处理中...

首页  >  产品百科  >  STD35NF06

STD35NF06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: STD35NF06 DPAK
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) STD35NF06

STD35NF06概述


    产品简介


    STD35NF06 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 是一款采用先进的沟槽技术制造的高性能N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品特别适用于电池保护和开关应用。STD35NF06具有低导通电阻(RDS(ON))、低门极电荷及较低的启动电压(最低4.5V),这些特性使其在多种电子设备中表现优异。

    技术参数


    | 参数 | 典型值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 (VDS) | 60 | V |
    | 门源电压 (VGS) | ±20 | V |
    | 连续漏极电流 (ID) | 50 | A |
    | 脉冲漏极电流 (IDM) | 180 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) | 280 | mJ |
    | 雪崩电流 (IAS) | 28 | A |
    | 总功耗 (PD) | 87.7 | W |
    | 开启电压 (VGS(th)) | 1.0~2.5 | V |
    | 导通电阻 (RDS(ON)) | 13~17 | mΩ |
    | 输入电容 (Ciss) | 2498 | pF |
    | 输出电容 (Coss) | 185 | pF |
    | 反向传输电容 (Crss) | 80 | pF |
    | 总门极电荷 (Qg) | 36 | nC |
    | 门极-源极电荷 (Qgs) | 9.9 | nC |
    | 门极-漏极电荷 (Qgd) | 6.6 | nC |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:STD35NF06 的 RDS(ON) 在 VGS=10V 下可低至 13mΩ,这意味着在高电流运行时损耗较小,适合应用于需要高效能转换的场景。
    2. 低门极电荷:36nC 的门极电荷有助于减少驱动损耗,提高开关速度。
    3. 启动电压低:最低启动电压为 4.5V,可确保与较低电压电源系统的良好兼容性。
    4. 高可靠性:绝对最大额定值表明其在极端条件下的承受能力,从而提供更高的可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 电池保护:由于其低导通电阻和低启动电压,该器件在电池保护电路中能够提供快速可靠的过流保护。
    2. 负载开关:在负载开关应用中,STD35NF06 的高速切换能力和低导通电阻有助于提升整体效率。
    使用建议:
    - 在设计电池保护电路时,应注意不要超过器件的最大额定电压和电流,以防止损坏。
    - 在使用过程中监测温度,避免过热情况发生,因为高工作温度会增加电阻并降低效率。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - STD35NF06 与大多数标准电源管理设备兼容,可以方便地集成到现有的电路系统中。
    支持和服务:
    - 生产商 HUA XUANYANG 提供详尽的技术支持和售后服务,帮助客户解决任何使用中的问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导致过热 | 确保良好的散热机制;使用更大的散热片或改进通风。 |
    | 高频噪声干扰 | 使用屏蔽线缆和适当的滤波器来抑制高频噪声。 |
    | 不能正常工作 | 检查电源电压和电流是否符合规格;检查接线是否有错误。 |

    总结和推荐


    总体来说,STD35NF06 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 是一款具有高效能、低功耗和高可靠性的电子元件。它广泛适用于电池保护、负载开关和不间断电源等应用场景。如果在这些领域寻找高性能的 MOSFET,STD35NF06 将是一个值得考虑的选择。在使用过程中需要注意合理布局以确保良好的散热,并且避免超过其额定值使用。

STD35NF06参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -

STD35NF06厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

STD35NF06数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 STD35NF06 STD35NF06数据手册

STD35NF06封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 0.8466
7500+ ¥ 0.8325
12500+ ¥ 0.8113
库存: 300000
起订量: 2500 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:2500
合计: ¥ 2116.5
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0