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Si4936DY

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2W 20V 18nC@ 10V 30V 37mΩ@ 10V SOP 贴片安装 4.9mm*3.9mm*1.75mm
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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) Si4936DY

Si4936DY概述

    Vishay Siliconix Si4936DY 双 N-通道 30V 功率 MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    Si4936DY 是 Vishay Siliconix 生产的一款高性能双 N-通道 30V 沟槽式功率 MOSFET。这款 MOSFET 主要应用于电源管理、电机控制、负载开关等领域。其采用 SO-8 封装形式,具有出色的导通电阻和低栅极电荷特性,能够显著提高系统效率并降低功耗。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 30 V
    - 导通状态漏源电阻 \( r{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = 10 \text{ V}, ID = 5.8 \text{ A} \): 0.037 Ω
    - \( V{GS} = 4.5 \text{ V}, ID = 4.7 \text{ A} \): 0.055 Ω
    - 连续漏极电流 \( ID \) (TJ = 150°C):
    - \( TA = 25°C \): 5.8 A
    - \( TA = 70°C \): 4.6 A
    - 最大脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 30 A
    - 最大源极电流 \( IS \): 1.7 A
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 30 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150°C):
    - \( TA = 25°C \): 5.8 A
    - \( TA = 70°C \): 4.6 A
    - 最大功率耗散:
    - \( TA = 25°C \): 2 W
    - \( TA = 70°C \): 1.3 W
    - 工作结温和存储温度范围: -55°C 至 150°C
    - 热阻
    - 最大结点至环境热阻 \( R{thJA} \): 62.5 °C/W
    - 静态参数
    - 门限电压 \( V{GS(th)} \): 1 V 至 3 V
    - 栅体泄漏电流 \( I{GSS} \): -100 nA (VDS = 0 V, VGS = ±20 V)
    - 零门电压漏极电流 \( I{DSS} \):
    - \( V{DS} = 30 V \): 1 μA
    - \( V{DS} = 30 V, TJ = 55°C \): 25 μA
    - 导通状态漏极电流 \( I{D(on)} \): 20 A (VDS ≤ 5 V, VGS = 10 V)
    - 动态参数
    - 总门电荷 \( Qg \): 18 nC 至 25 nC
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): 4.5 nC
    - 栅漏电荷 \( Q{gd} \): 2.5 nC
    - 开启延时时间 \( t{d(on)} \): 10 ns 至 16 ns
    - 上升时间 \( tr \): 10 ns 至 16 ns
    - 关闭延时时间 \( t{d(off)} \): 27 ns 至 40 ns
    - 下降时间 \( tf \): 24 ns 至 35 ns
    - 源漏二极管反向恢复时间 \( t{rr} \): 45 ns 至 80 ns (IF = 1.7 A, di/dt = 100 A/μs)

    3. 产品特点和优势


    - 高效能: Si4936DY 具有极低的导通电阻,这有助于减少功率损耗,提高系统效率。
    - 宽工作温度范围: 能够在 -55°C 至 150°C 的范围内稳定工作,适用于多种恶劣环境。
    - 快速开关特性: 低门电荷和快速的开关时间使其适合高频率应用。
    - 无铅无卤素设计: 符合 RoHS 标准,环保且安全。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 用于开关电源中的高效功率转换。
    - 作为电机驱动电路中的功率开关。
    - 在负载开关应用中提供高效的开关控制。
    使用建议:
    - 确保电路设计中留有足够的散热措施,特别是在高功率应用中。
    - 根据具体应用需求选择合适的驱动电路,以充分发挥其快速开关特性。

    5. 兼容性和支持


    Si4936DY 支持标准 SO-8 封装,易于与其他常用电路板组件兼容。Vishay Siliconix 提供全面的技术支持和维护服务,包括详细的 SPICE 模型和可靠性数据。对于有关封装和可靠性信息,请访问 [Siliconix 官网](http://www.Siliconix.com/www/product/spice.htm)。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: Si4936DY 是否适用于高温环境?
    - 解答: Si4936DY 可以在 -55°C 至 150°C 的范围内工作,适合高温应用。
    - 问题2: 如何优化其开关速度?
    - 解答: 使用低门电荷驱动电路可以有效提高开关速度。同时,确保驱动电压和门电阻的匹配。
    - 问题3: 如何处理散热问题?
    - 解答: 增加适当的散热器或使用散热基板(如铝基板)来增强散热效果。

    7. 总结和推荐


    Si4936DY 双 N-通道 30V 功率 MOSFET 是一款高效的电力电子器件,具有低导通电阻、宽工作温度范围和快速开关特性。这些特点使得它成为各种高效率应用的理想选择。推荐在需要高效功率转换和低功耗的应用中使用 Si4936DY。

Si4936DY参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 2
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
配置 -
栅极电荷 18nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 37mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 2W
长*宽*高 4.9mm*3.9mm*1.75mm
通用封装 SOP
安装方式 贴片安装

Si4936DY厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

Si4936DY数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY Si4936DY Si4936DY数据手册

Si4936DY封装设计

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