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STP150N10F7AG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: STMicroelectronics N沟道MOS管, Vds=100 V, 110 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: LYS-STP150N10F7AG
供应商: 海外现货
标准整包数: 1000
STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STP150N10F7AG

STP150N10F7AG概述


    产品简介


    STP150N10F7AG 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO-220 封装。这种电子元器件专为汽车应用设计,具有低导通电阻(RDS(on))、快速开关能力和高效的能量转换特性。它的主要功能包括支持高电流和电压,适用于多种电力变换和电机控制应用。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):100 V
    - 最大漏极电流 (ID):连续模式下 110 A,在 100 °C 下降额为 440 A 脉冲模式
    - 导通电阻 (RDS(on)):典型值 3.6 mΩ(VGS = 10 V, ID = 55 A)
    - 输入电容 (Ciss):9000 pF (VDS = 50 V, f = 1 MHz, VGS = 0 V)
    - 总栅极电荷 (Qg):127 nC (VDD = 50 V, ID = 110 A, VGS = 10 V)
    - 工作温度范围:-55°C 到 175°C
    - 存储温度范围:-55°C 到 175°C
    - 热阻:结到壳体 (RthJC) 0.6 °C/W;结到板 (RthJB) 62.5 °C/W(当安装在 1 英寸² 的 FR-4,2 盎司铜板上时)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:STripFET F7 技术实现了非常低的导通电阻(RDS(on)),从而显著降低了功耗。
    - 高速开关能力:内置的增强型沟槽门结构减少了内部电容和栅极电荷,使得器件可以快速高效地切换。
    - 宽温度范围:能够承受从 -55°C 到 175°C 的工作温度范围,非常适合极端环境下的应用。
    - 可靠性:经过 100% 的雪崩测试,保证了产品的长期稳定性和可靠性。
    - 兼容性强:采用标准的 TO-220 封装,易于集成到现有电路中。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 汽车应用:用于电动车窗、电动座椅和其他车载电子系统中。
    - 电源管理:应用于需要高效率、高频率开关的应用,如 DC-DC 转换器、电池充电器等。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,确保散热良好,避免过热。
    - 配合合适的驱动电路以实现最佳的开关性能。
    - 注意不要超过最大额定值,特别是在高温环境下。

    兼容性和支持


    - 兼容性:由于采用标准的 TO-220 封装,STP150N10F7AG 可以与大多数 TO-220 封装的功率 MOSFET 替代品兼容。
    - 支持和服务:意法半导体提供详尽的技术文档和支持服务,包括详细的电气特性和应用指南。如有疑问,可联系当地销售办事处获取更多信息。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:在高温环境下使用时,器件发热严重。
    - 解决方案:增加外部散热片,或者选择更低热阻的封装。
    - 问题 2:栅极驱动电压不稳定。
    - 解决方案:使用合适的栅极驱动器并检查电路布局,确保信号完整性。
    - 问题 3:器件在大电流下出现损坏。
    - 解决方案:确认电路中的保护措施有效,例如熔断器和限流电阻。

    总结和推荐


    总结:
    STP150N10F7AG 作为一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,凭借其低导通电阻、高速开关能力和宽温度范围的应用适应性,成为众多电力变换和电机控制应用的理想选择。其卓越的可靠性和兼容性进一步提升了其市场竞争力。
    推荐:
    鉴于其广泛的应用领域和优秀的性能表现,强烈推荐 STP150N10F7AG 作为新一代高功率应用的首选器件。通过合理的设计和正确的使用方法,可以最大限度地发挥其潜力,确保系统的高效稳定运行。

STP150N10F7AG参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 250W
Rds(On)-漏源导通电阻 4.2mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 110A
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 127nC@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 9nF@ 50V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

STP150N10F7AG厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

STP150N10F7AG数据手册

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STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STMICROELECTRONICS STP150N10F7AG STP150N10F7AG数据手册

STP150N10F7AG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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3000+ $ 2.016 ¥ 17.0352
5000+ $ 1.98 ¥ 16.731
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