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MX25L8006EM1I-12G

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: MACRONIX/台湾旺宏电子
产品描述: Macronix 8Mbit NOR闪存芯片, 串行接口, SOP-8, 5.03 x 4 x 1.55mm
供应商型号: MX25L8006EM1I-12G SOP-8,SOP-8
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
MACRONIX/台湾旺宏电子 闪存(Flash) MX25L8006EM1I-12G

MX25L8006EM1I-12G概述

    MX25L8006E 3V, 8M-Bit CMOS Serial Flash Memory 技术手册

    产品简介


    MX25L8006E 是一款高性能的串行闪存芯片,由 Micron 设计和生产。这款存储器采用 CMOS 工艺制造,具有单电源操作能力,适用于多种电子设备和系统。它提供了丰富的功能,包括自动擦除和编程算法,非常适合于需要高可靠性的嵌入式系统应用。

    技术参数


    - 存储容量: 8 M-Bit (1 Mbit 8)
    - 电压范围: 2.7V 至 3.6V
    - 数据读取速度: 最大 86MHz 时钟频率
    - 编程时间: 每页最快 0.6ms(典型值)
    - 擦除时间: 每个扇区 40ms(典型值)
    - 存储周期: 高达 100,000 擦除/编程周期
    - 数据保持时间: 20 年
    - 工作温度范围: 通常为 -40°C 至 85°C
    - 低功耗: 站态电流 15uA(典型值),深功率下降模式电流 2uA(典型值)

    产品特点和优势


    - 高效的数据处理能力: 支持最高 86MHz 的串行时钟频率,适合高速数据传输。
    - 强大的安全特性: 包括块锁定保护和 512 位的安全一次性编程(OTP)区域用于唯一标识符。
    - 自动擦除和编程算法: 能够自动执行擦除和编程操作,提高了系统的可靠性和便利性。
    - 多功能接口支持: 支持 SPI 接口的 Mode 0 和 Mode 3 模式,便于与其他硬件组件集成。

    应用案例和使用建议


    MX25L8006E 可以应用于多种场景,如数据记录、系统启动代码存储、以及各种嵌入式系统中。使用建议包括:
    - 数据记录: 在工业控制系统中作为关键数据的存储单元。
    - 启动代码存储: 在启动加载程序中作为引导代码的存储设备。
    - 系统管理: 用于保存配置数据或运行时数据。
    为了优化性能,建议在使用时:
    - 确保提供稳定的工作电压,避免因电压波动导致数据丢失或损坏。
    - 在使用过程中定期检查存储内容的完整性,确保数据的可靠性和持久性。

    兼容性和支持


    MX25L8006E 具有良好的兼容性,可与大多数标准 SPI 控制器和接口设备配合使用。制造商提供了详尽的技术支持文档和用户指南,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 如何进行初始化操作?
    - 解决方案: 使用命令 WREN(写使能)来设置状态寄存器的写使能位。
    - 问题: 如何进行扇区擦除?
    - 解决方案: 使用命令 SE(扇区擦除),通过指定地址来选择要擦除的扇区。
    - 问题: 如何防止数据被误写?
    - 解决方案: 通过 WP# 引脚进行写保护设置,确保数据不被意外修改。

    总结和推荐


    总体而言,MX25L8006E 3V, 8M-Bit CMOS 串行闪存是一款高性能、低功耗且具备多重安全特性的存储设备,适用于广泛的电子设备和系统。其高效的数据处理能力和简便的操作方式使其成为许多应用的理想选择。对于需要高可靠性和数据持久性的应用,强烈推荐使用该产品。

MX25L8006EM1I-12G参数

参数
最小工作供电电压 2.7V
组织 4M x 2 位,8M x 1 位
数据总线宽度 8bit
接口类型 SPI
存储容量 8Mb (1M x 8)
最大供电电流 12mA
最大时钟频率 86MHz
最大工作供电电压 3.6V
长*宽*高 4.9mm(长度)*3.9mm(宽度)
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 新设计不推荐
包装方式 管装

MX25L8006EM1I-12G数据手册

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MACRONIX/台湾旺宏电子 闪存(Flash) MACRONIX/台湾旺宏电子 MX25L8006EM1I-12G MX25L8006EM1I-12G数据手册

MX25L8006EM1I-12G封装设计

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