处理中...

首页  >  产品百科  >  SIA449DJ-T1-GE3

SIA449DJ-T1-GE3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Vishay P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=30 V, 10.4 A, SOT-363封装, 表面贴装, 6引脚
供应商型号: TS-SIA449DJ-T1-GE3
供应商: 海外现货
标准整包数: 3000
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) SIA449DJ-T1-GE3

SIA449DJ-T1-GE3概述

    SiA449DJ P-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    SiA449DJ 是由 Vishay Siliconix 生产的一款 P 沟道 30V(D-S)MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款 MOSFET 采用 TrenchFET® 技术,并封装于小型热增强型 PowerPAK® SC-70 封装内。它特别适用于智能手机、平板电脑和其他移动计算设备中的电源管理、充电开关、负载开关及 DC/DC 转换器。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):30V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = -10V,ID = -6A 时为 0.0155Ω 至 0.0200Ω
    - VGS = -4.5V,ID = -5A 时为 0.0185Ω 至 0.0240Ω
    - VGS = -2.5V,ID = -2A 时为 0.0264Ω 至 0.0380Ω
    - 连续漏极电流 (ID):12A(TJ = 25°C)
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - VDS = -15V,VGS = -10V,ID = -10.4A 时为 48nC 至 72nC
    - VDS = -15V,VGS = -4.5V,ID = -10.4A 时为 23.1nC 至 35nC
    - 热阻 (RthJA):最大值为 36°C/W
    - 存储和操作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    SiA449DJ 的主要特点包括:
    - 高效的 TrenchFET® 技术,提供低导通电阻。
    - 热增强型 PowerPAK® SC-70 封装,具备小体积、高散热能力。
    - 额定功率较高,适用于各种高要求的应用场景。
    - 具备 100% RG 测试,确保可靠性和一致性。
    这些特点使其在手机、平板电脑和其他移动设备中具有广泛的应用前景,特别是在需要高效率、紧凑设计和良好散热能力的场合。

    应用案例和使用建议


    SiA449DJ 广泛应用于电源管理、充电开关、负载开关和 DC/DC 转换器等领域。例如,在智能手机的电池管理系统中,它可用于控制充电路径,确保安全高效的充电过程。
    使用建议:
    - 在实际应用中,应根据具体的工作条件和需求选择合适的栅极电压和电流参数。
    - 设计 PCB 布局时,应考虑良好的散热设计,以避免因过热导致性能下降或损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:SiA449DJ 支持表面贴装工艺,并可与多种 FR4 材质的 PCB 板材配合使用。
    - 支持:Vishay 提供详细的技术文档和专业支持,客户可以联系技术支持部门获取更多信息。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    - 问题:焊接过程中出现虚焊现象。
    - 解决方案:遵循 Vishay 官方提供的焊接指南(www.vishay.com/doc?73257),并确保焊接温度和时间控制得当。

    - 问题:在高温环境下性能不稳定。
    - 解决方案:检查散热设计,增加散热片或改善气流设计以确保良好的散热效果。

    总结和推荐


    SiA449DJ 具有优秀的导通电阻、高效能和稳定的性能表现,特别适合于智能手机和平板电脑等便携式设备中的电源管理模块。其独特的设计和高可靠性使其成为市场上同类产品的强有力竞争者。综上所述,推荐在需要高效率、紧凑设计和良好散热能力的场合下使用 SiA449DJ。
    以上是根据 Vishay Siliconix 提供的 SiA449DJ 技术手册编写的综合评估和技术解析。希望本文对您了解和使用该产品有所帮助。

SIA449DJ-T1-GE3参数

参数
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 72nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 12V
最大功率耗散 3.5W(Ta),19W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.14nF@15V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 250µA
通道数量 1
配置 独立式
Id-连续漏极电流 12A
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@ 6A,10V
长*宽*高 2.05mm(长度)*2.05mm(宽度)
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

SIA449DJ-T1-GE3厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

SIA449DJ-T1-GE3数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY SIA449DJ-T1-GE3 SIA449DJ-T1-GE3数据手册

SIA449DJ-T1-GE3封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ $ 0.1708 ¥ 1.4518
6000+ $ 0.1603 ¥ 1.3625
9000+ $ 0.1436 ¥ 1.2209
15000+ $ 0.1402 ¥ 1.1919
24000+ $ 0.1379 ¥ 1.1725
75000+ $ 0.1345 ¥ 1.1434
库存: 9000
起订量: 3000 增量: 1
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 4355.4
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0