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STQ1HNK60R-AP

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 MDmesh, SuperMESH系列, Vds=600 V, 400 mA, TO-92封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: UA-STQ1HNK60R-AP
供应商: 海外现货
标准整包数: 2000
STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STQ1HNK60R-AP

STQ1HNK60R-AP概述

    # STN1HNK60 和 STQ1HNK60R-AP 高压 N-通道功率 MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    STN1HNK60 和 STQ1HNK60R-AP 是由意法半导体(STMicroelectronics)推出的高电压 N-通道功率 MOSFET,采用 SuperMESH™ 技术,属于 STMicroelectronics 的 PowerMESH™ 优化系列。这些器件专为需要极高耐压和极低导通电阻的应用设计,具备出色的动态特性和高能效表现。两款器件分别提供 SOT-223 和 TO-92(Ammopack) 封装,适合广泛的工业和消费类电子应用。
    主要特点
    - 极高的 dV/dt 能力。
    - 100% 冲击电容测试合格。
    - 最小化栅极电荷,减少开关损耗。
    - 工作电压高达 600V。
    应用领域
    这些器件适用于多种电力转换和控制场景,如:
    - 开关电源设计。
    - 各种负载驱动电路。
    - 工业自动化设备。
    - 汽车电子系统。

    2. 技术参数


    以下是两款器件的关键技术参数汇总:
    | 参数 | 单位 | STN1HNK60(SOT-223) | STQ1HNK60R-AP(TO-92) |
    ||
    | 漏源电压 VDS | V | 600 | 600 |
    | 栅漏电压 VDGR | V | 600 | 600 |
    | 栅源电压 VGS | V | ±30 | ±30 |
    | 连续漏极电流 ID | A | 0.4(TC=25°C),0.25(TC=100°C) | 0.4(TC=25°C),0.25(TC=100°C) |
    | 单脉冲漏极电流 IDM | A | 1.6 | 1.6 |
    | 功耗 PTOT | W | 3.3 | 3.3 |
    | 结温范围 Tj | °C | -55 至 150 | -55 至 150 |
    | 热阻 Rthj-amb | °C/W | 120 | 120 |
    此外,这两款器件还具有极佳的抗雪崩能力和优秀的动态特性,支持在恶劣工作环境中稳定运行。

    3. 产品特点和优势


    特点
    - 超级屏蔽结构:通过 SuperMESH™ 技术,实现了卓越的开关性能和更低的导通电阻。
    - 高可靠性:所有器件均经过严格的 100% 雪崩测试,确保长期可靠性。
    - 低功耗:最小化的栅极电荷有效降低开关损耗。
    - 广泛温度适应性:支持宽广的工作温度范围(-55°C 至 +150°C)。
    优势
    1. 在高频率开关应用中表现出色,适用于要求紧凑设计的场景。
    2. 出色的散热性能和热阻特性,简化了热管理设计。
    3. 易于与现有的电路集成,同时兼容多种封装形式。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用场景
    - 开关电源:利用其低导通电阻和快速开关能力,显著提升效率。
    - 电机驱动:在大电流和高电压下仍能保持稳定的性能。
    - 汽车电子:满足严苛的工作条件,如温度波动和瞬态过电压。
    使用建议
    1. 在高频应用中,尽量优化 PCB 布局以减少寄生电感,从而提高效率。
    2. 选择合适的栅极驱动电阻以平衡开关速度与功耗需求。
    3. 在恶劣环境下运行时,建议加强散热措施并定期监测器件温度。

    5. 兼容性和支持


    这两款器件与主流的 PCB 尺寸完全兼容,且可轻松替换市场上同类产品。意法半导体提供了详尽的技术支持文档和客户服务,包括设计指导、样品申请及定制化解决方案。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开机瞬间出现异常过热现象 | 检查是否因过大的栅极电荷导致开关损耗增加,适当调整栅极电阻值。 |
    | 工作温度超出正常范围 | 确保良好的散热设计,避免热积聚。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    STN1HNK60 和 STQ1HNK60R-AP 是一款高性能、高可靠性的高压功率 MOSFET,特别适合对效率和稳定性要求极高的应用场合。其独特的 SuperMESH™ 技术和全面的电气特性使其在市场上具有极强的竞争优势。
    推荐结论
    强烈推荐用于需要高电压、高效率和稳定性能的电力电子应用。无论是研发阶段还是批量生产,这些器件都是理想的选择。如果您正在寻找一款能够应对复杂电力环境的产品,STN1HNK60 和 STQ1HNK60R-AP 绝对值得考虑。
    版权信息:© 2018 STMicroelectronics – All rights reserved

STQ1HNK60R-AP参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.7V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 600V
Id-连续漏极电流 400mA
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 10nC@ 10 V
配置 独立式
最大功率耗散 3W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 156pF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 8.5Ω@ 500mA,10V
通道数量 1
长*宽*高 9mm(高度)
通用封装 TO-92-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 盒装,卷带包装

STQ1HNK60R-AP厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

STQ1HNK60R-AP数据手册

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STQ1HNK60R-AP封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2000+ $ 0.17 ¥ 1.4246
4000+ $ 0.1663 ¥ 1.3932
10000+ $ 0.1563 ¥ 1.3094
库存: 10000
起订量: 2000 增量: 2000
交货地:
最小起订量为:2000
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