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MCG53N06AHE3-TP

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 45W 2.5V@ 250µA 31nC@ 10 V 1个N沟道 60V 8.2mΩ@ 20A,10V 1.85nF@50V DFN-3333 贴片安装
供应商型号: 14M-MCG53N06AHE3-TP DFN3333
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5000
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 场效应管(MOSFET) MCG53N06AHE3-TP

MCG53N06AHE3-TP概述

    # MCG53N06AHE3 N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    MCG53N06AHE3 是一款高性能的N沟道MOSFET,专为各种电源管理和驱动控制应用设计。这款MOSFET采用了先进的分立栅槽型MOSFET技术,具备超低的导通电阻(RDS(on)),并具有出色的热性能和可靠性。主要适用于汽车电子、工业自动化、通信设备及消费电子产品等领域。

    2. 技术参数


    最大额定值
    - 漏源电压(VDS):60V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 持续漏电流(ID):53A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):mJ(注意5)
    - 脉冲漏电流:212A(注意3)
    工作温度范围
    - 结温范围:-55°C 至 +150°C
    - 储存温度范围:-55°C 至 +150°C
    热阻抗
    - 结到环境热阻(θJA):60°C/W
    - 结到外壳热阻(θJC):2.8°C/W
    电气特性
    - 击穿电压(V(BR)DSS):60V(VGS=0V,ID=250µA)
    - 栅源泄漏电流(IGSS):±100nA(VDS=0V,VGS=±20V)
    - 零栅电压漏电流(IDSS):1µA(VDS=60V,VGS=0V)
    - 栅阈电压(VGS(th)):1.2V 至 2.5V(VDS=VGS,ID=250µA)
    - 持续体二极管电流(IS):53A
    - 二极管正向电压(VSD):1.3V(VGS=0V,IS=20A)
    动态特性
    - 反向恢复时间(trr):31ns
    - 反向恢复电荷(Qrr):48nC
    - 输入电容(Ciss):1850pF
    - 输出电容(Coss):424pF
    - 反向传输电容(Crss):22pF
    - 总栅电荷(Qg):32nC

    3. 产品特点和优势


    MCG53N06AHE3 具有多项独特的优势,使其在市场上具有显著的竞争力。以下是其主要特点:
    - 符合AEC-Q101标准:适用于汽车电子领域。
    - 采用分立栅槽型MOSFET技术:实现超低的RDS(on),提高效率。
    - 高密度单元设计:进一步降低RDS(on)。
    - 无卤素环保设计:减少对环境的影响。
    - 铅封无铅处理/符合RoHS标准:符合国际环保要求。
    - 环氧材料达到UL 94 V-0阻燃等级:提供额外的安全保障。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    MCG53N06AHE3 在多个领域均有广泛应用,例如:
    - 汽车电子:用于车载电源管理系统、电机驱动等。
    - 工业自动化:用于机器人控制、变频器等。
    - 通信设备:用于电源转换、信号调理等。
    使用建议
    - 散热管理:由于其较低的RDS(on),可以在高温环境下稳定运行。但在极高功率应用中,需考虑额外的散热措施。
    - 电路保护:结合过压保护电路以避免电压击穿。
    - 布局设计:合理规划PCB布局,确保MOSFET的栅极和源极之间有足够的空间,以减少杂散电感。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    MCG53N06AHE3 可与其他电子元器件和设备兼容,如各类电源管理IC、电机控制器等。制造商提供了详细的文档和技术支持,以确保客户能顺利集成和使用该产品。
    支持
    - 官方技术支持:提供详尽的技术文档和在线支持。
    - 认证授权分销商:购买途径多样,确保产品来源可靠。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题
    1. Q:如何确定合适的散热方案?
    - A:根据最大功耗计算所需的散热面积,确保MOSFET处于安全工作温度范围内。
    2. Q:如何选择适当的电路保护方案?
    - A:在电路中加入瞬态电压抑制器(TVS)和保险丝,防止过电压损坏。
    3. Q:如何优化MOSFET的导通特性?
    - A:优化电路布局,减小杂散电感;确保栅极驱动信号干净且足够强。

    7. 总结和推荐


    综合评估
    MCG53N06AHE3 是一款高性能的N沟道MOSFET,具有超低的RDS(on)、高可靠性以及广泛的适用性。它特别适合于需要高性能、高稳定性的应用场景,如汽车电子、工业自动化和通信设备。
    推荐使用
    强烈推荐使用MCG53N06AHE3,特别是在追求高效能和稳定性方面。同时,建议用户关注散热管理,并结合适当的电路保护措施,以充分发挥其潜力。
    通过上述详细的技术参数、产品特点和应用案例分析,可以看出 MCG53N06AHE3 是一款值得信赖的电子元器件产品。希望本文能帮助您更好地了解和使用这款高性能的MOSFET。

MCG53N06AHE3-TP参数

参数
最大功率耗散 45W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.85nF@50V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
栅极电荷 31nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 8.2mΩ@ 20A,10V
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 DFN-3333
安装方式 贴片安装
包装方式 散装

MCG53N06AHE3-TP厂商介绍

Micro Commercial Components(MCC)是一家知名的电子元件分销商,专注于为全球客户提供广泛的电子元件和解决方案。MCC主营产品包括集成电路(IC)、被动元件(如电阻、电容)、连接器、半导体器件等,覆盖了从消费电子到工业控制、汽车电子等多个应用领域。

MCC的优势在于其广泛的产品线和强大的供应链管理能力。公司与多家顶级制造商建立了稳固的合作关系,能够为客户提供从设计、采购到物流的一站式服务。此外,MCC还提供技术支持和定制解决方案,帮助客户解决复杂的技术挑战。通过其全球分销网络,MCC能够快速响应客户需求,提供高效的物流和配送服务,确保客户项目按时完成。MCC的这些优势使其在激烈的市场竞争中脱颖而出,成为客户信赖的合作伙伴。

MCG53N06AHE3-TP数据手册

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MCG53N06AHE3-TP封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 1.2021
10000+ ¥ 1.1681
15000+ ¥ 1.134
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