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SIHP12N60E-GE3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 147W(Tc) 30V 4V@ 250µA 58nC@ 10 V 1个N沟道 600V 380mΩ@ 6A,10V 12A 937pF@100V TO-220AB 通孔安装
供应商型号: H-SIHP12N60E-GE3
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) SIHP12N60E-GE3

SIHP12N60E-GE3概述

    SiHP12N60E Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    SiHP12N60E 是 Vishay Siliconix 生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种 MOSFET 被广泛应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明等领域。此外,它还适用于工业应用如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器、可再生能源系统和太阳能逆变器。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 | 650 | V |
    | 最大漏源电流 | 12 @ 25°C, 7.8 @ 100°C | A |
    | 最大门源电压 | ± 30 | V |
    | 漏源导通电阻 | 0.38 @ 25°C | Ω |
    | 最大门电荷 | 58 | nC |
    | 有效输出电容 | 41 | pF |
    | 热阻 (结至环境) | 62 | °C/W |

    产品特点和优势


    SiHP12N60E 具有多项显著的技术优势:
    - 低栅极电荷 (Qg):有效减少开关损耗。
    - 低输入电容 (Ciss):提高高频性能。
    - 低导通电阻 (RDS(on)):降低导通损耗,提高效率。
    - 雪崩耐受能力 (UIS):能够在高电压环境下可靠工作。

    应用案例和使用建议


    SiHP12N60E 的应用非常广泛,尤其适用于需要高效率和高可靠性的场合。例如,在服务器和电信电源系统中,它可以显著提高电源转换效率。对于照明系统,尤其是高强度放电灯和荧光灯,这款 MOSFET 可以提供稳定的驱动性能。在工业应用方面,如焊接和电机驱动,其强大的过载能力和可靠性使其成为理想选择。
    使用建议:
    - 在高电压和高电流环境下使用时,需注意散热管理,避免温度过高导致性能下降。
    - 为了最大限度地发挥其性能,建议使用适当的栅极驱动电路来控制栅极电荷。

    兼容性和支持


    SiHP12N60E 采用 TO-220AB 封装,具有良好的通用性,易于集成到现有系统中。Vishay Siliconix 提供全面的技术支持,包括产品文档、设计指南以及客户支持服务。此外,产品符合无铅和无卤素标准,适用于环保要求较高的应用场景。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中发热严重 | 改进散热设计,增加散热片面积 |
    | 寿命短 | 检查工作环境,确保符合规格 |
    | 无法达到预期性能 | 校准栅极驱动信号 |

    总结和推荐


    SiHP12N60E 作为一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,具有出色的热稳定性和高效的电力转换能力。无论是用于服务器电源、照明系统还是工业设备,其卓越的性能和可靠性都能满足用户的需求。因此,我们强烈推荐使用这款产品,特别是在对效率和稳定性有较高要求的应用场景中。
    本技术手册由 Vishay Siliconix 提供,产品详细规格及技术支持请联系 Vishay 官方。

SIHP12N60E-GE3参数

参数
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 937pF@100V
最大功率耗散 147W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 600V
配置 独立式
栅极电荷 58nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 12A
Rds(On)-漏源导通电阻 380mΩ@ 6A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
10.41mm(Max)
4.7mm(Max)
9.01mm(Max)
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

SIHP12N60E-GE3厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

SIHP12N60E-GE3数据手册

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SIHP12N60E-GE3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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3000+ ¥ 4.294
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