI(XIP)代码以及存储语音、文本和数据。该设备可在1.65V至1.95V单电源供电下运行,功耗低,最高仅需1mA的活动电流和1µA的待机电流。其所有型号均提供节省空间的封装选项。


    2. 技术参数



    - 存储容量:8M-bit / 1M-byte(1,048,576字节)
    - 页面大小:256字节/页
    - 最小程序/擦除周期:每个扇区10万次
    - 数据保留时间:超过20年
    - 工作电压:1.65V至1.95V
    - 最大电流:活动电流1mA,待机电流<1µA
    - 工作温度范围:-40°C至+85°C
    - 串行接口:标准SPI、双/四线输出和输入SPI、QPI
    - 串行时钟频率:高达104MHz
    - 传输速率:最高可达50MB/s,相当于双线速率208MHz、四线速率416MHz
    - 编程能力:一次可编程1至256字节
    - 扇区擦除:4KB
    - 块擦除:32KB和64KB
    - 擦除/编程暂停与恢复:支持
    - 安全特性:软件和硬件写保护、顶部/底部、4KB补码阵列保护、锁定和特殊OTP阵列保护


    3. 产品特点和优势



    W25Q80EW的显著特点包括高传输速率(最高达50MB/s)、超长的数据保留时间和极低的功耗(仅需1mA)。它还提供了灵活的架构,每个扇区可独立编程和擦除,支持多种接口类型(标准SPI、双/四线SPI和QPI),从而提高了应用的灵活性和效率。此外,该设备拥有先进的安全特性,如软件和硬件写保护、独特的64位序列号和可发现参数(SFDP)寄存器,使得它成为需要高度可靠性的关键应用的理想选择。


    4. 应用案例和使用建议



    W25Q80EW广泛应用于各种需要高存储密度和高速数据传输的应用场景,例如网络通信设备、工业控制、物联网终端设备等。具体使用建议如下:
    - 在低功耗需求的环境中优先使用该设备,因为它具有非常低的待机电流。
    - 利用其高性能的双/四线SPI接口,在数据密集型应用中提高数据吞吐量。
    - 通过设置合适的写保护策略,增强数据的安全性。
    - 考虑到其较高的可靠性,建议在需要长期稳定数据存储的应用中使用。


    5. 兼容性和支持



    W25Q80EW支持标准的制造商和设备识别,符合JEDEC标准,并且可以通过多种接口类型进行操作。供应商Winbond提供了详细的订单信息和支持服务,包括芯片级组件(KGD)和其他定制化支持。如果遇到兼容性问题,可以联系技术支持以获取帮助。


    6. 常见问题与解决方案



    | 问题描述 | 解决方案 |
    |----------|---------|
    | 擦除后数据未正确写入 | 确保进行了正确的写入指令并验证数据。 |
    | 设备不响应命令 | 检查所有引脚连接和电压水平是否正确。 |
    | 写入速度慢 | 尝试降低工作频率或调整时序设置。 |


    7. 总结和推荐



    综上所述,W25Q80EW作为一款高性能、低功耗的串行闪存存储器,在多种应用中表现出色。其强大的安全特性和卓越的性能使其成为诸多应用场景中的理想选择。对于需要高存储密度、高速数据传输和安全性的项目,我们强烈推荐使用这款产品。

W25Q80EWSVIG TR参数

参数
存储容量 8Mb (1M x 8)
最大供电电流 -
最大时钟频率 104MHz
最大工作供电电压 1.95V
最小工作供电电压 1.65V
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 SPI
通用封装 VSOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

W25Q80EWSVIG TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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W25Q80EWSVIG TR封装设计

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