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STH2N120K5-2AG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: 60W(Tc) 30V 4V@ 100µA 5.3nC@ 10 V 1个N沟道 1.2KV 10Ω@ 500mA,10V 124pF@100V H2PAK-2 贴片安装
供应商型号: STH2N120K5-2AG
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STH2N120K5-2AG

STH2N120K5-2AG概述


    产品简介


    STH2N120K5-2AG:高性能N沟道功率MOSFET
    STH2N120K5-2AG 是一款采用MDmesh K5技术制造的高性能N沟道功率MOSFET,专为高效率和高功率密度的应用设计。这款产品适用于开关电源和其他高压转换应用,如太阳能逆变器、电动汽车充电系统及工业电机控制等。

    技术参数


    STH2N120K5-2AG 的关键技术规格如下:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大耐压(VDS) | 1200 | V |
    | 最大漏源导通电阻(RDS(on)) | 7.25 (典型值) | Ω |
    | 连续漏电流(ID) | 1.5 A (TC = 25°C)
    1 A (TC = 100°C) | A |
    | 脉冲漏电流(IDM) | 2.5 A | A |
    | 功耗(PTOT) | 60 W | W |
    | 极限条件 | VGS:±30 V | V |

    产品特点和优势


    1. 行业最低的 RDS(on) x 面积
    2. 业界最佳的 FoM (图腾柱性能指标)
    3. 超低栅极电荷
    4. 100% 冲击电压测试

    应用案例和使用建议


    STH2N120K5-2AG 主要用于高压开关应用,如:
    - 太阳能逆变器
    - 电动汽车充电系统
    - 工业电机控制
    使用建议:
    1. 散热管理:由于较高的功耗,确保良好的散热措施,如安装散热片或使用风冷或水冷系统。
    2. 布局优化:在PCB布局时,尽量缩短功率走线,减少杂散电感。
    3. 电源管理:确保输入电源稳定,避免瞬间电压波动影响器件正常工作。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与标准的H²PAK-2封装兼容,可直接替换同类产品。
    - 支持信息:STMicroelectronics 提供全面的技术支持和售后服务,客户可以通过本地销售办公室获取更多信息。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 设备温度过高 | 确保良好的散热设计和适当的负载 |
    | 开关频率不稳定 | 检查电路中的电容和电感值,调整以达到最佳状态 |
    | 高频操作下性能下降 | 使用合适的滤波电容和电阻,减小噪声干扰 |

    总结和推荐


    STH2N120K5-2AG 是一款极具竞争力的高压功率MOSFET,其卓越的性能和可靠性使其成为高功率密度应用的理想选择。特别是其在高温下的稳定性和出色的动态性能,使得它特别适合在极端环境下运行。强烈推荐此产品给需要高性能、高可靠性的电力电子应用。
    本文档详细介绍了 STH2N120K5-2AG 的各方面特性和应用信息,希望对您的产品选型提供帮助。如需进一步了解或技术支持,请联系您当地的 STMicroelectronics 销售办事处。

STH2N120K5-2AG参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 100µA
最大功率耗散 60W(Tc)
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 124pF@100V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 10Ω@ 500mA,10V
栅极电荷 5.3nC@ 10 V
10.4mm(Max)
9.17mm(Max)
4.7mm(Max)
通用封装 H2PAK-2
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

STH2N120K5-2AG厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

STH2N120K5-2AG数据手册

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STH2N120K5-2AG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 24.395
16+ ¥ 23.5464
17+ ¥ 23.1222
19+ ¥ 22.91
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