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SI4848DY-T1-E3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1.5W(Ta) 20V 2V@ 250µA (Min) 21nC@ 10 V 1个N沟道 150V 85mΩ@ 3.5A,10V 2.7A 1nF@ 15V SOIC-8 贴片安装
供应商型号: 31M-SI4848DY-T1-E3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) SI4848DY-T1-E3

SI4848DY-T1-E3概述

    Si4848DY N-Channel 150-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    Si4848DY 是 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有 150 伏特的漏源电压(D-S)。这款 MOSFET 采用先进的 TrenchFET® 技术制造,以确保高效能和高可靠性。主要应用于开关电源、电机驱动、LED 驱动等领域,适用于需要高速开关和低导通电阻的应用场景。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS):150 伏特
    - 栅源电压 (VGS):±20 伏特
    - 最大连续漏电流 (ID):3.7 安培(TA=25°C);3.0 安培(TA=70°C)
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):25 安培
    - 反向恢复时间 (trr):45 纳秒(IF=2.5 安培)
    - 最大功耗 (PD):3.0 瓦(TA=25°C);1.9 瓦(TA=70°C)
    - 静态门阈值电压 (VGS(th)):2.0 伏特(ID=250 微安)
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.085 欧姆(VGS=10V, ID=3.5A);0.095 欧姆(VGS=6.0V, ID=3.0A)

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(on) 仅为 0.085 欧姆(VGS=10V),这使得 Si4848DY 在高频应用中表现出色。
    2. 高耐压能力:150 伏特的漏源电压使其适用于高压电路。
    3. 环保材料:符合 RoHS 指令和无卤素标准,适用于绿色环保产品。
    4. 热阻低:RthJA=35°C/W(稳态),确保良好的散热性能。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:在开关电源设计中,Si4848DY 可以显著提高效率,特别是在高频开关应用中。
    - 电机驱动:在电机驱动应用中,其低导通电阻可以减少功耗,提高系统整体效率。
    - LED 驱动:用于 LED 驱动时,可以提供稳定的电流输出,确保亮度均匀。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应确保散热良好,以防止过热。
    - 设计电路时,考虑 RDS(on) 和 VGS(th) 参数对整体性能的影响,选择合适的 VGS 值。

    兼容性和支持


    - 封装形式:SO-8 封装,适用于表面贴装。
    - 支持服务:Vishay 提供详尽的技术文档和支持,帮助客户更好地理解和应用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:过热保护失效,温度过高。
    - 解决方案:确保电路设计中包含有效的散热措施,如增加散热片或使用大功率散热器。
    - 问题:启动时有较大电流冲击。
    - 解决方案:在电路设计中加入软启动电路,减缓启动过程中的电流上升速度。
    - 问题:导通电阻不稳定。
    - 解决方案:检查电路连接是否正确,确保 VGS 电压在规定范围内。

    总结和推荐


    总体而言,Si4848DY MOSFET 是一款高性能、低功耗、高可靠性的 N 沟道 MOSFET。其低导通电阻和高耐压能力使其在各种工业应用中表现出色。对于需要高频、低损耗的电路设计来说,Si4848DY 是一个非常值得推荐的选择。此外,其环保特性也使其成为现代电子产品设计的理想之选。

SI4848DY-T1-E3参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 85mΩ@ 3.5A,10V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 2.7A
Vds-漏源极击穿电压 150V
最大功率耗散 1.5W(Ta)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1nF@ 15V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA (Min)
通道数量 -
栅极电荷 21nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
5mm(Max)
4mm(Max)
1.75mm(Max)
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

SI4848DY-T1-E3厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

SI4848DY-T1-E3数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3数据手册

SI4848DY-T1-E3封装设计

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