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SQ2348ES-T1_GE3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: SQ2348ES-T1_GE3 SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) SQ2348ES-T1_GE3

SQ2348ES-T1_GE3概述

    # 电子元器件产品技术手册

    产品简介


    SQ2348ES-T1GE3 是一款由 Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD 生产的 N-Channel Enhancement Mode MOSFET(增强型N沟道场效应晶体管)。这款 MOSFET 主要用于电池保护、负载开关和不间断电源等应用。它采用了先进的沟槽技术,具备低导通电阻(RDS(ON))和低门极电荷等优点,使其适用于多种高性能应用场合。

    技术参数


    以下是 SQ2348ES-T1GE3 的主要技术规格:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 (VDS) | 30 V |
    | 门源电压 (VGS) | ±20 V |
    | 持续漏极电流 (ID) 5.8 A |
    | 脉冲漏极电流 (IDM) 18.4 | A |
    | 最大功率耗散 (PD) 1 | W |
    | 热阻,结到环境 (RθJA) 125 | ℃/W |
    | 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)) 22 | 28 | mΩ |
    | 门阈电压 (VGS(th)) | 1.0 | 1.5 | 2.5 | V |

    产品特点和优势


    SQ2348ES-T1GE3 产品具有以下特点和优势:
    1. 低导通电阻:典型值为 22 mΩ(VGS=10V),这使得其适用于需要高效率的应用。
    2. 低门极电荷:这有助于降低驱动功耗,提升系统的能效。
    3. 宽泛的工作电压:支持 30V 的漏源电压和 ±20V 的门源电压。
    4. 优良的热稳定性:最大功率耗散为 1W,在高温环境下仍能稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电池保护:SQ2348ES-T1GE3 可以在电池系统中起到过流保护的作用。
    - 负载开关:适合于快速响应的应用场合,如高速电机控制。
    - 不间断电源:在 UPS 系统中作为高效能开关使用。
    使用建议
    - 散热设计:由于其较大的热阻,建议在应用中采用良好的散热设计,以确保 MOSFET 在高温环境下正常工作。
    - 测试验证:在实际应用前,建议进行充分的测试验证,以确保符合预期的性能要求。

    兼容性和支持


    - 封装形式:SOT-23(TO-236AB)。
    - 包装信息:每包包含 3000 个器件。
    - 制造商支持:HuaXuanYang Electronics 提供全面的技术支持,包括详细的数据手册和应用指南。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过高的门源电压会导致 MOSFET 损坏。
    解决方案:确保 VGS 不超过 ±20V。

    2. 问题:导通电阻过高导致发热严重。
    解决方案:改善散热设计,减少热阻,例如增加散热片或改善 PCB 设计。
    3. 问题:脉冲漏极电流超限。
    解决方案:避免长时间工作在极限电流下,确保实际工作电流不超过规定值。

    总结和推荐


    总体来说,SQ2348ES-T1GE3 是一款高效能、高性能的 N-Channel Enhancement Mode MOSFET,特别适合用于电池保护、负载开关和不间断电源等应用场合。其低导通电阻、低门极电荷和宽泛的工作电压范围使其在市场上具有很强的竞争力。如果您的项目需要这些特性,强烈推荐使用此产品。但在使用过程中,务必遵循制造商的指导并进行充分的测试验证。

SQ2348ES-T1_GE3参数

参数
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -

SQ2348ES-T1_GE3厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

SQ2348ES-T1_GE3数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 SQ2348ES-T1_GE3 SQ2348ES-T1_GE3数据手册

SQ2348ES-T1_GE3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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9000+ ¥ 0.7222
15000+ ¥ 0.7038
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