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SIJ186DP-T1-GE3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 5W(Ta),57W(Tc) 20V 3.6V@ 250µA 37nC@ 10 V 1个N沟道 60V 4.5mΩ@ 15A,10V 79.4A 1.71nF@30V 贴片安装
供应商型号: TS-SIJ186DP-T1-GE3
供应商: 海外现货
标准整包数: 3000
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) SIJ186DP-T1-GE3

SIJ186DP-T1-GE3概述

    Vishay Siliconix SiJ186DP N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    SiJ186DP 是 Vishay Siliconix 推出的一款高性能 N-Channel 60V(漏源极)功率 MOSFET。这款产品采用先进的 TrenchFET® Gen IV 技术,具备出色的性能表现,适用于多种应用场景,包括同步整流、初级侧开关、DC/DC 转换器和电机驱动开关。

    技术参数


    以下是 SiJ186DP 的关键技术规格:
    - 漏源电压 (VDS):60V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 持续漏极电流 (TJ = 150°C):
    - TC = 25°C:79.4A
    - TC = 70°C:63.5A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS):25A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):31.25mJ
    - 最大功耗 (TC = 25°C):57W
    - 最大结温 (TJ):-55 至 +150°C
    - 热阻 (RthJA):最大 25°C/W
    - 热阻 (RthJC):最大 2.2°C/W

    产品特点和优势


    SiJ186DP 的主要特点和优势包括:
    - 低 RDS(on) 和 Qg 形状因子 (FOM),适合低功耗应用
    - 针对最低 RDS(on) 和 Qoss FOM 进行调校
    - 100% Rg 和 UIS 测试保证
    - 采用无铅和无卤材料,符合环保标准
    这些特点使得 SiJ186DP 在效率、可靠性和环保方面表现出色,成为电力电子设计的理想选择。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 同步整流:用于提升电源转换器的效率。
    - 初级侧开关:提高直流电源系统的效率。
    - DC/DC 转换器:实现高效的电压转换。
    - 电机驱动开关:用于电动机控制,确保高效运行。
    使用建议
    - 热管理:由于其较高的功耗,建议在使用时配备适当的散热装置以保持稳定运行。
    - 焊接注意事项:由于是无引脚封装,焊接过程中需注意使用适当的温度曲线。
    - 手动焊接不推荐:建议使用回流焊技术进行组装,避免手动焊接损坏组件。

    兼容性和支持


    SiJ186DP 采用了 PowerPAK SO-8L 封装,具有良好的兼容性,可方便地集成到现有的电路设计中。Vishay Siliconix 提供详细的技术支持,包括产品文档、可靠性数据以及在线技术支持服务,以帮助用户顺利使用和维护该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问:如何处理焊接过程中的空焊问题?
    - 答:请确保使用正确的焊接温度曲线,并使用适当的焊接工艺,如回流焊。如果出现空焊问题,建议重新焊接或检查焊接设备设置。

    - 问:如何正确处理热管理问题?
    - 答:使用散热片或风扇等冷却措施,以确保在高功率工作条件下,设备能够有效散热。定期检查散热系统的效能。

    总结和推荐


    SiJ186DP 是一款高性能的 N-Channel 60V MOSFET,具有优秀的低 RDS(on) 和 Qg 特性。它在同步整流、DC/DC 转换器、电机驱动等多个领域展现出卓越的应用能力。Vishay Siliconix 提供了详尽的支持文档和技术支持,确保用户能够充分利用这一产品的潜力。总体而言,SiJ186DP 是一款值得推荐的高质量 MOSFET 产品。

SIJ186DP-T1-GE3参数

参数
最大功率耗散 5W(Ta),57W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.71nF@30V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.5mΩ@ 15A,10V
栅极电荷 37nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 79.4A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.6V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

SIJ186DP-T1-GE3厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

SIJ186DP-T1-GE3数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY SIJ186DP-T1-GE3 SIJ186DP-T1-GE3数据手册

SIJ186DP-T1-GE3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ $ 0.5161 ¥ 4.3865
6000+ $ 0.4856 ¥ 4.1272
9000+ $ 0.464 ¥ 3.9438
12000+ $ 0.4549 ¥ 3.8663
24000+ $ 0.4423 ¥ 3.7597
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