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IRFR3505TRLPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:TO252\n适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用。
供应商型号: IRFR3505TRLPBF-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFR3505TRLPBF-VB

IRFR3505TRLPBF-VB概述


    产品简介


    IRFR3505TRLPBF 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道功率MOSFET器件。它采用先进的TrenchFET技术,具有175°C的高结温特性,使其能够在极端环境下保持稳定的性能。该器件广泛应用于电源管理、电机驱动、开关电源等领域。

    技术参数


    - 额定电压(VDS): 60V
    - 最大持续漏极电流(ID):
    - TC = 25°C时为60A
    - TC = 100°C时为37.5A(基于瞬态温度计算)
    - 最大脉冲漏极电流(IMD): 100A(脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%)
    - 最大功率耗散(PD):
    - TC = 25°C时为136W
    - TA = 25°C时为8.3W
    - 最大结温(TJ): 175°C
    - 最大工作环境温度范围(TJ, Tstg): -55°C至175°C
    - 结到环境热阻(RthJA):
    - 瞬态≤10秒:15°C/W
    - 稳态:40°C/W
    - 结到外壳热阻(RthJC): 0.85°C/W

    产品特点和优势


    IRFR3505TRLPBF 的独特之处在于其能够承受高达175°C的结温,这使得它在高温环境中表现出色。同时,低的导通电阻(RDS(on))确保了低功耗和高效率。此外,其快速的开关性能和良好的热稳定性使其成为各种应用的理想选择。具体的优势包括:
    - 高可靠性:在极端条件下仍能稳定工作。
    - 高效能:低导通电阻确保了高效率。
    - 快速响应:适合高频开关应用。

    应用案例和使用建议


    IRFR3505TRLPBF 广泛应用于各种电源管理和电机驱动场合。例如,在电源转换器中,它可以作为开关管,提高整体效率。在电机驱动系统中,它能有效控制电流,保证电机平稳运行。
    使用建议:
    - 散热设计:由于其高功耗能力,合理的设计散热系统至关重要,以避免过热导致的失效。
    - 驱动电路:考虑到其较低的栅极电荷,建议使用低阻抗驱动器来实现快速开关,以充分利用其快速开关特性。
    - 负载匹配:根据具体的应用需求,合理匹配负载,以充分利用其性能。

    兼容性和支持


    IRFR3505TRLPBF 支持标准的SMD封装(TO-252),便于PCB设计和集成。台湾VBsemi公司提供了详尽的技术文档和支持服务,包括详细的Datasheet和应用指南,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备在高温下出现不稳定现象。
    - 解决方案: 检查散热系统是否正常工作,确保器件周围有足够的散热空间。
    - 问题2: 开关频率过高导致发热严重。
    - 解决方案: 使用适当的栅极驱动器以降低开关损耗,并优化散热设计。
    - 问题3: 器件在使用过程中出现过载保护。
    - 解决方案: 检查电路负载是否超出规定值,并调整相应的保护机制。

    总结和推荐


    IRFR3505TRLPBF 以其高耐温性能、高效能和良好的可靠性,成为高性能电源管理系统的理想选择。特别适用于需要在极端环境下工作的应用场景。对于需要高性能、高可靠性的用户来说,强烈推荐使用这款产品。

IRFR3505TRLPBF-VB参数

参数
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,11mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.87V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 60A
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFR3505TRLPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFR3505TRLPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFR3505TRLPBF-VB IRFR3505TRLPBF-VB数据手册

IRFR3505TRLPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
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