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FM22LD16-55-BG

产品分类: 铁电存储器(FRAM)
产品描述: 2.7V 3.6V 110ns Parallel PBGA48 贴片安装
供应商型号: CY-FM22LD16-55-BG
供应商:
标准整包数: 1
RAMTRON INTERNATIONAL 铁电存储器(FRAM) FM22LD16-55-BG

FM22LD16-55-BG概述


    产品简介


    FM22LD16 是一款由Ramtron生产的4Mbit非易失性内存器件,主要用于存储频繁更新的数据。它以标准SRAM的方式进行读写操作,但在断电后依然能够保持数据,这使其特别适用于需要频繁写入数据的应用场景。FM22LD16 的主要功能包括高速写入、无延迟写入以及块写保护等高级特性。这种特性使其成为工业温度范围内理想的非易失性存储解决方案。

    技术参数


    - 存储容量:4Mbit(256Kx16)
    - 组织结构:可配置为512Kx8使用 /UB, /LB
    - 耐久性:高达10^14次读写循环
    - 无延迟写入:NoDelay™ 写入
    - 访问速度:55ns访问时间,110ns周期时间
    - 频率:最高可达40MHz的页模式操作
    - 电源电压:2.7V至3.6V
    - 功耗:低待机电流(90μA),低活动电流(8mA)
    - 工作温度范围:-40°C 至 +85°C
    - 封装形式:48球 BGA 封装,符合RoHS标准

    产品特点和优势


    FM22LD16的主要特点包括:
    - 无延迟写入:与电池供电的SRAM相比,无需担心电池寿命问题。
    - 高性能:提供高达10^14次读写循环,远超其他类型的存储器。
    - 易于集成:SRAM兼容的引脚布局使得FM22LD16可以轻松替换现有的SRAM。
    - 可靠性:单芯片设计,无焊接步骤,提高了系统的整体可靠性。
    - 低功耗:支持最低功率消耗,有助于延长系统整体的电池寿命。

    应用案例和使用建议


    FM22LD16 广泛应用于需要频繁数据写入的领域,例如:
    - 工业控制:实时数据记录和控制系统。
    - 消费电子:智能手表、健康监测设备等。
    - 汽车电子:行车记录仪、导航系统等。
    使用建议:
    - 在应用过程中,应确保 /CE 信号的正确操作,避免因电源波动导致的数据损坏。
    - 如果需要实现块写保护,应严格遵循软件写保护的步骤和地址序列。
    - 考虑到功耗,可以将 /CE 信号仅在访问内存时激活,以减少不必要的电流消耗。

    兼容性和支持


    FM22LD16 的引脚兼容 FM21LD16 (2Mb) 和 FM23MLD16 (8Mb),这意味着它可以无缝集成到现有的硬件设计中。Ramtron提供了全面的技术支持,包括详尽的产品手册、样本代码和专业的技术支持团队,以帮助客户更好地理解和使用这款产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:设备在首次启动时无法正常工作。
    - 解决方案:检查 /CE 和 /WE 信号的初始状态,确保它们在上电时处于正确的状态。

    - 问题:写保护功能失效。
    - 解决方案:按照正确的顺序执行读取地址序列,并确保数据字节的精确反转。参考技术手册中的详细说明。
    - 问题:功耗过高。
    - 解决方案:尽量减少 /CE 信号的使用次数,仅在需要访问内存时激活该信号。

    总结和推荐


    综上所述,FM22LD16凭借其高耐久性、无延迟写入和易于集成的特点,是适合多种应用场景的理想选择。尤其适用于需要频繁数据写入和对功耗敏感的应用场景。鉴于其卓越的性能和广泛的适用性,强烈推荐在相关项目中使用此产品。

FM22LD16-55-BG参数

参数
最大访问时间 110ns
存储容量 -
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.7V
组织 -
数据保留时长 -
接口类型 Parallel
通用封装 PBGA48
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装

FM22LD16-55-BG厂商介绍

Ramtron International是一家领先的非易失性铁电随机存取存储器(FRAM)制造商,专注于为各种应用提供高性能、低功耗的存储解决方案。其主营产品包括:

1. FRAM存储器:非易失性存储器,能在断电后保持数据,具有快速读写速度和高耐用性。
2. 串行FRAM产品:适用于需要小尺寸和低功耗的应用,如智能卡、传感器和医疗设备。
3. 并行FRAM产品:提供更高的数据吞吐量,适用于需要快速数据访问的应用,如工业控制和汽车电子。
4. I2C FRAM:通过I2C接口提供非易失性存储,适用于需要简单接口和低功耗的应用。

Ramtron International的优势在于其FRAM技术的独特性能,包括:

- 快速读写速度:比传统EEPROM快100倍。
- 高耐用性:写入次数可达10^15次,远超其他非易失性存储技术。
- 低功耗:在保持数据时几乎不消耗能量。
- 宽温度范围:能够在-40°C至+85°C的温度范围内稳定工作。

这些特性使得Ramtron的产品在需要快速数据访问、高可靠性和低功耗的应用中具有明显优势。

FM22LD16-55-BG数据手册

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RAMTRON INTERNATIONAL 铁电存储器(FRAM) RAMTRON INTERNATIONAL FM22LD16-55-BG FM22LD16-55-BG数据手册

FM22LD16-55-BG封装设计

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1+ $ 31.7947 ¥ 257.563
25+ $ 30.4808 ¥ 253.1222
50+ $ 29.167 ¥ 248.6815
100+ $ 28.6415 ¥ 246.4611
300+ $ 28.3787 ¥ 244.2407
500+ $ 28.1159 ¥ 242.0204
1000+ $ 27.3276 ¥ 230.9185
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