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SQJ422EP-T1_GE3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 83W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 100nC@ 10 V 1个N沟道 40V 3.4mΩ@ 18A,10V 74A 5nF@20V 贴片安装
供应商型号: 3929261
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) SQJ422EP-T1_GE3

SQJ422EP-T1_GE3概述

    SQJ422EP N-Channel MOSFET 技术概述

    产品简介


    SQJ422EP 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有强大的电流承载能力和优异的热性能。这款 MOSFET 主要用于汽车和其他需要高可靠性、高温度耐受性的场合。其设计采用了先进的 TrenchFET® 技术,使其具备出色的导通电阻和低栅极电荷特性。

    技术参数


    - 额定电压(Drain-Source Voltage): 40V
    - 最大漏源电流(Continuous Drain Current):
    - TC = 25°C 时为 75A
    - TC = 125°C 时为 62A
    - 最大脉冲漏极电流(Pulsed Drain Current): 300A
    - 最大单脉冲雪崩电流(Single Pulse Avalanche Current): 46A
    - 最大单脉冲雪崩能量(Single Pulse Avalanche Energy): 105mJ
    - 最大功耗(Maximum Power Dissipation):
    - TC = 25°C 时为 83W
    - TC = 125°C 时为 27W
    - 热阻(Thermal Resistance):
    - PCB 安装时的结到环境热阻(Junction-to-Ambient PCB Mount):65°C/W
    - 结到外壳(引脚)的热阻(Junction-to-Case (Drain)):1.8°C/W

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 技术: 采用先进的沟槽式技术,显著降低了导通电阻,提升了整体性能。
    2. 可靠性: 通过了 AEC-Q101 认证,确保了在严苛环境下的可靠性和稳定性。
    3. 高耐温性: 能够在高达 175°C 的环境中正常工作,适合汽车及其他工业应用。
    4. 安全性能: 具备过压和过流保护机制,保证了设备的安全运行。

    应用案例和使用建议


    SQJ422EP MOSFET 广泛应用于汽车电源管理、电动车辆驱动系统、工业控制等领域。例如,在电动汽车的电池管理系统中,SQJ422EP 可以作为开关器件,有效地控制电流的通断。
    使用建议
    - 在使用过程中,应注意合理布局 PCB 板,以保证良好的散热性能。
    - 尽量避免在极端温度下长时间工作,以免影响使用寿命。
    - 确保连接线缆有足够的电流承载能力,防止过热现象的发生。

    兼容性和支持


    SQJ422EP MOSFET 使用的是 PowerPAK SO-8L 封装,这使得它易于与其他标准 PCB 设计集成。Vishay 提供详尽的技术文档和支持服务,包括焊接指南和应用示例,帮助用户更好地了解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 如何处理焊接过程中的风险?
    - 由于 PowerPAK SO-8L 是无铅封装,手动焊接不推荐使用,应采用波峰焊或回流焊工艺。
    2. 如何确定最佳工作温度范围?
    - 在典型工作环境下,SQJ422EP 可在 -55°C 到 +175°C 的温度范围内稳定工作。然而,在具体应用中,需根据实际工作条件进行调整。
    3. 如何正确安装?
    - 推荐使用 Vishay 提供的最小焊盘尺寸指导,确保足够的机械强度和散热效果。

    总结和推荐


    SQJ422EP MOSFET 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,适用于需要高功率和高温度耐受性的应用。其卓越的导通特性和耐用性使其在众多领域都有广泛的应用前景。强烈推荐在高要求的汽车电子、工业控制系统以及其他高可靠性需求的应用中使用。
    综上所述,SQJ422EP MOSFET 是一款值得信赖的高性能器件,尤其适用于要求严格的工业和汽车电子应用。

SQJ422EP-T1_GE3参数

参数
配置 独立式
Id-连续漏极电流 74A
Vds-漏源极击穿电压 40V
Rds(On)-漏源导通电阻 3.4mΩ@ 18A,10V
栅极电荷 100nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 83W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5nF@20V
通道数量 1
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

SQJ422EP-T1_GE3厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

SQJ422EP-T1_GE3数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY SQJ422EP-T1_GE3 SQJ422EP-T1_GE3数据手册

SQJ422EP-T1_GE3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 8.8801
10+ ¥ 6.4582
100+ ¥ 5.92
500+ ¥ 5.92
1000+ ¥ 5.8124
5000+ ¥ 5.8124
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