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GC3M0065090D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 900V\nId-漏极电流(25℃): 36A
供应商型号: 14M-GC3M0065090D TO247-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
SUPSIC/国晶微半导体 场效应管(MOSFET) GC3M0065090D

GC3M0065090D概述

    GC3M0065090D 硅碳化物功率 MOSFET 产品技术手册

    产品简介


    产品类型:硅碳化物(SiC)功率 MOSFET
    主要功能:高阻断电压,低导通电阻,快速开关速度,低电容,快速内置二极管
    应用领域:可再生能源、电动汽车电池充电器、高压直流转换器、开关模式电源供应器

    技术参数


    - 封装类型:TO-247-3
    - 最大击穿电压 (VDS):900V
    - 连续漏电流 (ID):36A (VGS=15V, TC=25°C)
    - 最大脉冲漏电流 (ID(pulse)):90A
    - 栅极-源极电压 (VGS):动态 -8/+19V,静态 -4/+15V
    - 导通电阻 (RDS(on)):65mΩ (VGS=15V, ID=20A)
    - 输出电容 (Coss):66pF
    - 反向传输电容 (Crss):5.0pF
    - 栅极电荷 (Qg):35nC
    - 反向恢复时间 (trr):26ns
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    - 高效率:高阻断电压结合低导通电阻,提升系统整体效率。
    - 降低冷却要求:由于具有高导热性能,减少了对复杂冷却系统的依赖。
    - 增加功率密度:紧凑的设计允许更高的功率密度,从而节省空间。
    - 提高系统开关频率:快速开关特性使得系统能够在更高频率下运行,从而提升系统性能。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 光伏逆变器:利用其高效转换能力,实现能量的有效传输。
    - 电动汽车电池充电器:快速开关和低损耗特性确保高效的能量转换。
    - 工业电源:用于需要高频切换的应用,如电信设备中的电源模块。
    使用建议:
    - 在设计应用时,考虑使用低栅极电阻以提高开关速度。
    - 根据具体应用需求选择合适的外部栅极电阻 (RG(ext)) 值,以优化系统的开关性能。
    - 注意散热管理,尤其是在高温环境下使用时,确保散热装置的高效运作。

    兼容性和支持


    兼容性:该器件采用标准 TO-247-3 封装,易于集成到现有的电路设计中。
    支持:制造商提供详尽的技术文档和全面的客户支持服务,帮助用户快速了解并正确使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:开机瞬间出现较大浪涌电流
    - 解决方案:合理设置外部栅极电阻值 (RG(ext)),限制浪涌电流。
    - 问题:高温环境下器件温度过高
    - 解决方案:加强散热措施,确保良好的散热条件。
    - 问题:在高频率工作时出现异常
    - 解决方案:调整外部电路设计,优化工作频率,避免超过器件的最大额定值。

    总结和推荐


    综上所述,GC3M0065090D 硅碳化物功率 MOSFET 具有显著的优点,包括高效率、低损耗和高可靠性。其紧凑的设计和高开关频率特性使其适用于多种高性能应用场合。因此,对于需要高性能和高可靠性的应用,强烈推荐使用这款产品。

GC3M0065090D参数

参数
Vgs-栅源极电压 8V
栅极电荷 9NC
Rds(On)-漏源导通电阻 65mΩ
最大功率耗散 125W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 8V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 900V
Id-连续漏极电流 5A
FET类型 2个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 760pF
通用封装 TO-247-3
应用等级 工业级
零件状态 在售

GC3M0065090D厂商介绍

SUPSiC公司是一家专注于研发和生产碳化硅(SiC)功率器件的高科技企业。公司主营产品包括碳化硅肖特基二极管(SBD)、碳化硅MOSFET、碳化硅JFET等,广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、工业控制等领域。

SUPSiC的优势主要体现在以下几个方面:

1. 高性能:SUPSiC的碳化硅器件具有高耐压、低导通电阻、快速开关特性,能够满足高压、高频、高效率的应用需求。

2. 高可靠性:SUPSiC采用先进的封装技术和严格的质量控制,确保器件在各种恶劣环境下的可靠性和稳定性。

3. 低能耗:SUPSiC的碳化硅器件具有较低的导通损耗和开关损耗,有助于降低系统的能耗和发热,提高能效。

4. 定制化服务:SUPSiC提供定制化的设计和制造服务,满足客户在特定应用场景下的个性化需求。

5. 技术支持:SUPSiC拥有专业的技术团队,为客户提供全方位的技术支持和解决方案,帮助客户实现产品的快速开发和应用。

GC3M0065090D数据手册

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SUPSIC/国晶微半导体 场效应管(MOSFET) SUPSIC/国晶微半导体 GC3M0065090D GC3M0065090D数据手册

GC3M0065090D封装设计

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