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SSFP32N10-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,55A,RDS(ON),36mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220\n具有高性能和可靠性,适用于各种功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和漏极-源极电阻,适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: SSFP32N10-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SSFP32N10-VB

SSFP32N10-VB概述

    N-Channel 100-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    产品类型: N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
    主要功能:
    - 作为开关器件,在多种电力转换和控制应用中发挥重要作用。
    - 高温运行能力,支持175°C的结温,使其适用于严苛的工作环境。
    应用领域:
    - 工业自动化控制系统
    - 开关电源
    - 马达驱动电路
    - 照明系统
    - 消费电子设备

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ± 20 | - | ± 20 | V |
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | - | 100 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | - | 55 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | - | A |
    | 漏极-源极开启电阻 | RDS(on) | - | 0.036 | - | Ω |
    | 峰值雪崩电流 | IAR | - | - | 35 | A |
    | 反复雪崩能量 | EAR | - | - | 61 | mJ |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 175 | °C |
    | 结-散热器热阻 | RthJA | - | 40 | - | °C/W |

    产品特点和优势


    1. 高可靠性和稳定性: 支持175°C的结温,适合高温应用环境。
    2. 低热阻封装: RthJA=40°C/W,有助于热量快速散逸,提升可靠性。
    3. 高击穿电压: V(BR)DSS=100V,适用于高压应用场合。
    4. 出色的导通电阻: RDS(on)=0.036Ω(在VGS=10V,ID=5A条件下),确保低损耗操作。
    5. 卓越的动态特性: 低输入电容(Ciss=4500pF)和低输出电容(Coss=270pF)使开关速度更快。

    应用案例和使用建议


    典型应用:
    - 开关电源:利用其低RDS(on)和高耐压特性,可在开关电源中作为主开关管。
    - 马达驱动:高温稳定性和低热阻设计使其成为马达驱动电路的理想选择。
    使用建议:
    - 在设计电源转换器时,考虑加入散热片以提高热管理效率。
    - 确保在高电流脉冲应用中适当限制栅极电压,避免超过±20V的限制。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 该MOSFET采用标准TO-220AB封装,易于与其他同类型产品互换使用。
    - 与多数电源模块及控制器具有良好的兼容性。
    支持和维护:
    - 购买产品后可获得VBsemi公司官方技术支持。
    - 定期进行产品状态检查,确保长时间正常运行。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 设备启动时MOSFET温度异常升高。
    - 解决方案: 检查散热措施是否充分;确保正确的安装位置并添加散热片。

    2. 问题: 过载情况下MOSFET损坏。
    - 解决方案: 使用外部保护电路(如保险丝或瞬态电压抑制器)来防止过电流冲击。

    3. 问题: 开关频率不稳定。
    - 解决方案: 优化PCB布局,减少寄生电感和电容效应的影响。

    总结和推荐


    优点:
    - 高温度耐受性
    - 优秀的开关性能
    - 高度可靠的低热阻封装
    - 稳定的击穿电压和导通电阻
    推荐:
    该N-Channel 100-V MOSFET是一款在工业级和消费级电子产品中广泛应用的理想选择。无论是作为电源转换器还是马达驱动器的关键部件,其出色的表现都使其成为工程师们的重要工具之一。强烈推荐用于需要高效、高性能的电力电子设备设计中。

SSFP32N10-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 55A
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Rds(On)-漏源导通电阻 36mΩ@10V,38mΩ@4.5V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

SSFP32N10-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SSFP32N10-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SSFP32N10-VB SSFP32N10-VB数据手册

SSFP32N10-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.7215
100+ ¥ 2.5199
500+ ¥ 2.419
1000+ ¥ 2.3183
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