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SUB85N08-08-GE3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n推出的单极性 N 型沟道 MOSFET,具有80V的额定漏极-源极电压(VDS),可在±20V的门源电压范围内工作。其阈值电压为3V,漏极-源极电阻在VGS=4.5V时为10 m?,在VGS=10V时为6 m?。该器件的最大漏极电流为120A,采用先进的沟道 MOSFET 技术,具有高性能和稳定的特性。封装形式为TO263,适用于各种应用场合。
供应商型号: SUB85N08-08-GE3-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SUB85N08-08-GE3-VB

SUB85N08-08-GE3-VB概述

    SUB85N08-08-GE3 80V N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    SUB85N08-08-GE3 是一款高性能的 N 沟道 80V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 TO-263(D2PAK)封装。ThunderFET® 功率 MOSFET 技术为其提供了卓越的性能,适用于高效率电源转换和驱动应用。该产品广泛应用于开关电源、电机控制、逆变器及通信设备等领域,是现代高效能电子产品的重要组成部分。
    主要功能:
    - 高效开关性能,降低功耗
    - 宽广的工作温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 支持高强度雪崩能力(UIS 测试)
    - 最大工作结温:+175°C

    技术参数


    以下为 SUB85N08-08-GE3 的关键技术规格和性能指标:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | 80 | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | -20 | ±20 | +20 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | - | 120 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | 225 | - | A |
    | 击穿雪崩电流 | IAS | - | - | 50 | A |
    | 单次雪崩能量 | EAS | - | - | 125 | mJ |
    | 最大功耗(TJ=25°C) | PD | - | 370 | - | W |
    | 热阻(结至环境) | RthJA | - | 40 | - | °C/W |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | +175 | °C |

    产品特点和优势


    1. 高性能 ThunderFET® 技术:显著提高开关效率并减少导通损耗。
    2. 高可靠性:通过 100% 雪崩测试,确保恶劣环境下稳定运行。
    3. 宽广的工作温度范围:适合高温或低温环境的应用需求。
    4. 快速开关速度:低门电荷(Qg),提升高频开关性能。
    5. 紧凑设计:TO-263 封装便于高密度布局,适合现代化电路设计。
    这些特点使其在工业、通信及消费类电子领域具有明显竞争优势。

    应用案例和使用建议


    SUB85N08-08-GE3 可用于以下典型场景:
    1. 开关电源:如直流-直流转换器,实现高效能电力管理。
    2. 电机控制:驱动无刷直流电机,提升系统效率。
    3. 逆变器:如太阳能逆变器中高效能量转换。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,建议增加散热片以降低热阻。
    - 使用时需注意 VDS 的电压降额(详见 SOA 曲线)。
    - 确保电路设计符合最大电流和电压要求。

    兼容性和支持


    1. SUB85N08-08-GE3 与多种标准接口兼容,支持主流 PCB 布局。
    2. 制造商提供详尽的技术支持文档及在线服务(服务热线:400-655-8788),解决客户疑问并协助调试。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET 发热严重?
    - 解决方案:检查散热设计是否符合规范,必要时加装散热片。
    2. 问题:器件失效?
    - 解决方案:确认是否超过绝对最大额定值,避免超出范围使用。
    3. 问题:开关速度慢?
    - 解决方案:减小栅极电阻(Rg)以加快开关速度。

    总结和推荐


    综上所述,SUB85N08-08-GE3 是一款极具性价比且性能优越的 N 沟道 MOSFET,特别适合需要高效率和高可靠性的应用场合。其强大的耐高温能力和紧凑封装使其在严苛环境中依然表现出色。对于追求高性能电子产品的客户,我们强烈推荐此款器件。

    如果您对本产品有任何疑问,欢迎拨打服务热线:400-655-8788 获取更多帮助!

SUB85N08-08-GE3-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 80V
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@10V,10mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 120A
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.7V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

SUB85N08-08-GE3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SUB85N08-08-GE3-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SUB85N08-08-GE3-VB SUB85N08-08-GE3-VB数据手册

SUB85N08-08-GE3-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.3194
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