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IPB037N06N3 G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,150A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
供应商型号: IPB037N06N3 G-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPB037N06N3 G-VB

IPB037N06N3 G-VB概述

    IPB037N06N3 G-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    IPB037N06N3 G-VB 是一款由VBsemi生产的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电子设备和电路设计。该器件采用TrenchFET®技术制造,具有低热阻封装,支持全栅极电阻和UIS测试。IPB037N06N3 G-VB MOSFET的主要功能是提供高效、可靠的电流控制,适用于各种高功率应用,如开关电源、电机驱动和电池管理等领域。

    2. 技术参数


    以下是IPB037N06N3 G-VB的技术规格表:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 60 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | 4.0 | - | V |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | - | - | 1.0 | μA |
    | 栅源泄漏电流 | IGSS | - | - | ±100 | nA |
    | 导通漏源电阻 | RDS(on) | - | 4 | - | mΩ |
    | 动态输入电容 | Ciss | - | 7000 | - | pF |
    | 动态输出电容 | Coss | - | 715 | - | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | - | - | 360 | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 96 | 145 | nC |
    | 开启延迟时间 | td(on) | - | 16 | 24 | ns |
    | 上升时间 | tr | - | 14 | 21 | ns |
    | 关断延迟时间 | td(off) | - | 34 | 51 | ns |
    | 下降时间 | tcf | - | 9 | 14 | ns |
    绝对最大额定值包括:
    - 漏源电压 VDS:60 V
    - 栅源电压 VGS:±20 V
    - 连续漏电流 ID:120 A
    - 单脉冲雪崩能量 EAS:211 mJ
    - 最大功耗 PD:220 W(TC=25°C);70 W(TC=125°C)
    - 工作结温和存储温度范围 TJ, Tstg:-55到+175°C

    3. 产品特点和优势


    IPB037N06N3 G-VB的主要特点是:
    - TrenchFET®技术:提供高效率和低导通电阻,提高系统整体性能。
    - 低热阻封装:改善散热性能,延长器件使用寿命。
    - 全栅极电阻和UIS测试:确保产品在不同工作条件下的稳定性和可靠性。
    这些特性使其成为各种高功率应用的理想选择,特别是在需要高效能和可靠性的场合。

    4. 应用案例和使用建议


    IPB037N06N3 G-VB广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理和汽车电子等领域。例如,在开关电源中,它可以用作主控开关,通过精确控制漏电流来实现高效能的能量转换。
    使用建议:
    - 确保安装时器件的热阻符合手册要求,以保证良好的散热性能。
    - 在高电流应用中,注意散热措施,避免因过热导致的损坏。
    - 对于高频开关应用,适当增加外部栅极电阻以减少寄生振荡。

    5. 兼容性和支持


    IPB037N06N3 G-VB与现有的大多数电子设备和电路板具有良好的兼容性。VBsemi公司为用户提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的安装指南和技术文档,以帮助用户正确使用和维护该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:设备无法正常启动。
    - 解决方法:检查是否正确连接栅极和源极,确认栅极驱动信号正常。
    - 问题2:过热问题。
    - 解决方法:加强散热措施,如增加散热片或使用散热胶。

    7. 总结和推荐


    IPB037N06N3 G-VB是一款性能卓越的N沟道MOSFET,具有低导通电阻、高效率和良好的散热性能。其广泛的应用场景和可靠性使其成为各种高功率应用的理想选择。强烈推荐在需要高效能和稳定性的电子设备中使用该产品。如果您有任何疑问或需求,可以联系VBsemi的服务热线400-655-8788获取更多技术支持。

IPB037N06N3 G-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 150A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPB037N06N3 G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPB037N06N3 G-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPB037N06N3 G-VB IPB037N06N3 G-VB数据手册

IPB037N06N3 G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
800+ ¥ 3.3111
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