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SQJA38EP-T1_GE3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 60 A, PowerPAK SO-8L封装, 表面贴装, 6引脚
供应商型号: 10B-3128857-46
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) SQJA38EP-T1_GE3

SQJA38EP-T1_GE3概述

    Vishay Siliconix SQJA38EP N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    Vishay Siliconix 的 SQJA38EP 是一款适用于汽车应用的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。其额定电压为40V(漏源电压),可处理高达60A的连续漏极电流,适合在高功率和高温环境下工作。作为一款TrenchFET®功率MOSFET,SQJA38EP具备卓越的热稳定性和可靠性,符合AEC-Q101标准,适用于汽车、工业和消费电子产品等多种应用领域。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS):40V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 最大漏极电流 (ID):60A (TC = 25°C)
    - 持续工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 +175°C
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):220A
    - 最大单脉冲雪崩电流 (IAS):29A
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS):42mJ
    - 最大耗散功率 (PD):68W (TC = 25°C)
    - 输入电容 (Ciss):2839至3900pF (VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1MHz)
    - 输出电容 (Coss):888至1250pF
    - 反向传输电容 (Crr):27至40pF
    - 总栅极电荷 (Qg):48.2至75nC (VGS = 10V, VDS = 20V, ID = 1A)
    - 上升时间 (tr):5至10ns
    - 反向恢复时间 (trr):39至80ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr):46至95nC

    3. 产品特点和优势


    - 高效能:低导通电阻 (RDS(on)),可在不同电压下实现高效的电源转换。
    - 高可靠性:通过100%的Rg和UIS测试,确保长期稳定运行。
    - 宽工作温度范围:-55°C 至 +175°C,适合各种极端环境条件。
    - 快速开关特性:优秀的动态特性,适用于高频电路设计。
    - AEC-Q101认证:满足汽车行业严格的可靠性和质量要求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电动汽车(EV)电池管理系统:利用其低导通电阻和高功率处理能力,适用于高压电池管理和保护。
    - LED驱动器:其低导通电阻可以降低损耗,提高整体效率。
    - 直流电机控制:其高可靠性使其适合恶劣的工作环境,如工业自动化和机器人。
    使用建议:
    - 在安装时,确保焊盘设计符合推荐的最小焊盘尺寸(详见图表),以保证良好的热传导。
    - 尽量避免手动焊接,推荐使用回流焊接工艺,以确保良好的电气连接。

    5. 兼容性和支持


    - 封装兼容性:PowerPAK SO-8L 封装,适合标准PCB设计。
    - 技术支持:若在使用过程中遇到任何问题,可联系 Vishay Siliconix 客户支持(automostechsupport@vishay.com)获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:能否手动焊接?
    - A:不建议手动焊接,推荐使用回流焊接工艺。
    - Q:如何确保良好的电气连接?
    - A:使用推荐的焊盘设计和回流焊接工艺,确保所有引脚与PCB板良好接触。
    - Q:如何处理散热问题?
    - A:使用大尺寸铜箔并采用有效的散热设计,确保散热片与散热器有效接触,降低热阻。

    7. 总结和推荐


    Vishay Siliconix 的 SQJA38EP N-Channel MOSFET 是一款性能卓越且应用广泛的功率MOSFET。其出色的耐高温能力和高效的电源转换能力使其成为多种工业和汽车应用的理想选择。强烈推荐在需要高性能和高可靠性的场合使用该产品。
    注意:本手册内容仅供参考,具体操作请严格遵循制造商的指南和建议。

SQJA38EP-T1_GE3参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 40V
Rds(On)-漏源导通电阻 3.9mΩ@ 10A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 60A
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 68W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V@ 250µA
栅极电荷 75nC@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.9nF@25V
长*宽*高 5mm(长度)
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

SQJA38EP-T1_GE3厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

SQJA38EP-T1_GE3数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY SQJA38EP-T1_GE3 SQJA38EP-T1_GE3数据手册

SQJA38EP-T1_GE3封装设计

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