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STD100N10F7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 STripFET H7系列, Vds=100 V, 80 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 11M-D-STD100N10F7
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STD100N10F7

STD100N10F7概述

    # 产品介绍:STB100N10F7 N-Channel Power MOSFET

    产品简介


    基本描述
    STB100N10F7是一款高性能N沟道Power MOSFET,采用STripFET™ F7技术,具有非常低的导通电阻(RDS(on)),同时还减少了内部电容和栅极电荷,以实现更快和更高效的开关。该产品提供多种封装形式,包括D2PAK、DPAK、TO-220FP、I2PAK和TO-220,适用于各种电力转换应用。
    主要功能
    - 非常低的导通电阻
    - 优异的品质因数(FoM)
    - 较低的反向转移电容,以提高EMI抗扰度
    - 高雪崩耐受性
    应用领域
    - 开关电源
    - 电机控制
    - 不间断电源(UPS)
    - 工业控制设备

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VDS | 漏源电压 | 100 | V |
    | VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
    | ID | 持续漏极电流(Tc=25°C) | 80 | A |
    | IDM | 脉冲漏极电流 | 320 | A |
    | PTOT | 总耗散功率(Tc=25°C) | 120 | W |
    热阻参数
    | 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | Rthj-case | 结壳热阻 | 1-5 | °C/W |
    | Rthj-amb | 结环境热阻 | 62.5 | °C/W |
    | Rthj-pcb | 结板热阻 | 30-50 | °C/W |
    击穿电压和阈值电压
    | 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | V(BR)DSS | 漏源击穿电压 | ID = 250 μA, VGS = 0 V | 100 | V |

    产品特点和优势


    - 极低的导通电阻,使其在市场上具有显著的竞争优势。
    - 优异的FoM指标,保证高效能转换。
    - 低反向转移电容,有助于增强电磁干扰(EMI)的抗扰度。
    - 高耐压和高雪崩鲁棒性,确保在极端条件下的可靠性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该产品特别适合于需要高效能转换的电力应用,如开关电源、电机控制等。在开关电源设计中,低导通电阻和低电容特性有助于减少能量损失,提高系统效率。
    使用建议
    - 在选择散热方案时,考虑产品的结壳热阻和环境热阻,以确保最佳散热效果。
    - 在实际应用中,需注意最大连续电流和脉冲电流的限制,避免过载。

    兼容性和支持


    兼容性
    STB100N10F7与其配套的D2PAK、DPAK、TO-220FP、I2PAK和TO-220封装完全兼容,方便用户根据具体应用需求选择合适的封装形式。
    支持
    制造商提供了详细的测试电路图和技术文档,可帮助用户更好地理解产品的性能和使用方法。此外,客户可以联系当地的STMicroelectronics销售办公室获取更多技术支持。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 产品的最大连续漏极电流是多少?
    2. 如何计算热阻?
    解决方案
    1. 最大连续漏极电流为80A(Tc=25°C)。在高温条件下会降低,如在100°C下降为62A。
    2. 热阻可以通过产品手册中的热阻参数进行计算。例如,对于DPAK封装,结壳热阻为1.25°C/W。

    总结和推荐


    综合评估
    STB100N10F7是一款性能卓越的N沟道Power MOSFET,具有非常低的导通电阻、优异的FoM和较低的电容特性。这些特性使其在电力转换应用中表现出色,特别适合于开关电源和电机控制系统。
    推荐使用
    基于其优异的性能和广泛的应用范围,我们强烈推荐STB100N10F7用于各种电力转换和控制应用。这款产品不仅具备出色的性能,还提供了丰富的封装选择和良好的技术支持,能够满足不同应用场景的需求。

STD100N10F7参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 8mΩ@ 40A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 120W(Tc)
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 61nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.369nF@50V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 80A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA
6.6mm(Max)
6.2mm(Max)
2.63mm(Max)
通用封装 DPAK,TO-252,TO-252-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

STD100N10F7厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

STD100N10F7数据手册

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STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STMICROELECTRONICS STD100N10F7 STD100N10F7数据手册

STD100N10F7封装设计

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