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SQJB02ELP-T1_GE3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.2V@ 250µA 32nC@ 10V 2个N沟道 40V 7.5mΩ@ 6A,10V 30A 1.7nF@20V 贴片安装
供应商型号: 4246808
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) SQJB02ELP-T1_GE3

SQJB02ELP-T1_GE3概述

    Vishay Siliconix SQJB02ELP Automotive Dual N-Channel 40 V MOSFET

    1. 产品简介


    Vishay Siliconix的SQJB02ELP是一款用于汽车应用的双N沟道40 V(D-S)MOSFET,采用TrenchFET®技术制造。该器件具备低导通电阻和高温度稳定性,广泛应用于汽车电子系统、工业自动化设备以及通信基础设施等领域。

    2. 技术参数


    - 电压参数
    - 最大漏源电压 \(V{DS}\): 40 V
    - 额定栅源电压 \(V{GS}\): ±20 V
    - 最大脉冲漏极电流 \(I{DM}\): 120 A
    - 单脉冲雪崩电流 \(I{AS}\): 18 A
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 16.2 mJ
    - 电流参数
    - 漏极连续电流 \(ID\):
    - 25 °C时为30 A
    - 125 °C时为25 A
    - 源极连续电流 \(IS\): 25 A
    - 单脉冲源极电流 \(I{SM}\): 120 A
    - 电阻参数
    - 在 \(V{GS} = 10\) V时,导通电阻 \(R{DS(on)}\):
    - 25 °C时为0.0075 Ω
    - 125 °C时为0.0111 Ω
    - 175 °C时为0.0133 Ω
    - 在 \(V{GS} = 4.5\) V时,导通电阻 \(R{DS(on)}\):
    - 25 °C时为0.0100 Ω
    - 125 °C时为0.0144 Ω
    - 热阻参数
    - 结到环境的热阻 \(R{thJA}\): 85 °C/W
    - 结到外壳(漏极)的热阻 \(R{thJC}\): 5.5 °C/W
    - 绝对最大额定值
    - 结温范围 \(T{J}, T{STG}\): -55至+175 °C
    - 焊接峰值温度: 260 °C

    3. 产品特点和优势


    - 高性能:TrenchFET®技术使得该MOSFET具有低导通电阻和高电流能力。
    - 可靠性:通过AEC-Q101认证,100%经过Rg和UIS测试,确保了高度的可靠性和耐用性。
    - 温度适应性强:能够在宽广的工作温度范围内稳定运行,适用于极端环境条件。
    - 封装优化:PowerPAK SO-8L封装减少了寄生电感,提高了散热效率。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:该器件广泛应用于汽车电机控制、电源管理、逆变器和DC-DC转换器等场合。
    - 使用建议:考虑到其高电流能力和温度稳定性,在设计电路时应充分考虑散热措施,避免过热问题。具体的应用电路设计需根据实际工作条件进行模拟和验证。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET与常见的电路板布局和焊接工艺兼容,适用于多种PCB设计。
    - 支持信息:Vishay提供详尽的技术文档和技术支持,确保用户能够充分利用其性能优势。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:高温环境下MOSFET的导通电阻会增加。
    - 解决方案:使用外部散热器以降低结温,或选择更合适的电路布局以提高散热效果。
    - 问题:器件在启动时出现过高的瞬态电流。
    - 解决方案:使用外部限流电阻或外部缓冲电路来限制瞬态电流,保护器件免受损坏。

    7. 总结和推荐


    SQJB02ELP作为一款高性能、高可靠性的双N沟道40 V MOSFET,特别适合于汽车和工业应用。其卓越的导通电阻、广泛的温度适应范围以及优秀的散热性能使其成为市场上极具竞争力的产品。强烈推荐在需要高可靠性和高效能的场合中使用该器件。

SQJB02ELP-T1_GE3参数

参数
Id-连续漏极电流 30A
栅极电荷 32nC@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7.5mΩ@ 6A,10V
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.7nF@20V
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

SQJB02ELP-T1_GE3厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

SQJB02ELP-T1_GE3数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY SQJB02ELP-T1_GE3 SQJB02ELP-T1_GE3数据手册

SQJB02ELP-T1_GE3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 5.3353
10+ ¥ 4.0419
100+ ¥ 3.6215
500+ ¥ 3.5568
1000+ ¥ 3.4922
5000+ ¥ 3.4922
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