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STLD200N4F6AG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: 158W(Tc) 20V 4V@1mA 172nC@ 10 V 1个N沟道 40V 1.5mΩ@ 75A,10V 120A 10.7nF@10V 贴片安装
供应商型号: STLD200N4F6AG
供应商: Avnet
标准整包数: 2500
STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STLD200N4F6AG

STLD200N4F6AG概述

    STLD200N4F6AG:汽车级N沟道40V、1.27mΩ、120A STripFET™ F6 功率MOSFET

    1. 产品简介


    STLD200N4F6AG是一款专为汽车应用设计的N沟道功率MOSFET,采用了STripFET™ F6技术。其额定工作电压为40V,典型导通电阻(RDS(on))仅为1.27mΩ,最大持续漏极电流可达120A。由于具备高可靠性、低功耗和快速开关性能,STLD200N4F6AG适用于各种开关应用场合。

    2. 技术参数


    STLD200N4F6AG的技术参数如下:
    - 额定电压(VDS):40V
    - 最大导通电阻(RDS(on)):1.5mΩ (在10V VGS时)
    - 最大漏极电流(ID):120A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):480A
    - 最高工作结温(TJ):-55°C至175°C
    - 总功耗(PTOT):158W(在TC=25°C)
    - 热阻(Rthj-c):顶部2.8°C/W,底部0.95°C/W
    - 栅极电荷(Qg):172nC
    - 输入电容(Ciss):10700pF
    - 输出电容(Coss):1530pF
    - 反向转移电容(Crss):1100pF

    3. 产品特点和优势


    STLD200N4F6AG的主要特点和优势包括:
    - 非常低的导通电阻:使其在大电流应用中能够减少损耗,提高效率。
    - 非常低的栅极电荷:有助于降低驱动功率损耗,提升开关速度。
    - 高雪崩强度:保证了器件在极端条件下的可靠性和耐用性。
    - 适合于汽车应用:满足严格的环境和性能要求。

    4. 应用案例和使用建议


    STLD200N4F6AG适用于广泛的开关应用,例如汽车电子系统中的DC/DC转换器和电机驱动器。为了获得最佳性能,以下是一些使用建议:
    - 散热管理:在高温环境中工作时,需要确保良好的散热以维持低RDS(on)值。
    - 负载电流选择:根据具体应用需求选择合适的电流等级,避免过载。

    5. 兼容性和支持


    STLD200N4F6AG采用PowerFLAT™ 5x6双面冷却封装,确保卓越的热性能和稳定性。与标准电路板兼容性良好,便于集成到现有设计中。此外,ST公司提供详细的技术支持文档,包括测试电路图,帮助用户更好地理解和应用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定合适的栅极电压?
    - 解答:参考数据手册中的VGS(th)阈值电压,通常在2V到4V之间,根据具体需求选择合适的栅极驱动电压。
    - 问题2:在高频应用中如何减少寄生电容效应?
    - 解答:通过合理布局减少走线长度,或者采用屏蔽措施来降低寄生电容的影响。

    7. 总结和推荐


    总体来看,STLD200N4F6AG凭借其出色的性能和高可靠性,非常适合于汽车电子和其他高要求的应用领域。如果你需要一个高性能、稳定可靠的功率MOSFET,它将是一个明智的选择。强烈推荐使用这款产品以获得最佳性能。

STLD200N4F6AG参数

参数
配置 独立式
栅极电荷 172nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5mΩ@ 75A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@1mA
最大功率耗散 158W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 10.7nF@10V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 120A
Vds-漏源极击穿电压 40V
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

STLD200N4F6AG厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

STLD200N4F6AG数据手册

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