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STD6NM60N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) \n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
供应商型号: STD6NM60N-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) STD6NM60N-VB

STD6NM60N-VB概述

    STD6NM60N N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    STD6NM60N 是一款高性能的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于高电压、大电流的应用场合。该产品的主要特点是低门极电荷(Qg)和优良的动态特性。它在众多电力电子设备如开关电源、电机驱动、逆变器等应用中表现出色。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 650 | V |
    | 门极-源极阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 门极-源极漏电流 | IGSS | - | - | ± 100 | nA |
    | 零门极电压漏电流 | IDSS | - | - | 10 | µA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.95 | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 320 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 75 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 15 | - | nC |
    | 转换时间延迟 | td(on) | - | 18 | - | ns |
    | 下降时间 | tf | - | 30 | - | ns |

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷: 低门极电荷意味着简单的驱动需求,降低了整体功耗。
    - 改进的鲁棒性: 该MOSFET具有优秀的门极、雪崩和动态dV/dt耐久性,使其在高可靠性应用中表现优异。
    - 全面测试: 包括全面的电容和雪崩电压电流特性测试。
    - 符合RoHS标准: 严格遵守欧盟RoHS指令,适用于环保要求高的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: 常见于高电压的电力转换系统中,如开关电源、电池充电器等。
    - 使用建议: 在使用过程中,注意散热管理以确保长期稳定运行。根据具体应用调整门极驱动电路,减少开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该MOSFET采用行业标准封装(TO-220AB),易于与其他组件集成。
    - 支持: 官方提供详细的文档和用户指南,确保客户能顺利应用到各类系统中。同时,台湾VBsemi提供专业的技术支持和售后服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关频率过高导致发热严重。
    - 解决方法: 增加散热片或使用更大尺寸的散热器来改善散热效果。
    - 问题2: 启动时出现异常噪声。
    - 解决方法: 检查驱动电路的门极电阻设置是否合理,并考虑使用缓冲电路降低干扰。

    7. 总结和推荐


    综合评估:STD6NM60N是一款集高效、耐用于一体的N沟道MOSFET,特别适合需要高电压和高可靠性的应用场合。其低门极电荷和鲁棒的设计使其在开关电源和电机控制等领域有着出色的表现。
    推荐:强烈推荐给需要高效率和可靠性的电力电子工程师和设计师。无论是研发阶段还是量产应用,这款产品都能带来显著的优势。

STD6NM60N-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 5A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
栅极电荷 -
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

STD6NM60N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

STD6NM60N-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 STD6NM60N-VB STD6NM60N-VB数据手册

STD6NM60N-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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