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MMBD330T1G

产品分类: 肖特基二极管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 30V 1A 200nA 30V 200mA 独立式 3000 贴片安装 2.1mm*1.24mm*850μm
供应商型号: UNP-MMBD330T1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 肖特基二极管 MMBD330T1G

MMBD330T1G概述

    Schottky Barrier Diodes (MMBD330T1G, SMMBD330T1G, MMBD770T1G, SMMBD770T1G)

    产品简介


    Schottky Barrier Diodes(肖特基势垒二极管)是一种专门设计用于高效率的超高频(UHF)和甚高频(VHF)检测应用的电子元器件。除了检测应用外,这些二极管还适用于许多其他快速开关射频(RF)和数字应用。它们采用SOT-323/SC-70封装,专为低功率表面安装应用设计。

    技术参数


    以下是Schottky Barrier Diodes的技术参数摘要:
    - 最大额定值:
    - 反向电压:MMBD330T1G, SMMBD330T1G为30V;MMBD770T1G, SMMBD770T1G为70V
    - 正向连续电流(直流):200mA
    - 非重复性峰值正向电流:1.0A
    - 正向功率耗散(TA=25°C):120mW
    - 结温:-55至+125°C
    - 存储温度范围:-55至+150°C
    - 电气特性(TA=25°C):
    - 反向击穿电压(IR=10µA):MMBD330T1G, SMMBD330T1G为30V;MMBD770T1G, SMMBD770T1G为70V
    - 二极管电容(VR=15V, f=1.0MHz):MMBD330T1G, SMMBD330T1G为0.9-1.5pF;MMBD770T1G, SMMBD770T1G为0.5-1.0pF
    - 反向漏电流(VR=25V):MMBD330T1G, SMMBD330T1G为13-200nA;MMBD770T1G, SMMBD770T1G为9.0-200nA
    - 正向电压(IF=1.0mA):MMBD330T1G, SMMBD330T1G为0.38-0.50V;MMBD770T1G, SMMBD770T1G为0.42-1.0V

    产品特点和优势


    - 极低的少子寿命:这使得器件具有更好的开关性能。
    - 非常低的电容:有助于提高频率响应。
    - 低反向泄漏:有助于提升能效。
    - 符合AEC标准:适合汽车和其他对可靠性要求高的应用。
    - 无铅、卤素和BFR-free且RoHS合规:满足环保要求。

    应用案例和使用建议


    这些Schottky Barrier Diodes主要用于UHF和VHF检测应用,也可应用于需要高速切换的RF和数字系统中。具体应用示例如下:
    - 检测电路:适用于无线通信系统中的检测电路,如UHF和VHF接收器。
    - 高速开关:适合于需要快速响应的开关应用,如数字信号处理。
    使用建议:
    - 在高频率应用中选择低电容型号(如MMBD330T1G)以减少寄生效应。
    - 确保电路设计时考虑到散热,避免过热损坏。

    兼容性和支持


    这些器件与市面上大多数符合SOT-323/SC-70封装标准的电路板兼容。制造商提供了详尽的支持文档,包括技术手册和安装指南。对于客户的技术支持,可以联系当地的销售代表或通过技术热线获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - Q: 设备出现高温过载?
    - A: 检查电路设计确保合理的电流分布,并增加散热措施。

    - Q: 设备在高频应用中表现不佳?
    - A: 使用低电容型号并优化电路布局,减少寄生效应。

    - Q: 无法确定正确的型号?
    - A: 联系技术支持获取详细的选型指导。

    总结和推荐


    总体而言,Schottky Barrier Diodes在高频率和快速开关应用中表现出色,具有低功耗、高效率的特点。由于其优良的特性,特别推荐用于UHF和VHF检测以及需要高速切换的RF和数字系统。结合制造商提供的优质支持和服务,这一系列产品无疑是设计工程师的理想选择。

MMBD330T1G参数

参数
配置 独立式
If - 正向电流 200mA
Ir - 反向电流 200nA
Vr-反向电压 30V
反向恢复时间 -
正向浪涌电流 1A
Vrrm - 重复反向电压 30V
长*宽*高 2.1mm*1.24mm*850μm
通用封装 3000
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

MMBD330T1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

MMBD330T1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 肖特基二极管 ON SEMICONDUCTOR MMBD330T1G MMBD330T1G数据手册

MMBD330T1G封装设计

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