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SI1300BDL-T1-GE3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,20V,4A,RDS(ON),45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V,12Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SC70-3在电动工具控制器中,可用作电机驱动器件,通过其高压承受能力和低导通电阻,实现电动工具的高效驱动和性能提升。
供应商型号: SI1300BDL-T1-GE3-VB SC70-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SI1300BDL-T1-GE3-VB

SI1300BDL-T1-GE3-VB概述

    SI1300BDL-T1-GE3 N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

    1. 产品简介


    SI1300BDL-T1-GE3 是一款 N 沟道 20V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由台湾VBsemi公司生产。这款MOSFET的主要功能包括低导通电阻、高电流承载能力和良好的热性能,适用于便携式设备、负载开关和电机、继电器及螺线管的控制等应用领域。

    2. 技术参数


    - 电气特性
    - 漏源电压 (VDS): 20 V
    - 漏源饱和电流 (ID):
    - 4 A @ TC = 25 °C
    - 3.6 A @ TC = 70 °C
    - 阈值电压 (VGS(th)): 0.6 ~ 1.3 V
    - 饱和导通电阻 (RDS(on)):
    - 0.036 Ω @ VGS = 10 V, ID = 3.7 A
    - 0.040 Ω @ VGS = 4.5 V, ID = 3.6 A
    - 0.048 Ω @ VGS = 2.5 V, ID = 1.5 A
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - 8.8 nC @ VDS = 15 V, VGS = 10 V, ID = 3.7 A
    - 4 nC @ VDS = 15 V, VGS = 4.5 V, ID = 3.7 A
    - 工作环境
    - 连续漏极电流 (TJ = 150 °C):
    - 4 A @ TC = 25 °C
    - 3.6 A @ TC = 70 °C
    - 最大功率耗散:
    - 2.8 W @ TC = 25 °C
    - 1.8 W @ TC = 70 °C
    - 工作温度范围: -55 °C 到 150 °C

    3. 产品特点和优势


    - 环保设计: 符合IEC 61249-2-21标准的无卤素设计,且符合RoHS Directive 2002/95/EC标准。
    - 高性能: 典型的ESD保护为2000 V HBM,100% Rg测试。
    - 低导通电阻: 在不同VGS条件下均表现出较低的RDS(on),确保高效的电流处理能力。
    - 优异的热性能: 最大功率耗散可达2.8 W,确保在高负荷条件下的稳定运行。
    - 应用广泛: 适用于便携式设备、电池开关、电机和螺线管等负载开关。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 便携式设备: 在电池管理单元中作为负载开关,以实现高效能的电力分配。
    - 电机控制: 在电机控制系统中作为开关组件,用于控制电机的启动和停止。

    - 使用建议:
    - 确保在系统设计时考虑到MOSFET的散热要求,特别是在高电流工作条件下,需要提供足够的散热措施。
    - 在系统集成过程中,合理选择栅极驱动电路,以避免过度的栅极电荷积累,从而影响系统的响应速度和效率。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该MOSFET具有广泛的适用性,可以与多种便携式设备和电机控制板兼容。
    - 厂商支持: 台湾VBsemi提供全面的技术支持和售后保障,包括详细的使用手册和技术文档。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备在高温环境下工作时性能下降。
    - 解决方案: 增加散热片或使用外部冷却装置,确保设备在规定的温度范围内工作。
    - 问题2: MOSFET出现异常发热。
    - 解决方案: 检查电路设计和负载电流,确保MOSFET工作在其额定电流范围内。
    - 问题3: MOSFET导通电阻增加。
    - 解决方案: 检查栅极驱动信号是否正常,确保MOSFET工作在最佳状态下。

    7. 总结和推荐


    SI1300BDL-T1-GE3 是一款性能卓越的N沟道20V MOSFET,具有低导通电阻、高电流承载能力和出色的热稳定性。在便携式设备和电机控制应用中表现出色,特别适合对可靠性要求高的场合。由于其环保特性,也符合现代电子产品的绿色制造标准。因此,强烈推荐使用这款MOSFET。

SI1300BDL-T1-GE3-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Vgs-栅源极电压 12V
最大功率耗散 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 45mΩ@10V,49mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Id-连续漏极电流 4A
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SC-70-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

SI1300BDL-T1-GE3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SI1300BDL-T1-GE3-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SI1300BDL-T1-GE3-VB SI1300BDL-T1-GE3-VB数据手册

SI1300BDL-T1-GE3-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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300+ ¥ 0.3602
500+ ¥ 0.3457
3000+ ¥ 0.3313
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