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SI4425BDY-T1-E3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1.5W(Ta) 20V 3V@ 250µA 100nC@ 10 V 1个P沟道 30V 12mΩ@ 11.4A,10V 8.8A SOIC-8 贴片安装
供应商型号: UA-SI4425BDY-T1-E3
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) SI4425BDY-T1-E3

SI4425BDY-T1-E3概述

    Vishay Siliconix Si4425BDY P-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    Vishay Siliconix 的 Si4425BDY 是一款 P-沟道 MOSFET,具有以下基本特点:
    - 产品类型:P-沟道 MOSFET
    - 主要功能:作为开关器件用于负载切换
    - 应用领域:笔记本电脑、台式电脑中的负载开关

    2. 技术参数


    Si4425BDY 的技术参数如下:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - -30 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±10 ±20 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | -11.4 -8.8 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - -50 | A |
    | 最大功耗 | PD | 2.5 1.5 | W |
    | 静态栅阈电压 | VGS(th) | -1.0 -3.0 | V |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS | -1 -5 | µA |
    | 开态漏极电流 | ID(on) | -50 A |
    | 开态漏源电阻 | RDS(on) | 0.010 | 0.012 | 0.019 | Ω |

    3. 产品特点和优势


    Si4425BDY 的主要特点和优势包括:
    - 无卤素设计:符合 IEC 61249-2-21 定义
    - 先进的高密度单元工艺:采用 Vishay 的 TrenchFET® 技术
    - RoHS 合规:符合 RoHS 2002/95/EC 指令
    - 高耐热性能:可承受高达 150°C 的工作温度
    - 低导通电阻:在多种电压和电流条件下保持低阻值,减少能耗

    4. 应用案例和使用建议


    Si4425BDY 主要应用于笔记本电脑和台式电脑的负载开关。以下是其实际应用的一些使用建议:
    - 负载开关设计:在设计负载开关时,考虑到 Si4425BDY 的低导通电阻,可以有效降低功耗和发热。
    - 热管理:由于其高耐热性能,可在高温环境下稳定工作,但应注意适当的散热设计以确保最佳性能。
    - 电路保护:在极端条件下(如电压突变),建议添加外部保护电路,以防器件损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:Si4425BDY 可与标准 SO-8 封装兼容,便于安装和更换。
    - 支持和维护:Vishay 提供详细的技术文档和支持,用户可以通过官方网站获得详细的规格书和技术资料。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:工作温度超出范围
    - 解决方案:检查电路设计,确保所有组件的工作温度都在允许范围内。
    - 问题:漏电流过高
    - 解决方案:检查栅源电压是否正确设置,确保 VGS 在规定范围内。

    7. 总结和推荐


    总结:Si4425BDY 以其低导通电阻、高耐热性能和无卤素设计,成为笔记本电脑和台式电脑中负载开关的理想选择。其在高电流和高温条件下的稳定性能使其在市场上具有较强的竞争力。
    推荐:鉴于 Si4425BDY 的高性能和广泛的适用性,强烈推荐在需要高效能和高可靠性的负载开关应用中使用此器件。

SI4425BDY-T1-E3参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 1.5W(Ta)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Id-连续漏极电流 8.8A
栅极电荷 100nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个P沟道
通道数量 1
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 11.4A,10V
5mm(Max)
4mm(Max)
1.75mm(Max)
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

SI4425BDY-T1-E3厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

SI4425BDY-T1-E3数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY SI4425BDY-T1-E3 SI4425BDY-T1-E3数据手册

SI4425BDY-T1-E3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.535 ¥ 4.4833
309+ $ 0.5313 ¥ 4.4519
946+ $ 0.5238 ¥ 4.389
2466+ $ 0.5075 ¥ 4.2529
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