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IRLML2030TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 这款N沟道消费级MOSFET采用SOT-23封装,专为高效能、中等电流应用设计。额定电压30V,提供5.8A连续电流处理能力,尤其适用于电源转换、负载开关和电池管理系统,具备低导通电阻及卓越的热性能,是现代电子设备的理想功率管理组件。
供应商型号: IRLML2030TRPBF SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IRLML2030TRPBF

IRLML2030TRPBF概述

    IRLML2030TRPBF N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRLML2030TRPBF 是一种 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的沟槽技术制造。这款器件具备极低的 RDS(ON)(导通电阻)、低门极电荷和可使用最低 2.5V 的门极电压进行操作。IRLML2030TRPBF 主要用于电池保护、负载开关以及不间断电源等应用场合。

    技术参数


    以下是 IRLML2030TRPBF 的关键技术规格:
    - 最大漏源电压 (VDS):30V
    - 最大连续漏电流 (ID):5.8A
    - 零门电压漏电流 (IDSS):1μA
    - 最大门体泄漏电流 (IGSS):±100nA
    - 门阈电压 (VGS(th)):0.7V ~ 1.4V
    - 导通电阻 (RDS(ON)):在 VGS=10V 时小于 30mΩ
    - 最大功率耗散 (PD):1.4W
    - 最高工作结温和存储温度范围 (TJ/TSTG):-55°C 至 150°C
    - 热阻 (Junction-to-Ambient, RθJA):89°C/W

    产品特点和优势


    IRLML2030TRPBF 的主要优势如下:
    - 高效率:由于其低 RDS(ON),能够在高电流条件下实现较低的功率损耗。
    - 快速开关特性:具备快速的开关时间和低门极电荷,适合高频应用。
    - 宽泛的工作电压范围:最低工作电压为 2.5V,适用于多种电路设计。
    - 高可靠性:绝对最大额定值确保其能够承受极端条件下的工作压力。

    应用案例和使用建议


    IRLML2030TRPBF 广泛应用于以下领域:
    - 电池保护:通过快速响应短路和其他异常情况,提高系统的安全性。
    - 负载开关:用于控制高电流负载的开断,减少能量损失。
    - 不间断电源 (UPS):提供稳定可靠的电源切换,确保系统持续运行。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应考虑 IRFL2030TRPBF 的散热需求,特别是在高电流环境下。
    - 确保门极驱动电压不低于 2.5V,以避免误触发。

    兼容性和支持


    IRLML2030TRPBF 封装为 SOT-23,易于与其他 SOT-23 封装的器件集成。制造商深圳华宣阳电子有限公司提供了详尽的技术支持和维护服务,包括技术咨询和故障排除。

    常见问题与解决方案


    以下是几个常见的问题及其解决方案:
    - 问题:MOSFET 发热严重
    - 解决方案:检查散热片是否安装正确,增加外部散热措施如风扇或散热板。

    - 问题:MOSFET 不能正常关断
    - 解决方案:确认门极驱动信号是否正确且充分,确保足够的关断时间。

    总结和推荐


    总的来说,IRLML2030TRPBF 是一款高效、可靠且多功能的 N 沟道 MOSFET,非常适合于电池保护、负载开关及 UPS 等应用场景。其出色的性能指标和广泛的应用范围使其在市场上具有很强的竞争力。因此,强烈推荐将此产品用于需要高性能 MOSFET 的电子项目中。
    如果您对 IRLML2030TRPBF 或其他相关产品有任何疑问,欢迎随时联系深圳华宣阳电子有限公司的技术支持团队。

IRLML2030TRPBF参数

参数
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 SOT-23

IRLML2030TRPBF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IRLML2030TRPBF数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF数据手册

IRLML2030TRPBF封装设计

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9000+ ¥ 0.213
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