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STP220N6F7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: 237W(Tc) 20V 4V@ 250µA 100nC@ 10 V 1个N沟道 60V 2mΩ@ 60A,10V 120A 6.4nF@25V TO-220 通孔安装 15.75mm*10.4mm*4.6mm
供应商型号: STP220N6F7
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STP220N6F7

STP220N6F7概述

    STP220N6F7 N-Channel Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    STP220N6F7 是一款N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用STripFET™ F7技术制造,具有低导通电阻(RDS(on))和高效的开关性能。此款MOSFET主要应用于各种开关电源和逆变器系统中,尤其适合高功率密度和高性能需求的应用场景。

    2. 技术参数


    - 额定电压:VDS = 60V
    - 最大电流:ID(连续)= 120A;ID(脉冲)= 480A(25℃)
    - 最大功耗:PTOT = 237W(25℃)
    - 击穿电压:V(BR)DSS = 60V
    - 静态导通电阻:RDS(on) = 0.0021Ω(典型值,VGS = 10V,ID = 60A)
    - 输入电容:Ciss = 6400pF(VGS = 0,VDS = 25V,f = 1MHz)
    - 输出电容:Coss = 3880pF
    - 反向传输电容:Crss = 175pF
    - 总栅极电荷:Qg = 100nC(VDD = 30V,ID = 120A,VGS = 10V)

    3. 产品特点和优势


    - 最低的RDS(on):STP220N6F7 在同类产品中拥有市场上最低的导通电阻,显著提高能效。
    - 出色的品质因数(FoM):这有助于降低损耗,提升整体系统效率。
    - 低Crss/Ciss比:有利于提高电磁干扰(EMI)免疫能力。
    - 高雪崩耐用性:确保在极端条件下的可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:STP220N6F7 广泛用于直流-直流转换器、电机驱动器、电源管理和工业控制等领域。例如,在一个高频开关电源设计中,这款MOSFET可以提供高效和可靠的开关性能。
    使用建议:
    - 确保散热管理良好,特别是在高功率应用中,以避免过热。
    - 使用适当的门极驱动电路来控制开关时间和降低损耗。
    - 在选择并联的MOSFET时,确保它们的电气特性尽可能一致,以防止电流分布不均导致热失控。

    5. 兼容性和支持


    ST公司提供了广泛的文档和支持服务,包括详尽的技术手册、应用笔记和软件工具,帮助客户轻松集成该产品到其系统中。此外,ST还提供ECOPACK®环保包装选项,符合严格的环保标准。

    6. 常见问题与解决方案


    Q: 如何处理过高的栅极电压可能导致的损坏?
    A: 为避免损坏,务必确保VGS不超过±20V的安全范围。使用适当的栅极驱动电路和保护电路来限制电压。
    Q: 如何改善散热效果?
    A: 使用大面积散热片、风扇或水冷装置来提高散热效果。同时,确保PCB布局合理,增强自然对流散热能力。

    7. 总结和推荐


    总体而言,STP220N6F7是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具备卓越的导通电阻、低电容和高可靠性。特别适用于需要高能效和紧凑设计的应用场合。强烈推荐给寻求高可靠性和高能效解决方案的设计工程师。

    本篇报告通过对STP220N6F7技术手册的详细解读,为您展示了这款产品的主要特性和应用指南,希望能帮助您更好地理解和使用这款卓越的功率MOSFET。

STP220N6F7参数

参数
栅极电荷 100nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Id-连续漏极电流 120A
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@ 60A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.4nF@25V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 237W(Tc)
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 60V
长*宽*高 15.75mm*10.4mm*4.6mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

STP220N6F7厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

STP220N6F7数据手册

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STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STMICROELECTRONICS STP220N6F7 STP220N6F7数据手册

STP220N6F7封装设计

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2000+ ¥ 11.7841
4000+ ¥ 11.4793
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