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GC2M1000170D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: \n封装: TO247-3\n描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管\n封装类型: 单管\n沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1700V\nId-漏极电流(25℃): 5A
供应商型号: GC2M1000170D TO247-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
SUPSIC/国晶微半导体 场效应管(MOSFET) GC2M1000170D

GC2M1000170D概述


    产品简介


    GC2M1000170D是一款由无锡国科半导体有限公司生产的硅基碳化硅(SiC)功率MOSFET。这款器件属于N沟道增强型器件,具有高开关速度、低电容、高击穿电压和低导通电阻等特点。它适用于辅助电源、开关模式电源以及高压电容负载等多种应用场景。

    技术参数


    主要电气特性
    - 最大击穿电压(VDS): 1700 V
    - 连续漏极电流(ID): 5.0 A(在25℃)
    - 脉冲漏极电流(ID(pulse)): 15 A(脉冲宽度由Tjmax决定)
    - 栅源电压(VGS): -5/+25 V(绝对最大值),-5/+20 V(推荐操作值)
    - 最大功率耗散(PD): 69 W(TC=25℃, TJ=150℃)
    - 工作温度范围(TJ, Tstg): -55到150℃
    性能参数
    - 栅源开启电压(VGS(th)): 2.0-2.8 V
    - 零门电压漏极电流(IDSS): ≤100 μA
    - 门极-源极泄漏电流(IGSS): ≤250 nA
    - 导通电阻(RDS(on)): 0.80-1.4 Ω(VGS=20 V, ID=2 A)
    - 存储能量(Eoss): 10.2 μJ
    - 关断损耗(EOFF): 14 μJ
    - 门极到源极电荷(Qg): 22 nC
    - 门极到漏极电荷(Qgd): 12 nC
    - 输入电容(Ciss): 215 pF
    - 输出电容(Coss): 19 pF
    - 反向传输电容(Crss): 2.2 pF
    - 热阻(RθJC, RθJA): 1.7-1.8°C/W(Junction-to-Case),40°C/W(Junction-to-Ambient)

    产品特点和优势


    - 高速开关: 极低的门极-漏极电容使得这款MOSFET具备高速开关能力。
    - 高可靠性: 高击穿电压及低导通电阻特性提高了系统的整体效率。
    - 易于并联: 具备低栅极电阻特性,容易实现多管并联,简化驱动电路设计。
    - 环保材料: 碳化硅材料使其无卤素且符合RoHS标准。
    - 低功耗: 在高温环境下依然能够保持较低的导通电阻,降低了冷却需求,提高了系统可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 辅助电源供应: GC2M1000170D能够在高效转换过程中显著减少损耗,提高电源的转换效率。
    - 开关模式电源: 它的高开关频率特性可以减少电源体积,提升系统效率。
    - 高压电容负载: 能够应对高压环境下的大电流负载,保证系统的稳定运行。
    使用建议
    - 散热设计: 虽然具备较好的热管理特性,但在使用时仍需关注散热设计,以确保工作在安全的温度范围内。
    - 驱动电路设计: 推荐使用外部栅极电阻(RG)进行优化,以减小开关损耗和电磁干扰。
    - 并联使用: 多管并联时,注意确保各管之间的均流,避免电流不均衡导致器件过载损坏。

    兼容性和支持


    GC2M1000170D采用TO-247-3封装,适用于各种现成的标准插座。供应商提供详尽的技术文档和专业支持,包括测试报告和参考设计,帮助客户快速集成到现有的系统中。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 如何有效降低散热?
    - 解决方案: 选择合适的散热器,确保良好的接触面积和热传导路径。同时,考虑使用散热片或散热膏提高热交换效率。

    2. 问题: 开关损耗较高如何解决?
    - 解决方案: 调整驱动电路,使用合适的栅极电阻(RG)进行优化。通过仿真软件分析,选择最适宜的栅极电阻值。
    3. 问题: 如何提高并联MOSFET的均匀性?
    - 解决方案: 并联时注意确保所有MOSFET的门极电阻相同,保证电流分配均匀,避免因过流导致的损坏。

    总结和推荐


    总体来看,GC2M1000170D是一款性能优异、适用广泛的碳化硅MOSFET,特别适合需要高效能和可靠性的场合。其优秀的热管理和高开关频率特性,使得它在辅助电源和开关模式电源应用中表现出色。同时,其绿色环保的特点也满足了现代电子产品的发展趋势。我们强烈推荐将其应用于对效率要求高的应用场景中。

GC2M1000170D参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-247-3

GC2M1000170D厂商介绍

SUPSiC公司是一家专注于研发和生产碳化硅(SiC)功率器件的高科技企业。公司主营产品包括碳化硅肖特基二极管(SBD)、碳化硅MOSFET、碳化硅JFET等,广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、工业控制等领域。

SUPSiC的优势主要体现在以下几个方面:

1. 高性能:SUPSiC的碳化硅器件具有高耐压、低导通电阻、快速开关特性,能够满足高压、高频、高效率的应用需求。

2. 高可靠性:SUPSiC采用先进的封装技术和严格的质量控制,确保器件在各种恶劣环境下的可靠性和稳定性。

3. 低能耗:SUPSiC的碳化硅器件具有较低的导通损耗和开关损耗,有助于降低系统的能耗和发热,提高能效。

4. 定制化服务:SUPSiC提供定制化的设计和制造服务,满足客户在特定应用场景下的个性化需求。

5. 技术支持:SUPSiC拥有专业的技术团队,为客户提供全方位的技术支持和解决方案,帮助客户实现产品的快速开发和应用。

GC2M1000170D数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
SUPSIC/国晶微半导体 场效应管(MOSFET) SUPSIC/国晶微半导体 GC2M1000170D GC2M1000170D数据手册

GC2M1000170D封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 10.92
450+ ¥ 10.08
900+ ¥ 9.912
1800+ ¥ 9.66
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