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SISS76LDN-T1-GE3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Vishay N沟道MOS管, Vds=70 V, 67.4 A, powerpak 1212-1e 8S封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: 3586062
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) SISS76LDN-T1-GE3

SISS76LDN-T1-GE3概述

    SiSS76LDN N-Channel 70V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    SiSS76LDN 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N-Channel MOSFET,属于TrenchFET® Gen IV 功率 MOSFET 系列。它的主要功能是在直流到直流转换拓扑、总线转换器、同步整流和初级侧开关等领域中发挥作用。这些应用广泛应用于电源管理、计算机服务器、通信基础设施和其他需要高效率和高性能的应用场景。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):70 V
    - 最大漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS = 4.5 V 时:0.00625 Ω
    - 在 VGS = 3.3 V 时:0.0069 Ω
    - 典型总栅极电荷 (Qg):16.5 nC
    - 最大连续漏电流 (ID):67.4 A
    - 封装类型:PowerPAK 1212-8S
    - 工作温度范围:-55°C 到 +150°C

    产品特点和优势


    - 低 RDS x Qg 优值:SiSS76LDN 具有非常低的 RDS x Qg 优值,这使得它在高频开关应用中表现出色,能够显著提高效率。
    - 优化的 RDS x Qoss 优值:通过设计优化,确保了最低的 RDS x Qoss 优值,适用于同步整流和总线转换器等应用。
    - 全面测试:100% 的 Rg 和 UIS 测试保证了产品的质量和可靠性。
    - 无铅无卤素材料:符合环保标准,适用于对环境友好的应用需求。

    应用案例和使用建议


    - DC/DC 转换拓扑:SiSS76LDN 适合用于多种 DC/DC 转换拓扑,如同步整流和总线转换器。这些应用通常要求高效能和稳定性,SiSS76LDN 的低损耗特性和高可靠性能使其成为理想选择。
    - 使用建议:为了充分发挥 SiSS76LDN 的性能,在焊接过程中应遵循 Vishay 提供的焊接曲线指南(www.vishay.com/doc?73257)。手动焊接不推荐用于无引脚组件,建议使用自动化焊接设备。

    兼容性和支持


    - 兼容性:SiSS76LDN 具有高灵活性,可以轻松与其他电子元器件集成。此外,Vishay 提供了详尽的技术文档和客户支持,帮助用户顺利应用和维护产品。
    - 技术支持:如有技术问题,可联系技术支持团队 pmostechsupport@vishay.com。Vishay 还提供了详细的文档和资源,可以在 Vishay 官方网站(www.vishay.com)找到。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:手动焊接 SiSS76LDN 会损坏产品吗?
    - 解决方案:手动焊接不推荐,应使用自动化焊接设备。详细焊接指南可在 Vishay 官网查找。
    - 问题2:如何确认焊接质量?
    - 解决方案:焊接完成后,检查焊点是否饱满且无虚焊现象。可以通过 X 光检测设备进行确认。

    总结和推荐


    SiSS76LDN N-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET,特别适合于需要高效能和稳定性的应用场合。其低损耗、高效率的特点使其在 DC/DC 转换拓扑、总线转换器、同步整流等领域表现出色。总体来看,SiSS76LDN 是值得推荐的产品。

SISS76LDN-T1-GE3参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.78nF@35V
配置 -
Vgs-栅源极电压 12V
Id-连续漏极电流 67.4A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 6.25mΩ@ 10A,4.5V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V@ 250µA
栅极电荷 33.5nC@ 4.5 V
Vds-漏源极击穿电压 70V
最大功率耗散 4.8W(Ta),57W(Tc)
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

SISS76LDN-T1-GE3厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

SISS76LDN-T1-GE3数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY SISS76LDN-T1-GE3 SISS76LDN-T1-GE3数据手册

SISS76LDN-T1-GE3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10+ ¥ 5.275
100+ ¥ 4.7264
500+ ¥ 4.642
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5000+ ¥ 4.5576
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