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SIHH26N60EF-T1-GE3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 202W(Tc) 30V 4V@ 250µA 120nC@ 10 V 1个N沟道 600V 141mΩ@ 13A,10V 24A 2.744nF@100V PPAK 贴片安装
供应商型号: 78-SIHH26N60EF-T1GE3
供应商: Mouser
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) SIHH26N60EF-T1-GE3

SIHH26N60EF-T1-GE3概述

    Vishay Siliconix SiHH26N60EF Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    Vishay Siliconix SiHH26N60EF 是一款采用 E 系列技术的高性能功率 MOSFET,具有超低栅极电荷(Qg)和低导通电阻(RDS(on)),适用于各种高效率电源转换和工业控制应用。该器件为无铅(Pb-free)设计,符合严格的环保标准。其内置快恢复二极管,在开关电源应用中表现出色。

    技术参数


    以下是 SiHH26N60EF 的关键技术和性能参数:
    - 最高电压:650V
    - 漏极电流(连续):24A(TC=25°C)
    - 漏极电流(脉冲):67A
    - 最大功率耗散:202W
    - 漏极-源极通态电阻(典型值):0.123Ω(VGS=10V)
    - 总栅极电荷(最大值):120nC
    - 反向恢复时间(最大值):292ns
    - 最大结温:150°C
    - 封装形式:PowerPAK® 8 x 8

    产品特点和优势


    1. 完全无铅(Pb-free):符合现代环保标准,有助于减少环境污染。
    2. 低栅极电荷:典型值仅为 80nC,降低了驱动损耗,提高效率。
    3. 低导通电阻:典型值为 0.123Ω(VGS=10V),提供高效的电流通道,降低功耗。
    4. 集成快恢复二极管:显著提高了电路的整体可靠性。
    5. 增强的热性能:快速的热传导能力,确保在高温环境下稳定运行。
    6. 宽工作温度范围:可在 -55°C 到 +150°C 的温度范围内正常工作,适应恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 服务器和电信电源:SiHH26N60EF 高效地管理电源转换,适用于高可靠性要求的应用。
    2. 开关模式电源(SMPS):适用于高频电源转换场合,能够显著提升系统效率。
    3. 高密度照明系统:特别适合于 HID 和荧光灯系统的高效控制。
    4. 工业设备:如焊接机、感应加热装置、电机驱动器、电池充电器等,SiHH26N60EF 可以提供稳定的电力供应和控制。
    使用建议
    - 在设计过程中要确保 PCB 布局尽量减小寄生电感和泄漏电感的影响。
    - 使用大面积接地层来提高散热性能。
    - 尽可能选择合适的驱动器和保护电路,以避免因过高的栅极驱动而引起的损坏。
    - 在进行长时间的高电流操作时,注意散热措施以防止热应力。

    兼容性和支持


    SiHH26N60EF 与其他 Vishay 的产品高度兼容,提供了广泛的工业级技术支持。如有任何技术问题,请联系 Vishay 官方技术支持团队。文档提供了详细的连接图和测试电路,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:启动时栅极出现振荡
    - 解决方法:在栅极添加阻尼电阻或并联电容,以平滑栅极波形。

    2. 问题:散热不良导致过热
    - 解决方法:增加散热片,改善 PCB 散热路径,使用热界面材料。

    3. 问题:栅极-源极电压不够
    - 解决方法:确保驱动电路输出足够的电压,检查电源线和接地连接。

    总结和推荐


    SiHH26N60EF 是一款出色的功率 MOSFET,结合了高效能、低损耗和高可靠性等特性。它适用于多种工业和商业应用,特别是在需要高效率和高可靠性的场合。强烈推荐将其用于服务器电源、电信电源、LED 照明和工业控制系统等领域。对于追求高性能电源转换和可靠的电力管理的工程师来说,SiHH26N60EF 是一个理想的选择。

SIHH26N60EF-T1-GE3参数

参数
Id-连续漏极电流 24A
最大功率耗散 202W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 141mΩ@ 13A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 600V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.744nF@100V
栅极电荷 120nC@ 10 V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 30V
通用封装 PPAK
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

SIHH26N60EF-T1-GE3厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

SIHH26N60EF-T1-GE3数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY SIHH26N60EF-T1-GE3 SIHH26N60EF-T1-GE3数据手册

SIHH26N60EF-T1-GE3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 7.797 ¥ 65.8846
10+ $ 5.698 ¥ 48.1481
25+ $ 5.0436 ¥ 42.6184
100+ $ 4.4496 ¥ 37.5991
250+ $ 4.1688 ¥ 35.2264
500+ $ 3.8535 ¥ 32.5621
1000+ $ 3.654 ¥ 30.8763
3000+ $ 3.5175 ¥ 29.7229
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