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STD12NM50ND

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: 100W(Tc) 25V 5V@ 250µA 30nC@ 10 V 1个N沟道 500V 380mΩ@ 5.5A,10V 11A 850pF@50V TO-252 贴片安装
供应商型号: LM-2807185
供应商: 海外现货
标准整包数: 0
STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STD12NM50ND

STD12NM50ND概述

    STB12NM50ND, STD12NM50ND, STF12NM50ND:高压N沟道功率MOSFET技术手册

    1. 产品简介


    STB12NM50ND、STD12NM50ND和STF12NM50ND是意法半导体(ST)生产的三款高性能N沟道500V高压功率MOSFET。这些产品具有低输入电容和栅极电荷、低栅极输入电阻的特点,适用于开关电源应用。它们采用先进的FDmesh™ II技术,结合MDmesh™特性和快速恢复体二极管,以减少导通电阻并实现快速切换,尤其适合桥式拓扑结构。

    2. 技术参数


    以下是STB12NM50ND、STD12NM50ND和STF12NM50ND的主要技术规格:
    | 参数 | 型号 | 值 | 单位 |

    | 漏源电压 \(V{DSS}\) | STB12NM50ND、STD12NM50ND、STF12NM50ND | 550 | V |
    | 最大漏源电阻 \(R{DS(on)}\) | STB12NM50ND、STD12NM50ND、STF12NM50ND | 0.38 | Ω |
    | 连续漏电流 \(ID\) | STB12NM50ND、STD12NM50ND、STF12NM50ND | 11 | A |
    - 工作温度范围: 存储温度为-55到150℃,工作结温为150℃。
    - 安全工作区域: 绝对最大额定值表详细列出了各项参数,确保使用时不会超出最大限制。
    - 热阻抗: 热阻抗的数据表提供了多种封装类型的散热信息,包括Rthj-case、Rthj-pcb、Rthj-amb的最大热阻。
    - 栅极输入电阻: 为4.5Ω,适用于标准频率和直流偏置条件下的测试信号水平。
    - 转换时间: 各种转换时间的典型值提供了对电路动态行为的深入理解。
    - 反向恢复特性: 包括反向恢复时间和反向恢复电荷等参数,这对于设计高效开关电源至关重要。

    3. 产品特点和优势


    - FDmesh™ II技术: 该技术显著降低了导通电阻,并提升了开关速度,特别适合需要低反向恢复时间的桥式拓扑结构。
    - 高可靠性: 100%雪崩测试验证了产品的耐用性和可靠性。
    - 低输入电容和栅极电荷: 有助于减少开关损耗,提升整体效率。

    4. 应用案例和使用建议


    这些产品广泛应用于各种开关电源应用中,如DC-DC转换器、电机驱动和逆变器。根据测试电路图(图18至图21),可以得出如下使用建议:
    - 电路设计: 在选择合适的栅极电阻(RG)时,要考虑开关时间的影响,从而实现最佳的转换效率。
    - 温度管理: 注意热阻抗数据,选择适当的散热措施以保证长期稳定运行。
    - 保护措施: 设置合理的电流和电压限值,防止器件过载损坏。

    5. 兼容性和支持


    ST为客户提供全面的技术支持,包括在线文档和客户支持服务。此外,该产品与常见的开关电源拓扑结构兼容,可用于广泛的工业应用中。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 高频工作下栅极电压不稳定。
    - 解决方案: 优化栅极电阻(RG)和电容(CG)匹配,以减少高频噪声影响。
    - 问题: 温度过高导致性能下降。
    - 解决方案: 使用散热片或其他散热方法,降低工作结温,提高长期稳定性。
    - 问题: 开关过程中出现异常波形。
    - 解决方案: 确认电路设计无误,检查并调整关键参数,例如栅极驱动强度和负载条件。

    7. 总结和推荐


    STB12NM50ND、STD12NM50ND和STF12NM50ND在开关电源应用中表现出色,其高性能、高可靠性和低成本使其在市场上具有显著竞争力。对于需要高能效和小尺寸的应用,强烈推荐选用这些产品。无论是工业自动化还是消费电子产品,这些器件都能提供卓越的性能和可靠的保障。

STD12NM50ND参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 850pF@50V
Id-连续漏极电流 11A
最大功率耗散 100W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 500V
Rds(On)-漏源导通电阻 380mΩ@ 5.5A,10V
Vgs-栅源极电压 25V
栅极电荷 30nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
通道数量 1
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

STD12NM50ND厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

STD12NM50ND数据手册

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STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STMICROELECTRONICS STD12NM50ND STD12NM50ND数据手册

STD12NM50ND封装设计

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