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FQD5N60CTM

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 QFET系列, Vds=600 V, 2.8 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: FQD5N60CTM
供应商: 云汉优选
标准整包数: 2500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQD5N60CTM

FQD5N60CTM概述


    产品简介


    FQD5N60C / FQU5N60C N-Channel QFET® MOSFET
    FQD5N60C / FQU5N60C 是一种高性能的 N-Channel 增强模式功率 MOSFET,适用于多种应用场合,包括开关电源、有源功率因数校正(PFC)和电子镇流器等。这些器件采用了 ON Semiconductor 的专有平面条纹技术和双扩散 MOS 技术(DMOS),具有低导通电阻、出色的开关性能和高雪崩耐受能力。

    技术参数


    | 参数 | FQD5N60C / FQU5N60C |

    | 最大漏-源电压 (V) | 600 V |
    | 持续漏电流 (A) | -25°C: 2.8 A
    -100°C: 1.8 A |
    | 脉冲漏电流 (A) | 11.2 A |
    | 最大门-源电压 (V) | ±30 V |
    | 单次脉冲雪崩能量 (mJ) | 210 mJ |
    | 瞬态功率耗散 (W) | -25°C: 2.5 W
    -100°C: 49 W |
    | 最高工作温度 (°C) | -55 至 +150 °C |
    | 最大引脚焊接温度 (°C) | 300 °C |

    产品特点和优势


    FQD5N60C / FQU5N60C 的主要特点包括:
    - 低导通电阻(最大 2.5Ω)
    - 低门极电荷(典型值 15 nC)
    - 低栅极-源极电容(典型值 6.5 pF)
    - 百分百雪崩测试通过
    - 符合 RoHS 规范
    这些特性使其非常适合应用于高效率的电源设计中。产品的低导通电阻和低门极电荷使得其在各种应用中表现出色,尤其适合于高频开关应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源: 由于其高效的转换能力和低损耗,广泛应用于工业级开关电源中。
    - 有源功率因数校正 (PFC): 适用于要求高功率因数的应用场合。
    - 电子镇流器: 用于灯具控制和驱动,提高照明系统的能效。
    使用建议
    - 优化散热设计: 由于器件的最大功耗较高,建议采用有效的散热设计,确保在高负载下的稳定运行。
    - 考虑门极电阻: 在驱动门极时,选择合适的门极电阻以减小开关过程中的能量损失。

    兼容性和支持


    - 封装类型: 包括 D-PAK 和 I-PAK 两种封装形式。
    - 支持与维护: ON Semiconductor 提供全面的技术支持和质量保证,确保客户能够顺利使用和维护这些器件。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 如何优化散热?
    - 解决方案: 建议采用散热片或风扇进行有效散热,确保器件在额定温度范围内工作。
    2. 问题: 开关过程中的噪音如何减少?
    - 解决方案: 选择合适的门极电阻,降低门极充电和放电时间,从而减少开关过程中的噪声。

    总结和推荐


    FQD5N60C / FQU5N60C 是一款高效、可靠的 N-Channel MOSFET,其卓越的性能和广泛应用使它成为电力转换和控制应用的理想选择。考虑到其广泛的适用性和 ON Semiconductor 提供的支持,我们强烈推荐这款产品用于需要高效率和可靠性的应用场合。

FQD5N60CTM参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 2.8A
通道数量 1
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 2.5Ω@ 1.4A,10V
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 19nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 600V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 670pF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
最大功率耗散 2.5W(Ta),49W(Tc)
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.52mm(Max)
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FQD5N60CTM厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQD5N60CTM数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQD5N60CTM FQD5N60CTM数据手册

FQD5N60CTM封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 3.112
5000+ ¥ 3.112
10000+ ¥ 3.112
20000+ ¥ 3.112
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