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M29DW128G70NF6E

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: MICRON TECHNOLOGY
产品描述: 16MB 2.7V 10mA 3.6V Parallel SOP 贴片安装 14mm*18.4mm*1mm
供应商型号: UA-M29DW128G70NF6E
供应商: 海外现货
标准整包数: 96
MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) M29DW128G70NF6E

M29DW128G70NF6E概述

    Micron M29DW128G Parallel NOR Flash Embedded Memory

    产品简介


    Micron M29DW128G是一款3V嵌入式并行NOR闪存,专为高可靠性、高性能和多种存储需求而设计。它具有128Mb(兆位)的存储容量,采用x16配置,提供双操作模式,支持在多个银行间的同时读写操作。这款芯片适用于广泛的嵌入式系统应用,包括工业控制、汽车电子、网络设备和消费电子产品等。

    技术参数


    - 供电电压
    - 主供电电压:VCC = 2.7–3.6V(编程、擦除、读取)
    - I/O缓冲电压:VCCQ = 1.65–3.6V
    - 快速编程电压(可选):VPPH = 9V
    - 随机/页读取
    - 页大小:8字
    - 页访问时间:25ns
    - 随机访问时间:60ns、70ns、80ns(根据VCCQ变化)
    - 增强型缓存编程命令
    - 缓存编程大小:256字
    - 编程时间
    - 每字节/字典型编程时间:15µs
    - 32字节写缓存
    - 芯片编程时间:使用VPPH时5秒,不使用VPPH时8秒
    - 擦除验证
    - 内存组织
    - 四个扇区(Quadruple Bank)内存阵列:16Mb + 48Mb + 48Mb + 16Mb
    - 参数块(顶部和底部)
    - 双操作模式
    - 同时进行编程或擦除操作时,可以从其他任何银行读取数据
    - 编程/擦除挂起和恢复模式
    - 在编程挂起期间可以从任何区块读取数据
    - 在擦除挂起期间可以从另一个区块读取和编程
    - 解锁旁路、区块擦除、芯片擦除、写入缓存等
    - 快速缓存/批量编程
    - 快速区块/芯片擦除
    - 通用闪存接口(CFI)
    - 64位安全代码
    - 耐久性
    - 每个区块的编程/擦除周期数:100,000次
    - 低功耗消耗
    - 待机和自动待机模式
    - 硬件块保护
    - VPP/WP#引脚用于快速编程和写保护
    - 安全特性
    - 可变性保护
    - 非易失性保护
    - 密码保护
    - 额外的区块保护
    - 额外区块
    - 128字(256字节)永久存储区块,用于永久、安全的识别
    - 电子签名
    - 制造商代码:0020h
    - 设备代码:227Eh+2220h+2202h
    - 符合RoHS标准的封装
    - TSOP56(NF):14mm x 20mm
    - TBGA64(ZA):10mm x 13mm

    产品特点和优势


    - 高可靠性和耐用性:具备超过100,000次的编程/擦除周期,确保长时间稳定运行。
    - 强大的安全机制:包括非易失性保护、密码保护和硬件块保护,确保数据的安全性。
    - 灵活的操作模式:支持双操作模式,可以在一个区块进行编程或擦除的同时,从其他区块读取数据。
    - 高效的数据处理能力:提供高速编程和擦除功能,满足不同应用场景的需求。
    - 多银行架构:四个独立的内存区块提高了系统的灵活性和性能。

    应用案例和使用建议


    - 工业控制:适用于复杂控制系统,如PLC、工业机器人等,需要高可靠性的存储解决方案。
    - 汽车电子:用于汽车仪表盘、娱乐系统等关键部件,要求严格的环境适应性和稳定性。
    - 网络设备:作为路由器、交换机等设备中的固件存储,保证快速启动和数据传输速度。
    使用建议:
    - 在选择电源电压时,应考虑应用的具体要求,确保在极端温度下也能正常工作。
    - 使用快速编程选项时,需要注意热管理,避免过热损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:支持TSOP56和TBGA64两种封装方式,方便集成到不同的电路板设计中。
    - 支持和服务:Micron公司提供详尽的技术文档和客户支持服务,帮助用户解决问题并优化应用。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何进行快速编程?
    - A: 确保使用9V的VPPH电压,并按照手册中的程序操作。
    - Q: 如何检查存储器的状态?
    - A: 通过读取状态寄存器中的标志来确定当前的状态。
    - Q: 如何防止未经授权的访问?
    - A: 启用密码保护模式,并设置强密码。

    总结和推荐


    Micron M29DW128G是一款功能强大且高度可靠的嵌入式并行NOR闪存芯片,特别适合于工业控制、汽车电子和网络设备等领域。其卓越的性能、灵活的操作模式和丰富的安全特性使其在市场上具有很强的竞争力。如果你正在寻找一款高性能的存储解决方案,强烈推荐使用M29DW128G。

M29DW128G70NF6E参数

参数
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.7V
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 16MB
最大供电电流 10mA
长*宽*高 14mm*18.4mm*1mm
通用封装 SOP
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
包装方式 托盘

M29DW128G70NF6E厂商介绍

Micron Technology(美光科技)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于1978年,总部位于美国爱达荷州。公司主要生产DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘、CMOS图像传感器等产品。

Micron Technology的产品主要分为以下几类:
1. DRAM:动态随机存取存储器,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机等设备。
2. NAND闪存:一种非易失性存储器,用于存储大量数据,如U盘、固态硬盘等。
3. NOR闪存:一种非易失性存储器,主要用于存储代码和数据,如嵌入式系统。
4. SSD固态硬盘:基于NAND闪存的高速存储设备,用于替代传统机械硬盘。
5. CMOS图像传感器:用于手机、相机等设备的图像捕捉。

Micron Technology的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供多种存储解决方案,满足不同客户的需求。
3. 品质保证:严格的生产和质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:全球销售和服务网络,为客户提供及时的技术支持和解决方案。

M29DW128G70NF6E数据手册

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MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) MICRON TECHNOLOGY M29DW128G70NF6E M29DW128G70NF6E数据手册

M29DW128G70NF6E封装设计

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