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STF20NM60D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: 45W(Tc) 30V 5V@ 250µA 37nC@ 10 V 1个N沟道 600V 290mΩ@ 10A,10V 20A 1.3nF@25V TO-220FP 通孔安装 10.4mm*4.6mm*9.3mm
供应商型号: 15D-STF20NM60D
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STF20NM60D

STF20NM60D概述

    # 高质量文章:STF20NM60D - STP20NM60FD - STW20NM60FD 技术手册

    产品简介


    STF20NM60D、STP20NM60FD 和 STW20NM60FD 是来自 ST(意法半导体)的 N 沟道 600V 功率 MOSFET 器件,具有出色的性能和可靠性。这些器件采用了独特的 FDmesh™ 技术,结合了低导通电阻和快速开关性能,且内置了一个高速恢复二极管。它们适用于桥式拓扑结构,尤其是零电压开关相移转换器。
    主要功能
    - 低导通电阻:在典型条件下,导通电阻(RDS(on))小于 0.29Ω。
    - 高电压耐受能力:最大漏源电压(VDS)可达 600V。
    - 快速开关性能:具备低输入电容和栅极电荷,能够实现快速开关。
    - 高可靠性:100% 雪崩测试通过。
    应用领域
    - 开关电源设计
    - 工业自动化设备
    - 通信系统
    - 能源管理系统

    技术参数


    | 参数名称 | STF20NM60D | STP20NM60FD | STW20NM60FD |
    ||
    | 漏源电压 (VDS) | 600V | 600V | 600V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | <0.29Ω | <0.29Ω | <0.29Ω |
    | 持续电流 (ID) | 20A | 20A | 20A |
    | 总功耗 (Ptot) | 192W | 45W | 214W |
    | 峰值恢复电压斜率 | 20V/ns | 20V/ns | 20V/ns |
    | 绝缘耐压 (VISO) | - | 2500V | - |
    | 额定工作温度范围 | -65°C 到 150°C | -65°C 到 150°C | -65°C 到 150°C |

    产品特点和优势


    - 增强的雪崩能力:通过 100% 雪崩测试,确保器件在极端条件下的可靠运行。
    - 优秀的电气性能:低输入电容和栅极电荷使器件具有更快的开关速度。
    - 高制造精度:严格的工艺控制和高良品率保证了产品的稳定性和一致性。
    - 内置快速恢复二极管:显著提高了整体电路的效率和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - ZVS 相移转换器:这类转换器通常需要高电压和低损耗的 MOSFET,STF20NM60D 系列正是理想选择。
    - 工业电机驱动:高电压耐受能力和快速开关性能使得其非常适合用于高压电机驱动电路。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,需要注意器件的最大功耗限制和热阻参数,以避免过热损坏。
    - 在选择封装类型时,应根据具体应用场景的需求来决定,例如 STW20NM60FD 的 TO-247 封装更适合散热要求高的应用。

    兼容性和支持


    - 兼容性:这些器件可与其他标准电子元件和电路板设计兼容,用户可以根据具体需求选择合适的型号。
    - 技术支持:ST 提供详尽的技术文档和支持服务,用户可以通过官方网站获得相关信息。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 器件在高温环境下易损坏 | 确保散热措施得当,监控电路温度并采取适当的散热手段。 |
    | 开机时器件启动时间较长 | 检查电路板布线和元件连接是否正确,确认电路设计满足最小导通时间和延迟时间要求。 |
    | 器件漏电流过大 | 检查栅极电压设置是否合适,确保其符合器件的额定电压范围。 |

    总结和推荐


    综上所述,STF20NM60D 系列功率 MOSFET 器件凭借其出色的电气特性和可靠性能,在各种高电压、高频率的应用中表现优异。强烈推荐给需要高性能 MOSFET 的工程师和设计师们。
    如果您在应用中遇到任何问题,建议查阅 ST 官方文档或联系技术支持获取进一步的帮助。

STF20NM60D参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Id-连续漏极电流 20A
栅极电荷 37nC@ 10 V
最大功率耗散 45W(Tc)
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 290mΩ@ 10A,10V
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.3nF@25V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 600V
长*宽*高 10.4mm*4.6mm*9.3mm
通用封装 TO-220FP
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

STF20NM60D厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

STF20NM60D数据手册

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STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STMICROELECTRONICS STF20NM60D STF20NM60D数据手册

STF20NM60D封装设计

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