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NVTFS5116PLWFTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.2W(Ta),21W(Tc) 20V 3V@ 250µA 25nC@ 10 V 1个P沟道 60V 52mΩ@ 7A,10V 6A 1.258nF@25V DFN 贴片安装
供应商型号: AV-S-ONSNVTFS5116PLWF!B
供应商: Avnet
标准整包数: 1500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTFS5116PLWFTAG

NVTFS5116PLWFTAG概述


    产品简介


    NVTFS5116PL 是一款由Semiconductor Components Industries, LLC生产的P-通道MOSFET,专为需要高效率、紧凑设计的应用而设计。这种器件主要用于电源管理和控制电路,适用于各种电子产品,如消费类电子产品、通信设备、汽车电子系统等。其主要功能是实现电压开关和电流控制,以提高电路的整体能效和可靠性。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 最大漏源电压(VDSS): -60 V
    - 最大栅源电压(VGS): ±20 V
    - 持续漏极电流(Tmb = 25°C时): -14 A
    - 连续功率耗散(Tmb = 25°C时): 21 W
    - 结温范围(TJ, Tstg): -55°C 至 +175°C
    - 关键特性:
    - 导通电阻(RDS(on)): 52 mΩ @ -10 V,72 mΩ @ -4.5 V
    - 输入电容(Ciss): 1258 pF
    - 输出电容(Coss): 127 pF
    - 反向传输电容(Crss): 84 pF
    - 总栅电荷(QG(TOT)): 14 nC @ -4.5 V,25 nC @ -10 V
    - 开关时间(td(on)): 14 ns
    - 关断延迟时间(td(off)): 24 ns

    产品特点和优势


    NVTFS5116PL 的主要特点包括紧凑的设计、低导通电阻和低电容特性。具体优势如下:
    - 小体积: 封装尺寸仅为 3.3 x 3.3 mm,非常适合空间受限的应用场合。
    - 低导通损耗: RDS(on) 低至 52 mΩ @ -10 V,能够显著降低功耗和热量产生。
    - 低驱动损耗: 低输入和输出电容减少了驱动器的损耗。
    - 高温适应性: 能够在极端温度下(-55°C 至 +175°C)正常工作,增加了其应用灵活性。
    - 环保认证: AEC-Q101 合格,且可提供PPAP认证,适合汽车和其他工业应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NVTFS5116PL 在许多电子设备中得到广泛应用,例如开关电源、马达控制器、车载充电器等。其紧凑的封装使其成为空间受限应用的理想选择。例如,在笔记本电脑电源适配器中,这款MOSFET可以有效地控制电流,从而提高整个系统的效率和可靠性。
    使用建议
    为了确保NVTFS5116PL的最佳性能,用户应考虑以下几个方面:
    - 散热管理: 虽然该器件具有良好的热性能,但在高功率应用中仍需注意散热设计,以避免过热。
    - 驱动电路设计: 使用适当的栅极驱动电路来减少驱动损耗,并提高整体效率。
    - 布局优化: 优化PCB布局,尽量缩短引脚走线,以减少寄生电感和电容的影响。

    兼容性和支持


    NVTFS5116PL 支持广泛的设备兼容性,适用于大多数现代电子设备。此外,ON Semiconductor提供了详尽的技术文档和支持资源,包括详细的产品手册、应用指南和技术支持服务,帮助用户更好地理解和使用该器件。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方案:
    - 问题:如何确保正确的安装方向?
    - 解决方案:查看器件上的标记,通常会标有方向箭头,确保安装时遵循正确的方向。
    - 问题:如何防止过高的电流导致器件损坏?
    - 解决方案:在设计电路时应考虑保护措施,例如使用保险丝或过流保护器,以避免超过最大额定值的电流通过器件。
    - 问题:如何提高散热性能?
    - 解决方案:使用铜箔散热器或增加散热片面积,提高散热效果,尤其是在高功率应用中。

    总结和推荐


    总体而言,NVTFS5116PL 是一款性能卓越、应用广泛的小型P-通道MOSFET。其独特的功能和优势使其在多种应用中表现出色,特别是在需要高效、紧凑和高可靠性的设计中。强烈推荐在需要高性能、低功耗解决方案的场合中使用该产品。

NVTFS5116PLWFTAG参数

参数
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 52mΩ@ 7A,10V
栅极电荷 25nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.258nF@25V
最大功率耗散 3.2W(Ta),21W(Tc)
Id-连续漏极电流 6A
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVTFS5116PLWFTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTFS5116PLWFTAG数据手册

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NVTFS5116PLWFTAG封装设计

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4500+ $ 0.5627 ¥ 4.9798
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