处理中...

首页  >  产品百科  >  IPW60R099CPA-VB

IPW60R099CPA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。生产的高性能单极性N型功率半导体器件,具有优异的高压和高功率特性。其采用SJ_Multi-EPI技术,配备TO247封装,适用于各种电力控制和转换应用。该产品具有可靠性高、性能稳定等优点,广泛应用于工业、能源等领域。TO247;N沟道,650V;47A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: IPW60R099CPA-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPW60R099CPA-VB

IPW60R099CPA-VB概述

    IPW60R099CPA-VB N-Channel 600V Super Junction Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    产品类型:IPW60R099CPA-VB 是一款 N-Channel 600V 超级结功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。

    主要功能:
    - 集成了快速二极管
    - 低通态电阻(RDS(on)
    - 低输入电容(Ciss
    - 低栅极电荷(Qg
    应用领域:
    - 服务器和电信电源供应系统
    - 开关模式电源供应系统(SMPS)
    - 功率因数校正电源供应系统(PFC)
    - 照明(高强放电灯、荧光灯镇流器)

    技术参数


    - 额定电压(VDS):最大值为 650V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2.5 ~ 4.5V
    - 连续漏极电流(ID):在 TJ=150°C时为 36A
    - 脉冲漏极电流(IDM):在 TJ=150°C时为 22A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):1400mJ
    - 最大功耗(PD):210W
    - 最大接面温度(TJ):150°C
    - 导通电阻(RDS(on)):在 VGS=10V 时为 0.068Ω

    产品特点和优势


    特点:
    - 低通态电阻与栅极电荷乘积(Ron x Qg)
    - 低输入电容
    - 减少开关损耗和导通损耗
    - 极低的栅极电荷
    - 额定雪崩能量(UIS)
    优势:
    - 在多种电力转换应用中表现出色,特别是在需要高效能和低损耗的场合。
    - 高温条件下仍保持良好的稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器和电信电源供应系统:适用于大型数据中心的电力管理。
    - 开关模式电源供应系统(SMPS):适合于各种消费电子产品。
    - 照明系统:特别适用于高强放电灯和荧光灯。
    使用建议:
    - 在设计电源转换电路时,应根据具体的应用需求合理选择工作条件,避免长时间在高温环境下运行。
    - 注意散热设计,确保良好的热管理,以避免过热损坏。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 与同类 N-Channel MOSFET 兼容,可在多种 PCB 设计中使用。
    - 支持主流电源管理 IC 和控制器。
    支持:
    - 厂商提供详尽的技术文档和支持。
    - 客户可联系服务热线(400-655-8788)获取更多技术支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过载导致功耗过高 | 检查电路设计,调整负载电流和工作条件,确保在安全范围内运行。 |
    | 热管理不佳 | 加强散热措施,使用散热片或风扇进行辅助冷却。 |

    总结和推荐


    总结:
    - IPW60R099CPA-VB N-Channel 600V Super Junction Power MOSFET 具有优异的电气特性和高效的能源管理能力,适用于多种高压和高效率电力转换应用。
    推荐:
    - 强烈推荐在高性能电力管理系统中使用该器件,尤其是对于需要高可靠性和低损耗的场合。

IPW60R099CPA-VB参数

参数
栅极电荷 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ(mΩ)
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 1
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 47A
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPW60R099CPA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPW60R099CPA-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPW60R099CPA-VB IPW60R099CPA-VB数据手册

IPW60R099CPA-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 17.9399
100+ ¥ 16.611
500+ ¥ 15.2821
900+ ¥ 14.6177
库存: 30000
起订量: 5 增量: 300
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 89.69
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0