处理中...

首页  >  产品百科  >  SI4102DY-T1-GE3

SI4102DY-T1-GE3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.4W(Ta),4.8W(Tc) 20V 4V@ 250µA 11nC@ 10 V 1个N沟道 100V 158mΩ@ 2.7A,10V 3.8A 370pF@50V SOIC-8 贴片安装
供应商型号: SI4102DY-T1-GE3DKR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) SI4102DY-T1-GE3

SI4102DY-T1-GE3概述

    Vishay Siliconix Si4102DY N-Channel 100 V MOSFET 技术手册

    产品简介


    Si4102DY 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于高频率开关电源领域。它具备卓越的热稳定性和快速响应能力,适用于各种高性能应用场合,如高频升压转换器和液晶电视背光系统。

    技术参数


    - 最大漏源电压:100 V
    - 栅源电压:±20 V
    - 连续漏电流:3.8 A @ 25°C
    - 脉冲漏电流:8 A
    - 零栅源电压漏电流:1 μA
    - 开启状态漏源电阻:0.158 Ω @ 10 V, 0.175 Ω @ 6 V
    - 输入电容:370 pF
    - 输出电容:40 pF
    - 反向传输电容:20 pF
    - 总栅电荷:4.6 nC @ 6 V, 7.1 nC @ 10 V
    - 反向恢复时间:50 ns
    - 反向恢复电荷:75 nC

    产品特点和优势


    - TrenchFET® 功率 MOSFET:利用沟槽结构提高了热稳定性和导通电阻。
    - 100% UIS 测试:确保器件在雪崩条件下具有高度可靠性。
    - 热阻:最高结到环境的热阻为 53°C/W,有效降低器件温升,延长使用寿命。
    - 低漏电流和高阈值电压稳定性:提升开关效率,减少功耗。

    应用案例和使用建议


    - 高频升压转换器:由于其低电阻和高速开关特性,非常适合于要求高效能和高频率的应用。
    - LCD 电视背光系统:通过优化的驱动电路,可以显著提高背光系统的效率和亮度均匀性。

    建议在设计电路时尽量减少线路阻抗,以最大限度地降低功率损耗;同时选择合适的散热措施,保证 MOSFET 在高电流状态下仍能保持稳定运行。

    兼容性和支持


    Si4102DY 采用标准 SO-8 封装,易于集成至多种电路板设计中。Vishay 提供了详尽的技术文档和支持,包括在线技术文档和专家咨询通道,确保客户能够顺利使用该器件。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何避免 MOSFET 在高负载下过热?
    - 解决方法:增加散热片,改善电路板布局,使用更大的散热面积,确保 MOSFET 处于安全工作温度范围内。
    - 问题:如何确定 MOSFET 是否出现损坏?
    - 解决方法:检查漏电流、阈值电压等关键参数是否有异常变化。若发现任何问题,请参考技术手册中的故障排查部分。

    总结和推荐


    Si4102DY N 沟道 100 V MOSFET 集成了卓越的性能和可靠性,适用于需要高频率开关和高性能输出的应用场合。其低导通电阻和高击穿电压特性使其成为众多电力电子设计的理想选择。推荐在高频开关电源和背光系统中使用此器件,以实现更高的效率和更长的使用寿命。
    综上所述,Vishay Siliconix Si4102DY 是一款值得推荐的产品,适用于追求高效能和高可靠性的应用领域。

SI4102DY-T1-GE3参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 2.4W(Ta),4.8W(Tc)
栅极电荷 11nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 158mΩ@ 2.7A,10V
Id-连续漏极电流 3.8A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 370pF@50V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
配置 -
5mm(Max)
4mm(Max)
1.55mm(Max)
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

SI4102DY-T1-GE3厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

SI4102DY-T1-GE3数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY SI4102DY-T1-GE3 SI4102DY-T1-GE3数据手册

SI4102DY-T1-GE3封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 9.0375
库存: 0
起订量: 139 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0