处理中...

首页  >  产品百科  >  SI7460DP-T1-GE3

SI7460DP-T1-GE3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 200W 20V 4V@ 250uA 130nC@ 10V 1个N沟道 60V 12mΩ@ 10V,50A 84A 3.21nF@ 25V 贴片安装 6.15mm*5.15mm*1.04mm
供应商型号: 10B-2547309-4
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) SI7460DP-T1-GE3

SI7460DP-T1-GE3概述

    Vishay Siliconix Si7460DP 技术手册

    产品简介


    Vishay Siliconix 的 Si7460DP 是一款 N-Channel 60V(D-S)快速开关 MOSFET,适用于多种应用场合。它采用了先进的 TrenchFET® 功率 MOSFET 技术,并且搭载了低热阻 PowerPAK® 封装,具有1.07mm的低轮廓设计。这些特性使得 Si7460DP 在高功率密度应用中表现出色,尤其是在空间受限的环境中。

    技术参数


    以下是 Si7460DP 的主要技术规格和性能参数:
    - 额定电压 (VDS):60V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150°C):
    - TA = 25°C 时:18A
    - TA = 70°C 时:14A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):40A
    - 最大功耗 (TA = 25°C):5.4W
    - 热阻 (RthJA):
    - 最大值:23°C/W
    - 静态特性:
    - 门限电压 (VGS(th)):1.0 ~ 3V
    - 开启电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10V 时:0.0096Ω
    - VGS = 4.5V 时:0.012Ω
    - 动态特性:
    - 总栅电荷 (Qg):65 ~ 100nC
    - 上升时间 (tr):16 ~ 25ns

    产品特点和优势


    - 低热阻设计:采用PowerPAK封装,显著提高了散热性能。
    - 环保特性:符合IEC 61249-2-21标准,不含卤素。
    - 高性能开启电阻:提供低至0.0096Ω的开启电阻,适用于高效率应用。
    - 快速开关:具备优异的动态性能,非常适合高频开关电路。

    应用案例和使用建议


    Si7460DP MOSFET在多种应用中表现出色,例如:
    - 直流转换器:适用于需要高效率和紧凑设计的应用。
    - 电源管理系统:由于其低热阻设计,能够在高温环境下保持稳定性能。
    使用建议:
    - 确保使用标准的1英寸×1英寸FR4板进行表面贴装,以保证良好的焊接效果。
    - 覆盖更多铜层可以进一步提高散热性能,但超过0.25平方英寸后效果不再明显。
    - 避免手动焊接,以免损坏无铅组件。

    兼容性和支持


    Si7460DP MOSFET 与标准SO-8封装兼容,可直接替换现有的SO-8封装设备。Vishay Siliconix 提供详细的安装指南和热管理建议,确保最佳性能。

    常见问题与解决方案


    - 问题:无法在PowerPAK SO-8的铜端子上形成焊料凸点
    - 解决方案:确保焊料分布均匀,并使用适当的焊接工艺。
    - 问题:手动焊接导致损伤
    - 解决方案:使用自动焊接设备进行焊接,避免手动操作。

    总结和推荐


    Vishay Siliconix Si7460DP是一款出色的N-Channel MOSFET,以其低热阻、快速开关特性和优异的可靠性,在各种高效率应用中表现出色。尽管其价格可能略高于普通MOSFET,但其在关键应用中的卓越表现使其成为首选产品。我们强烈推荐Si7460DP用于需要高效率和紧凑设计的电源管理应用。
    通过遵循本文提供的建议,您将能够充分利用Si7460DP的全部潜力,从而提高系统的可靠性和效率。

SI7460DP-T1-GE3参数

参数
栅极电荷 130nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 84A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250uA
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 10V,50A
通道数量 1
配置 独立式
最大功率耗散 200W
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.21nF@ 25V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 6.15mm*5.15mm*1.04mm
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

SI7460DP-T1-GE3厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

SI7460DP-T1-GE3数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY SI7460DP-T1-GE3 SI7460DP-T1-GE3数据手册

SI7460DP-T1-GE3封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 16.1076
100+ ¥ 11.2972
108+ ¥ 11.2972
3000+ ¥ 10.3861
库存: 1429
起订量: 14 增量: 1
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 161.07
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0